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公开(公告)号：CN117265636A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310650628.5
申请日：2023-06-03
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 一种大尺寸VGF法砷化镓的装料装置及装料方法,涉及化合物半导体晶体生长领域，尤其是一种大尺寸VB法和VGF法生长III‑V族单晶生长的一种大尺寸VGF法砷化镓的装料装置及装料方法。本发明的一种大尺寸VGF法砷化镓的装料装置及装料方法，其特征在于该装料装置包括上平台、支撑杆、下平台，上坩埚、下坩埚和石英安瓿瓶，上平台与下平台相对平行设置，支撑杆设置在上平台与下平台之间，上坩埚与下坩埚从上至下放置，石英安瓿瓶安装在下坩埚上。本发明的VGF法砷化镓的装料装置及装料方法，不但能实现大尺寸、质量多的装料难题，而且装料过程简单、快捷，不管是单晶率还是位错均优于传统装料方法。
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公开(公告)号：CN113638048B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110802948.9
申请日：2021-07-15
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司
Abstract: 本发明属于磷化铟单晶制备领域，具体公开一种VGF法生长磷化铟单晶的方法，包括以下步骤：采用VGF法，将原料放入坩埚内并组装单晶生长炉，进行高温退火处理；升温熔料，在加热控制程序中设置加热目标值进行加热和加压；熔种生长，设置生长温度，待籽晶熔融长度达到10‑15mm，进行转肩生长时，坩埚位置开始下降，下降速度不大于2.5mm/h，生长结束后自动停止埚位下降；降温退火，生长结束后自动进入降温退火，温度降至350℃后排空炉内气压，待炉内温度降至约150℃后打开炉门，获取单晶，本发明增加了拉速方法，使得磷化铟单晶在生长过程中的热场更均匀，垂直定向结晶更平稳，生长出的磷化铟单晶更多，晶体合格率更高。
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公开(公告)号：CN113638048A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110802948.9
申请日：2021-07-15
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司
Abstract: 本发明属于磷化铟单晶制备领域，具体公开一种VGF法生长磷化铟单晶的方法，包括以下步骤：采用VGF法，将原料放入坩埚内并组装单晶生长炉，进行高温退火处理；升温熔料，在加热控制程序中设置加热目标值进行加热和加压；熔种生长，设置生长温度，待籽晶熔融长度达到10‑15mm，进行转肩生长时，坩埚位置开始下降，下降速度不大于2.5mm/h，生长结束后自动停止埚位下降；降温退火，生长结束后自动进入降温退火，温度降至350°后排空炉内气压，待炉内温度降至约150°后打开炉门，获取单晶，本发明增加了拉速方法，使得磷化铟单晶在生长过程中的热场更均匀，垂直定向结晶更平稳，生长出的磷化铟单晶更多，晶体合格率更高。
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公开(公告)号：CN105951170A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610495202.7
申请日：2016-06-30
Applicant: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
CPC classification number: C30B11/003 , C30B11/006 , C30B29/08
Abstract: 本发明涉及一种新材料制备技术领域，具体为一种锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法，该装置垂直固定在底座上，其特征在于该生长炉采用圆柱形不锈钢炉体，炉体侧壁自下而上设置若干个加热电极，沿炉体内侧设置环形的保温材料；沿炉体中轴底部设置支撑系统，支撑系统上架设石英异型管，石英异型管内自下而上依次设置下层坩埚、中环、上层坩埚以及封帽，石英异型管上方覆盖石英棉。生长炉针对8英寸锗单晶生长特点，结构精妙，温区设计合理。
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公开(公告)号：CN114318495B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202111581919.0
申请日：2021-12-22
Applicant: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 本专利技术属于化合物半导体晶体生长领域，具体公开一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法，包括支撑系统和石英安瓿瓶，石英安瓿瓶放置于支撑系统上，所述支撑系统包括外保温层，所述外保温层距离顶部和底部一定距离的横截面上设置有第一控温层和第二控温层，所述第一控温层和第二控温层上分别设置有三个间隔120゜阵列分布矩形孔，所述第一控温层上的矩形孔和第二控温层上的6个矩形孔错位按间隔60゜阵列分布，第一控温层与外保温层顶部之间的距离L和第二控温层与外保温层底部之间的距离L相等，且外保温层的外径D与L之间的比例系数为1.5，改进后的保温和散热装置能生长大尺寸、低位错的晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116908133A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310514361.7
申请日：2023-05-09
Applicant: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
IPC: G01N21/3563 , G01N21/3554
Abstract: 基于傅里叶红外吸收光谱仪检测晶体生长用三氧化二硼水含量的方法，属于Ⅲ‑Ⅴ族化合物单晶技术领域，具体涉及Ge、GaAs、InP、GaP、InAs、GaSb等晶体生长用三氧化二硼水含量的检测方法。本发明的检测方法，包括氮气吹扫样品室、采集背景、放置三氧化二硼于支撑底座上、导入背景、采集样品、根据峰面积计算水含量等步骤。本发明通过红外吸收带的波数位置、吸收峰的面积等来鉴定三氧化二硼的水含量，具有用量少、分析速度快、不破坏样品等特点。有效监控三氧化二硼的水含量，有利于生长晶体，使晶体表面光滑、单晶率提高。
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公开(公告)号：CN113981523B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202111179012.1
申请日：2021-10-09
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 不同偏度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法，涉及半导体晶体生长领域，尤其是一种砷化镓单晶的制备技术。本发明的方法包括了籽晶胚的加工和定向、籽晶抛光和清洗、单晶生长等步骤，其中，钻取种子胚大小适中，种子胚比种子小嘴内径小0.025mm‑0.76mm。抛光剂采用溴素和乙醇按体积比2：1‑1：4进行配置。本发明的优点是不同偏角度（100）到（111）偏0°、2°、6°、10°和15°的籽晶生长的砷化镓单晶体与国家标准（GB/T 30856‑2014）对位错的要求相比，其位错非常低、结晶度高。最主要的是晶圆抛光后进行外延，外延淀积速率高,外延层表面质量也较好,外延层的生长参数也易于控制。
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公开(公告)号：CN114318495A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111581919.0
申请日：2021-12-22
Applicant: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 本专利技术属于化合物半导体晶体生长领域，具体公开一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法，包括支撑系统和石英安瓿瓶，石英安瓿瓶放置于支撑系统上，所述支撑系统包括外保温层，所述外保温层距离顶部和底部一定距离的横截面上设置有第一控温层和第二控温层，所述第一控温层和第二控温层上分别设置有三个间隔120゜阵列分布矩形孔，所述第一控温层上的矩形孔和第二控温层上的6个矩形孔错位按间隔60゜阵列分布，第一控温层与外保温层顶部之间的距离L和第二控温层与外保温层底部之间的距离L相等，且外保温层的外径D与L之间的比例系数为1.5，改进后的保温和散热装置能生长大尺寸、低位错的晶体。
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公开(公告)号：CN105154978B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510659597.5
申请日：2015-10-14
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司
Inventor： 卢纪军 , 包文东 , 李苏滨 , 惠峰 , 李雪峰 , 柳廷龙 , 李武芳 , 周一 , 杨海超 , 候振海 , 朱大清 , 董汝昆 , 何永彬 , 田东 , 马会宇 , 肖祥江 , 杨小瑞
Abstract: 一种砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓多晶合成的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，其特征在于该生长方法利用砷化镓多晶磁场生长炉进行合成，砷化镓多晶磁场生长炉包括炉室和磁场装置，炉室呈圆柱形，嵌套于磁场装置中，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制多晶生长。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，降低了固液界面控制的难度，避免了砷泄漏现象的出现概率；提高了高纯砷和高纯镓原料的利用率。
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公开(公告)号：CN105154978A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510659597.5
申请日：2015-10-14
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司
Inventor： 卢纪军 , 包文东 , 李苏滨 , 惠峰 , 李雪峰 , 柳廷龙 , 李武芳 , 周一 , 杨海超 , 候振海 , 朱大清 , 董汝昆 , 何永彬 , 田东 , 马会宇 , 肖祥江 , 杨小瑞
Abstract: 一种砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓多晶合成的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，其特征在于该生长方法利用砷化镓多晶磁场生长炉进行合成，砷化镓多晶磁场生长炉包括炉室和磁场装置，炉室呈圆柱形，嵌套于磁场装置中，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制多晶生长。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，降低了固液界面控制的难度，避免了砷泄漏现象的出现概率；提高了高纯砷和高纯镓原料的利用率。
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