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公开(公告)号：CN114808130A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210506066.2
申请日：2022-05-10
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法，涉及半导体材料单晶生长技术领域，具体涉及一种VGF法磷化铟单晶生长所需的多晶料及辅料的装料方法。本发明通过合理分配磷化铟多晶料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于磷化铟多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制，有效提高磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的均匀性。
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公开(公告)号：CN119145039A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411511798.6
申请日：2024-10-28
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种VGF和VB联动的磷化铟单晶生长方法，包括以下步骤：热场校准，热场校准后装料装炉；在PBN坩埚旋转下，通过VGF法调整各温区降温梯度，完成引晶‑放肩阶段晶体生长；恒定热场，采用VB法，通过调整PBN坩埚下降速度完成晶体等径生长；出炉脱模、晶片加工。通过本VGF和VB联动的磷化铟单晶生长方法生产的磷化铟单晶位错密度低，晶体电学参数不均匀性更小，本方法不但为低位错、低应力、高均匀性磷化铟单晶生长提供了新方法，还建立空炉状态下的热场基准校定方法。
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公开(公告)号：CN114808130B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210506066.2
申请日：2022-05-10
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法，涉及半导体材料单晶生长技术领域，具体涉及一种VGF法磷化铟单晶生长所需的多晶料及辅料的装料方法。本发明通过合理分配磷化铟多晶料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于磷化铟多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制，有效提高磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的均匀性。
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公开(公告)号：CN115029783B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210496774.2
申请日：2022-05-09
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法，涉及一种VB法与VGF法结合砷化铟晶体生长装置、装料方法以及晶体生长工艺。所述的生长装置，由加热炉体、热场系统、支撑系统、容器系统和坩埚下降装置组成，所述生长方法，包括装料、装炉、化料、接籽晶、放肩、等径生长、冷却退火步骤。所述的装料容器分为上坩埚、下坩埚和石英安瓿瓶，利用锥形料、圆饼料和梯型料合理的搭配设计，不但能使装料结构稳定、还有助于高温时很好的化料，可以有效提高成晶率31%，通过砷化铟多晶的合成、装料、单晶生长获得籽晶胚、籽晶胚加工获得籽晶，再进行单晶生长，最终生长远低于LEC生长的低位错的砷化铟单晶。
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公开(公告)号：CN116770431A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310847932.9
申请日：2023-07-12
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司
Abstract: 本发明属于半导体材料制备领域，特别涉及一种VB法磷化铟单晶生长装置，包括底座、坩埚、炉体、石英管、加热器、支撑组件、升降旋转组件，所述升降旋转组件分别由两个独立的传动系统控制。本发明还提供了一种VB法磷化铟单晶生长方法，能够配合本发明所提装置制取长度达到150‑200mm的磷化铟单晶。本发明采用独立的坩埚升降和旋转装置，提高了装置运行的稳定性，降低了移动坩埚可能引起的振动，减少扩散边界层并实现液固面稳定、稳定加热和质量输运移减少温度波动，能有效提高单晶合格率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112176397B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202011139757.0
申请日：2020-10-22
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司
Abstract: 本发明涉及一种VGF法生长单晶的循环水温控装置及应用，属于半导体材料技术领域，包括单晶炉、循环水系统，所述循环水系统包括循环水箱、主管道、支路管道，循环水依次经主管道、支路管道至单晶炉，经过单晶炉后再依次经支路管道、主管道流回循环水箱，所述单晶炉进水管道上设置有循环水流量调节阀和温控装置，单晶炉出水管道上设置有测温装置，本发明结构可根据上轮的晶体生长结果对下一轮的温场进行微幅度修正，该发明具有降低生产成本、提高单晶率、弥补温场缺陷等作用。
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公开(公告)号：CN115029783A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210496774.2
申请日：2022-05-09
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法，涉及一种VB法与VGF法结合砷化铟晶体生长装置、装料方法以及晶体生长工艺。所述的生长装置，由加热炉体、热场系统、支撑系统、容器系统和坩埚下降装置组成，所述生长方法，包括装料、装炉、化料、接籽晶、放肩、等径生长、冷却退火步骤。所述的装料容器分为上坩埚、下坩埚和石英安瓿瓶，利用锥形料、圆饼料和梯型料合理的搭配设计，不但能使装料结构稳定、还有助于高温时很好的化料，可以有效提高成晶率31%，通过砷化铟多晶的合成、装料、单晶生长获得籽晶胚、籽晶胚加工获得籽晶，再进行单晶生长，最终生长远低于LEC生长的低位错的砷化铟单晶。
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公开(公告)号：CN114990697B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210506067.7
申请日：2022-05-10
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法，单晶生长所使用的原料全部为单晶生长过程产生的回料。本发明通过控制磷化铟单晶回料的参数要求、合理分配磷化铟单晶回料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制。该装料方法有效利用单晶生长回料，提高原料利用率，大幅减少废料的产生，降低了生产成本，并能提高使用单晶回料所生长的磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的径向均匀性。
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公开(公告)号：CN116908133A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310514361.7
申请日：2023-05-09
Applicant: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
IPC: G01N21/3563 , G01N21/3554
Abstract: 基于傅里叶红外吸收光谱仪检测晶体生长用三氧化二硼水含量的方法，属于Ⅲ‑Ⅴ族化合物单晶技术领域，具体涉及Ge、GaAs、InP、GaP、InAs、GaSb等晶体生长用三氧化二硼水含量的检测方法。本发明的检测方法，包括氮气吹扫样品室、采集背景、放置三氧化二硼于支撑底座上、导入背景、采集样品、根据峰面积计算水含量等步骤。本发明通过红外吸收带的波数位置、吸收峰的面积等来鉴定三氧化二硼的水含量，具有用量少、分析速度快、不破坏样品等特点。有效监控三氧化二硼的水含量，有利于生长晶体，使晶体表面光滑、单晶率提高。
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公开(公告)号：CN116555911A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310385188.5
申请日：2023-04-12
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
Abstract: 磷化铟碎片制备多晶的方法，涉及半导体材料制备技术领域，尤其是一种磷化铟回料制备磷化铟多晶的方法。本发明的方法包括碎片处理、装料入炉、多晶制备及冷却出炉4个步骤。本发明的方法简便易操作，可用现有的高压VGF炉直接制备磷化铟多晶，碎片利用率高，所制备多晶纯度高，达到继续生长单晶的要求，缩减了资源循环利用流程，提高了磷化铟废料的利用率，具有可观的经济效益。
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