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公开(公告)号：CN117219518B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311466364.4
申请日：2023-11-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/473 , H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 本公开涉及微流道基板及其制造方法、晶上封装结构及其制造方法。制造微流道基板的方法包括：形成多个延伸入预制基板的导电通道，及形成至少一个延伸入预制基板的金属翅，其中，导电通道和金属翅均从预制基板的第一侧延伸入预制基板，导电通道的长度大于金属翅的长度；形成从第一侧延伸入预制基板的微流道，得到围绕导电通道的第一翅并使金属翅的至少部分外周面暴露于微流道，其中，微流道的深度小于导电通道的长度；形成位于预制基板的第一侧并电连接于导电通道的第一金属层；从预制基板的背向第一侧的第二侧减薄预制基板，得到基板并使导电通道暴露于第二侧；以及形成位于基板的第二侧并电连接于导电通道的第二金属层。实现高效的散热能力。
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公开(公告)号：CN117080352A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311330498.3
申请日：2023-10-16
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种晶上系统封装结构及其制备方法，包括：第一晶圆基板、第二晶圆基板及芯片。第一晶圆基板包括第一衬底和第一互连层，第一衬底的第二面处设有第一微通道。第二晶圆基板与第一晶圆基板堆叠，第二晶圆基板包括第二衬底和第二互连层，第二衬底的第二面处设有第二微通道，第一微通道和第二微通道互相连通形成微通道散热结构。芯片设置在第一互连层，至少部分芯片设置在微通道散热结构对应的位置。第一晶圆基板和第二晶圆基板具有良好的导热性，可以快速散去芯片产生的热量，第一微通道和第二微通道可以实现对多种预制件的精准散热，进一步提高了散热效果，减小温度不均匀性。
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公开(公告)号：CN116631944B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310912407.0
申请日：2023-07-25
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/768 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种高温压阻特性试样及含有TSV的异形硅转接板制备方法，本发明使用的方法在制造异形结构时避免了传统的机械划片或激光划片时对硅晶圆可能造成的破裂，通过上表面深刻蚀与下表面减薄相结合的方法，实现了异形结构的自动释放分离。同时，本发明面向高温应用提出了与硅通孔TSV工艺兼容的耐高温欧姆接触电极结构硅/二硅化钛/钛/氮化钛/钛/铜，可以用于300℃以上的高温压阻特性的测量。此外，本发明提出的含有TSV的异形硅转接板有利于入射光纤与硅光器件的端面耦合器对准，实现电‑光‑感的三维异构集成系统。
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公开(公告)号：CN116338413B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310623750.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 之江实验室
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请提供一种晶上系统的测试方法及测试装置，该晶上系统的晶圆基板包括若干个互不相连的晶上网络，该测试方法包括：对任一晶上网络施加第一电平信号，同时对余下的晶上网络施加第二电平信号；第一电平信号大于第二电平信号，第一电平信号与第二电平信号之间的压差大于或等于晶圆基板的电源电压，对余下的晶上网络循环执行上述操作；对任一晶上网络输入激励电信号，检测余下的晶上网络的输出电信号并进行电筛选测试，对不符合标准的晶上网络进行标记；对被标记的晶上网络进行修复，若可被修复，则去除标记；若不可被修复，则保留标记。可实现，通过该测试方法筛选出晶圆基板存在的缺陷，确保晶上系统晶圆基板的可靠运行。
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公开(公告)号：CN117003197B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311247135.3
申请日：2023-09-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直法珀腔的可晶上集成的高温惯性芯片制备方法，包括：在单晶硅晶圆上表面深刻蚀质量块填充孔并填充制成质量柱；围绕质量柱的三个侧面深刻蚀形成间隙，并对间隙进行临时填充；在间隙的对侧的单晶硅晶圆上表面刻蚀形成台阶，并在台阶上依次沉积下包层、芯层、上包层，形成光波导；在光波导的出射端面和质量柱之间的台阶顶部深刻蚀深沟槽结构，减薄单晶硅晶圆下表面使深沟槽和质量柱贯穿单晶硅晶圆，并形成垂直敏感结构；用湿法腐蚀从上下两端同时腐蚀减薄质量柱形成质量块；去除临时填充的材料，对得到的芯体结构进行密封，形成垂直法珀腔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116429299A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310686488.7
申请日：2023-06-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种可晶圆系统集成的压力传感芯片制造方法，包括深槽隔离步骤，深刻蚀间隙步骤，电极生长步骤，深刻蚀进气孔步骤，气密封装步骤。本发明在绝缘体上硅晶圆的垂直方向制造深槽平行板电容结构，与传统的在晶圆上下表面水平方向制造压力敏感膜片的方法相比，占用的芯片面积较小；深槽平行板电容结构的真空参考腔需要密封的面积小，并不一定依赖复杂的硅‑硅、硅‑玻璃键合工艺；且垂直方向的压力敏感膜片可以与梳齿式平行板电容结构相结合，形成类似差分式的结构，具有放大压力信号的功能，有利于与信号处理部分在晶圆上实现单片集成。
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公开(公告)号：CN116130436A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211566235.8
申请日：2022-12-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L23/373 , B81C1/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了关于集成多孔微流道散热结构阵列的封装结构及其制备方法，所述封装结构包括晶圆基板，芯片阵列和PCB供电板。晶圆基板为集成了高密度的纳米多孔微流道散热结构阵列和信号传递部分的一体结构。根据不同芯片的功耗，纳米多孔微流道散热结构可设置具有不同通道宽度和孔隙尺寸的微通道，在实现对芯片阵列精准散热的同时，明显减小封装结构的厚度，提高了系统集成度。微流道盖板采用聚二甲基硅氧烷材料，做密封层和应力缓冲层；并且在封装结构制备过程中采用两次临时氮化铝载板键合，可避免大尺寸晶圆基板异质异构集成过程产生的应力积累和基板损坏。
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公开(公告)号：CN115799076B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310052792.6
申请日：2023-02-03
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/48 , G01D21/02 , H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种可测流速压力温度的晶圆系统微流道制造方法，包括：液体传感测量元件制造步骤：在硅晶圆上的微流道中分别沉积温度传感单元和流速传感单元、压力传感单元及对应的水平引线；薄膜沉积步骤：在所述硅晶圆上依次生长牺牲层和二氧化硅层；信号引出步骤：生长垂直引线，将所述硅晶圆上的所述温度传感单元、流速传感单元、压力传感单元通过所述水平引线和垂直引线引到外侧；选择性释放牺牲层步骤：用激光选择性加热或者湿法腐蚀的方法将所述牺牲层选择性去除，形成微流道。该方法在不需要与额外的硅片或玻璃片键合的情况下，就能制造出供冷却液水平方向流动的闭合管路，而且可以实时监测冷却液的温度、流速、压力等物理参数。
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公开(公告)号：CN116130436B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202211566235.8
申请日：2022-12-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L23/373 , B81C1/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了关于集成多孔微流道散热结构阵列的封装结构及其制备方法，所述封装结构包括晶圆基板，芯片阵列和PCB供电板。晶圆基板为集成了高密度的纳米多孔微流道散热结构阵列和信号传递部分的一体结构。根据不同芯片的功耗，纳米多孔微流道散热结构可设置具有不同通道宽度和孔隙尺寸的微通道，在实现对芯片阵列精准散热的同时，明显减小封装结构的厚度，提高了系统集成度。微流道盖板采用聚二甲基硅氧烷材料，做密封层和应力缓冲层；并且在封装结构制备过程中采用两次临时氮化铝载板键合，可避免大尺寸晶圆基板异质异构集成过程产生的应力积累和基板损坏。
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公开(公告)号：CN117466240A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311711891.7
申请日：2023-12-13
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种面向晶上集成的耐高温静电驱动垂直微镜光开关芯片，包括晶圆及其上的固定电极、可静电驱动垂直微镜、反射镜，可静电驱动垂直微镜为悬臂式或梳齿式，可静电驱动垂直微镜或反射镜为平面、凸面或凹面，通过固定电极和可静电驱动垂直微镜之间的排斥或吸引实现出射光线的移动，其中凹面镜或凸面镜实现出射光线角度的偏转，实现光信号切换；光开关芯片的制备工艺包括：在晶圆上表面深刻蚀形成固定电极、垂直微镜及反射镜，对垂直侧壁进行平坦化抛光；在晶圆、固定电极、垂直微镜和反射镜表面沉积二氧化硅绝缘层；在固定电极、垂直微镜及反射镜表面沉积金属层，通过剥离的方法形成互连线及金属化的固定电极、垂直微镜、反射镜。
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