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公开(公告)号：CN118600549A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410739465.2
申请日：2024-06-07
Applicant: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 本发明属于半导体衬底材料制备技术领域，具体涉及一种锑化镓多晶的合成系统及方法，该系统由加热容器、底座支撑装置、加热装置、电磁搅拌装置和保温装置组成。基于该系统，按照装填物料、升温熔化以及多晶合成的步骤生产锑化镓多晶。合成系统通过对高温熔体施加磁场，在电磁力的作用下强化熔体流动，达到搅拌熔体的目的，无需额外干预。该合成方法通过梯度式凝固，提高晶体完整性。
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公开(公告)号：CN116908133A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310514361.7
申请日：2023-05-09
Applicant: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
IPC: G01N21/3563 , G01N21/3554
Abstract: 基于傅里叶红外吸收光谱仪检测晶体生长用三氧化二硼水含量的方法，属于Ⅲ‑Ⅴ族化合物单晶技术领域，具体涉及Ge、GaAs、InP、GaP、InAs、GaSb等晶体生长用三氧化二硼水含量的检测方法。本发明的检测方法，包括氮气吹扫样品室、采集背景、放置三氧化二硼于支撑底座上、导入背景、采集样品、根据峰面积计算水含量等步骤。本发明通过红外吸收带的波数位置、吸收峰的面积等来鉴定三氧化二硼的水含量，具有用量少、分析速度快、不破坏样品等特点。有效监控三氧化二硼的水含量，有利于生长晶体，使晶体表面光滑、单晶率提高。
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公开(公告)号：CN112176398B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202011139769.3
申请日：2020-10-22
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司
Abstract: 本发明涉及一种VGF法生长单晶的单晶炉结构和温度控制方法，属于半导体材料技术领域，包括炉体外壁、保温层,保温层内包括生长段和炉芯段，生长段横向设置有数组热电偶，每组的两个热电偶测温点对称设置于坩埚两侧，炉芯段纵向设置有数个热电偶，炉芯段第一热电偶其测温点与籽晶段底部平行，第二热电偶其测温点为坩埚的放肩处，第三热电偶其测温点为坩埚转肩处的中部，第三热电偶为热电偶族，从转肩处中部横向形成一个圆形截面，沿其边缘等分设置不少于6个热点偶，本发明通过晶体生长热电偶的损坏情况和成晶情况合理安装热电偶，使得炉膛的使用寿命增加，减少维修次数，避免了由于单一热电偶损坏造成晶体报废，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN107932760A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711394683.3
申请日：2017-12-21
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司
CPC classification number: B28D5/02 , B28D5/0076 , B28D5/0082
Abstract: 一种立式多晶棒料切割机，涉及多晶棒料加工领域，尤其是一种立式多晶棒料切割机，其特征在于，该切割机包括操作台和支撑机架，操作台内部设置有夹持部和切割部；所述的切割部包括刀片、转轴、环形垫块、六角螺栓、传动轴和电机；所述的夹持部分别对称设置在刀片两侧，所述的夹持部包括夹持块、滑道、紧固条、紧固螺丝和支撑块。本发明的一种立式多晶棒料切割机，结构设计科学合理，使用成本价格低廉，有利于提高企业经济效益，与现有普通切割机相比，具有在切割多晶棒料时损耗低、安全性高，便于收集切割时的残渣，保证工作环保的清洁度，同时提高切割效率高，能方便、快速地切割不同尺寸的多晶棒料，适用范围广。
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公开(公告)号：CN119145039A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411511798.6
申请日：2024-10-28
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种VGF和VB联动的磷化铟单晶生长方法，包括以下步骤：热场校准，热场校准后装料装炉；在PBN坩埚旋转下，通过VGF法调整各温区降温梯度，完成引晶‑放肩阶段晶体生长；恒定热场，采用VB法，通过调整PBN坩埚下降速度完成晶体等径生长；出炉脱模、晶片加工。通过本VGF和VB联动的磷化铟单晶生长方法生产的磷化铟单晶位错密度低，晶体电学参数不均匀性更小，本方法不但为低位错、低应力、高均匀性磷化铟单晶生长提供了新方法，还建立空炉状态下的热场基准校定方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105937052B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201610437697.8
申请日：2016-06-20
Applicant: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC: C30B33/10
Abstract: 本发明涉及一种去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法，包括以下步骤：(1)配制氢氧化钠和过氧化氢混合水溶液；(2)将经过腐蚀后表面有蓝色药印的锗单晶片放入配制好的水溶液中进行处理；(3)将处理之后的锗单晶片清洗干净，并将其甩干；(4)甩干后，用强光灯检验锗单晶片的表面。本发明提供的方法简单易行，能有效去除酸化学腐蚀后锗单晶片表面上的蓝色药印，在节约成本的同时，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN105937052A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610437697.8
申请日：2016-06-20
Applicant: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC: C30B33/10
CPC classification number: C30B33/10
Abstract: 本发明涉及一种去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法，包括以下步骤：(1)配制氢氧化钠和过氧化氢混合水溶液；(2)将经过腐蚀后表面有蓝色药印的锗单晶片放入配制好的水溶液中进行处理；(3)将处理之后的锗单晶片清洗干净，并将其甩干；(4)甩干后，用强光灯检验锗单晶片的表面。本发明提供的方法简单易行，能有效去除酸化学腐蚀后锗单晶片表面上的蓝色药印，在节约成本的同时，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN105887195A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610439088.6
申请日：2016-06-20
Applicant: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
Abstract: 本发明属于锗单晶体生长技术领域，特别涉及用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法。本发明公开了用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法，其特征在于对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀清洗，具体包括用第一、二、三、四、五溶液分别对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀，然后用去离子水清洗，用无水乙醇脱水，通过上述步骤，可实现后续使用VGF法生长出的锗单晶体不受杂质影响，保证了锗单晶片的质量。
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公开(公告)号：CN117265636A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310650628.5
申请日：2023-06-03
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 一种大尺寸VGF法砷化镓的装料装置及装料方法,涉及化合物半导体晶体生长领域，尤其是一种大尺寸VB法和VGF法生长III‑V族单晶生长的一种大尺寸VGF法砷化镓的装料装置及装料方法。本发明的一种大尺寸VGF法砷化镓的装料装置及装料方法，其特征在于该装料装置包括上平台、支撑杆、下平台，上坩埚、下坩埚和石英安瓿瓶，上平台与下平台相对平行设置，支撑杆设置在上平台与下平台之间，上坩埚与下坩埚从上至下放置，石英安瓿瓶安装在下坩埚上。本发明的VGF法砷化镓的装料装置及装料方法，不但能实现大尺寸、质量多的装料难题，而且装料过程简单、快捷，不管是单晶率还是位错均优于传统装料方法。
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公开(公告)号：CN113638048B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110802948.9
申请日：2021-07-15
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司
Abstract: 本发明属于磷化铟单晶制备领域，具体公开一种VGF法生长磷化铟单晶的方法，包括以下步骤：采用VGF法，将原料放入坩埚内并组装单晶生长炉，进行高温退火处理；升温熔料，在加热控制程序中设置加热目标值进行加热和加压；熔种生长，设置生长温度，待籽晶熔融长度达到10‑15mm，进行转肩生长时，坩埚位置开始下降，下降速度不大于2.5mm/h，生长结束后自动停止埚位下降；降温退火，生长结束后自动进入降温退火，温度降至350℃后排空炉内气压，待炉内温度降至约150℃后打开炉门，获取单晶，本发明增加了拉速方法，使得磷化铟单晶在生长过程中的热场更均匀，垂直定向结晶更平稳，生长出的磷化铟单晶更多，晶体合格率更高。
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