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公开(公告)号：CN113913939B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202111065459.6
申请日：2021-09-10
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法，属于半导体衬底材料制备技术领域。本发明的方法具体为将7N砷化镓多晶和半绝缘砷化镓晶体回料按一定比例配料，利用腐蚀液清洗多晶料及回料表面杂质及附着物，并将砷化镓多晶料、回料、氧化硼、砷在洁净间内装入PBN坩埚，将高纯碳帽套在坩埚颈部，PBN坩埚放置于石英管内，石英管口放置石英封帽，对石英管加热抽真空后封焊，采用VGF工艺进行单晶生长，将所得单晶切除头尾后切片，最后对晶片采用砷压闭管高温退火处理。发明在现有技术基础上，通过对单晶生长过程中碳的掺杂调控，获得原始暗点、颗粒度较低的高质量单晶，有利于进一步降低晶片内的暗点及颗粒度值。
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公开(公告)号：CN112176397B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202011139757.0
申请日：2020-10-22
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司
Abstract: 本发明涉及一种VGF法生长单晶的循环水温控装置及应用，属于半导体材料技术领域，包括单晶炉、循环水系统，所述循环水系统包括循环水箱、主管道、支路管道，循环水依次经主管道、支路管道至单晶炉，经过单晶炉后再依次经支路管道、主管道流回循环水箱，所述单晶炉进水管道上设置有循环水流量调节阀和温控装置，单晶炉出水管道上设置有测温装置，本发明结构可根据上轮的晶体生长结果对下一轮的温场进行微幅度修正，该发明具有降低生产成本、提高单晶率、弥补温场缺陷等作用。
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公开(公告)号：CN113913939A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111065459.6
申请日：2021-09-10
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法，属于半导体衬底材料制备技术领域。本发明的方法具体为将7N砷化镓多晶和半绝缘砷化镓晶体回料按一定比例配料，利用腐蚀液清洗多晶料及回料表面杂质及附着物，并将砷化镓多晶料、回料、氧化硼、砷在洁净间内装入PBN坩埚，将高纯碳帽套在坩埚颈部，PBN坩埚放置于石英管内，石英管口放置石英封帽，对石英管加热抽真空后封焊，采用VGF工艺进行单晶生长，将所得单晶切除头尾后切片，最后对晶片采用砷压闭管高温退火处理。发明在现有技术基础上，通过对单晶生长过程中碳的掺杂调控，获得原始暗点、颗粒度较低的高质量单晶，有利于进一步降低晶片内的暗点及颗粒度值。
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公开(公告)号：CN113174638A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110459963.8
申请日：2021-04-27
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅单晶生长领域，具体公开一种碳化硅晶体的高温二次退火方法，包括以下步骤：装晶体，使用分段式加热程序升温，一阶段升温至1300‑1500℃，二阶段升温至2000℃，然后进行保温，保证温度波动范围在2000±1℃之内，降温：采用阶梯式的降温程序，以每小时降温200W的功率降温10小时，再以每小时降温400W的功率降温10小时；用10小时把功率降到0，晶体在晶炉中经24小时充分冷却后取出，该碳化硅高温二次退火的工艺采用升温、保温、降温的三段式，可更好的释放应力和避免应力进一步发展，而且控温能精确的把温度控制在保温所需的温度要求；在降温阶段通过分阶段冷却保证高温降温慢，低温降温快，减少用时的同时避免应力释放后又重新生成。
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公开(公告)号：CN114622272A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210196199.4
申请日：2022-03-01
Applicant: 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
Abstract: 本发明属于锗单晶生长技术领域，具体公开一种夹渣含杂锗废料除杂方法，包括以下步骤：单晶锗生长废料融化；废料夹渣降温再结晶：锗废料完全融化为熔融态后，调整加热功率使温度下降15℃~50℃，使熔体再结晶；腔室流场控制：经过再结晶处理后的锗熔体，控制压强、坩埚旋转速度，保持真空泵蝶阀的开度为60%~80%；使锗熔体表面的氧化物浮渣向熔体中心移动；浮渣提拉沾附：控制籽晶杆转速，向下移动与浮渣进行接触，提拉籽晶杆，结晶长大到直径80mm~100mm时，结晶体快速冷却，去除杂质，通过本发明的方案，对单晶锗生长过程中产生的夹渣含杂锗废料进行除杂，经过除杂的锗废料，纯度达到6N以上，成为完全符合P型和N型单晶锗直拉法生长所需的原料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113174638B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110459963.8
申请日：2021-04-27
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅单晶生长领域，具体公开一种碳化硅晶体的高温二次退火方法，包括以下步骤：装晶体，使用分段式加热程序升温，一阶段升温至1300‑1500℃，二阶段升温至2000℃，然后进行保温，保证温度波动范围在2000±1℃之内，降温：采用阶梯式的降温程序，以每小时降温200W的功率降温10小时，再以每小时降温400W的功率降温10小时；用10小时把功率降到0，晶体在晶炉中经24小时充分冷却后取出，该碳化硅高温二次退火的工艺采用升温、保温、降温的三段式，可更好的释放应力和避免应力进一步发展，而且控温能精确的把温度控制在保温所需的温度要求；在降温阶段通过分阶段冷却保证高温降温慢，低温降温快，减少用时的同时避免应力释放后又重新生成。
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公开(公告)号：CN111321469A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010262959.8
申请日：2020-04-07
Applicant: 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体公开了一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘及粘接方法，所述籽晶粘接盘包括籽晶和石墨圆板，籽晶粘接于石墨圆板上，所述石墨圆板直径不小于籽晶直径，石墨圆板上设置有数个等间距的凹坑，凹坑外缘与籽晶边缘相切，然后使用粘接剂将籽晶粘接在改造后的粘接盘上，本发明所涉及的籽晶粘接盘结构减小了籽晶粘接应力，使得PVT方法生长出的碳化硅单晶晶体缺陷密度降低，晶体更容易与粘接盘分离。所需结构无须过高成本，却改善了晶体材料的质量，而且可以减少企业的生产成本，使得碳化硅材料在半导体领域的应用中发挥更好更高效的作用。
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公开(公告)号：CN114622272B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210196199.4
申请日：2022-03-01
Applicant: 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
Abstract: 本发明属于锗单晶生长技术领域，具体公开一种夹渣含杂锗废料除杂方法，包括以下步骤：单晶锗生长废料融化；废料夹渣降温再结晶：锗废料完全融化为熔融态后，调整加热功率使温度下降15℃~50℃，使熔体再结晶；腔室流场控制：经过再结晶处理后的锗熔体，控制压强、坩埚旋转速度，保持真空泵蝶阀的开度为60%~80%；使锗熔体表面的氧化物浮渣向熔体中心移动；浮渣提拉沾附：控制籽晶杆转速，向下移动与浮渣进行接触，提拉籽晶杆，结晶长大到直径80mm~100mm时，结晶体快速冷却，去除杂质，通过本发明的方案，对单晶锗生长过程中产生的夹渣含杂锗废料进行除杂，经过除杂的锗废料，纯度达到6N以上，成为完全符合P型和N型单晶锗直拉法生长所需的原料。
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公开(公告)号：CN112176398B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202011139769.3
申请日：2020-10-22
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司
Abstract: 本发明涉及一种VGF法生长单晶的单晶炉结构和温度控制方法，属于半导体材料技术领域，包括炉体外壁、保温层,保温层内包括生长段和炉芯段，生长段横向设置有数组热电偶，每组的两个热电偶测温点对称设置于坩埚两侧，炉芯段纵向设置有数个热电偶，炉芯段第一热电偶其测温点与籽晶段底部平行，第二热电偶其测温点为坩埚的放肩处，第三热电偶其测温点为坩埚转肩处的中部，第三热电偶为热电偶族，从转肩处中部横向形成一个圆形截面，沿其边缘等分设置不少于6个热点偶，本发明通过晶体生长热电偶的损坏情况和成晶情况合理安装热电偶，使得炉膛的使用寿命增加，减少维修次数，避免了由于单一热电偶损坏造成晶体报废，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN113564712A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110911820.6
申请日：2021-08-10
Applicant: 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
Abstract: 碳化硅单晶生长中废料的回收处理方法。本发明属于第三代半导体材料碳化硅单晶生长及加工领域，具体涉及碳化硅单晶生长及加工过程碳化硅废料的回收处理方法，具体包括按顺序依次焙烧脱除碳单质、混酸处理脱除微量元素和碱氧化处理脱除硅单质三个步骤，其中脱除碳单质的方法为将碳化硅废料磨成粒径小于200微米的粉料后，装入石英舟放入管式炉内，管式炉加热到400℃‑600℃，焙烧2h‑5h，设定氧气瓶的通气速率以100kPa‑200kPa的压力值注入，冷却后取出石英舟，获得脱除碳单质的碳化硅废料，本发明方法脱除了碳化硅废料中含量较多的杂质，经以上步骤提纯后得到高纯碳化硅粉料，再把碳化硅粉料利用于碳化硅单晶的生产，以达到碳化硅废料的综合回收再利用，减少了碳化硅废料对环境的污染。
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