Invention Publication
- Patent Title: 磷化铟碎片制备多晶的方法
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Application No.: CN202310385188.5Application Date: 2023-04-12
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Publication No.: CN116555911APublication Date: 2023-08-08
- Inventor: 赵兴凯 , 权忠朝 , 马冬生 , 叶晓达 , 柳旭 , 杨秋云 , 韦华 , 韩家贤 , 王顺金
- Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
- Applicant Address: 云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼;
- Assignee: 云南鑫耀半导体材料有限公司,云南中科鑫圆晶体材料有限公司
- Current Assignee: 云南鑫耀半导体材料有限公司,云南中科鑫圆晶体材料有限公司
- Current Assignee Address: 云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼;
- Agency: 昆明祥和知识产权代理有限公司
- Agent 和琳
- Main IPC: C30B29/40
- IPC: C30B29/40 ; C30B28/08
Abstract:
磷化铟碎片制备多晶的方法，涉及半导体材料制备技术领域，尤其是一种磷化铟回料制备磷化铟多晶的方法。本发明的方法包括碎片处理、装料入炉、多晶制备及冷却出炉4个步骤。本发明的方法简便易操作，可用现有的高压VGF炉直接制备磷化铟多晶，碎片利用率高，所制备多晶纯度高，达到继续生长单晶的要求，缩减了资源循环利用流程，提高了磷化铟废料的利用率，具有可观的经济效益。
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IPC分类:
