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公开(公告)号：CN116130436B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202211566235.8
申请日：2022-12-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L23/373 , B81C1/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了关于集成多孔微流道散热结构阵列的封装结构及其制备方法，所述封装结构包括晶圆基板，芯片阵列和PCB供电板。晶圆基板为集成了高密度的纳米多孔微流道散热结构阵列和信号传递部分的一体结构。根据不同芯片的功耗，纳米多孔微流道散热结构可设置具有不同通道宽度和孔隙尺寸的微通道，在实现对芯片阵列精准散热的同时，明显减小封装结构的厚度，提高了系统集成度。微流道盖板采用聚二甲基硅氧烷材料，做密封层和应力缓冲层；并且在封装结构制备过程中采用两次临时氮化铝载板键合，可避免大尺寸晶圆基板异质异构集成过程产生的应力积累和基板损坏。
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公开(公告)号：CN116399489B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310680812.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种面向晶上系统集成的高温硅基光电压力传感芯片，其制备方法包括：法珀腔深刻蚀步骤、牺牲层填充步骤、光波导制造步骤、牺牲层释放步骤、气密封装步骤。本发明采用微电子深刻蚀方法，直接在绝缘体上硅晶圆上制造垂直方向的法珀腔，并利用绝缘体上硅晶圆的器件层单晶硅和埋氧层二氧化硅制造光束传输的硅基光波导，与微电子工艺完全兼容，具有更高的生产效率。同时，本发明的制造工艺直接在硅晶圆上制造硅基光电子传感芯片，有利于硅基微电子芯片在晶圆上实现光电混合的单片集成，进一步提升了系统的性能。此外，本发明在晶圆上制造硅基法珀压力传感芯片，可以在120℃以上的高温环境中工作。
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公开(公告)号：CN116153860B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310397169.4
申请日：2023-04-10
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/768 , H01L23/52
Abstract: 本发明涉及一种晶圆级铜铜凸点互连结构及其键合方法。所述键合方法包括如下步骤：于背景气体下，在晶圆的铜凸点表面，采用能量功率为100mJ‑300mJ的脉冲激光溅射沉积纳米铜层，得到结构晶圆；将纳米铜浆料涂覆于所述结构晶圆中的纳米铜层表面，得到预处理晶圆，其中，所述纳米铜浆料包括纳米铜粉、还原剂、固化剂以及有机溶剂；在还原性气氛中，将另一所述结构晶圆与所述预处理晶圆倒装热压贴合，经热处理固化后冷却静置，完成晶圆级铜铜凸点互连结构的键合。所述键合方法无需引入除铜之外的其他金属就可以实现铜凸点之间的稳定键合，显著提高键合的可靠性，保证良好的导电效果。
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公开(公告)号：CN116425110A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310686427.0
申请日：2023-06-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种具有差分结构的高温光电压力传感芯片的晶圆级制造方法，采用微电子深刻蚀方法，直接在单晶硅晶圆上制造垂直方向的法珀腔，同时在硅晶圆上制造水平方向的光束传输的硅基条形波导，形成硅基法珀式压力传感器，器件具有单侧结构，具有进一步放大压力信号的功能。制造方法与微电子工艺完全兼容，可以满足大规模批量化生产的需求，且可以实现电‑光‑传感的晶上系统集成。此外，本发明的器件结构和制造工艺中没有易受温度影响的硅基掺杂工艺和金属化工艺，可以在接近硅基材料弹性形变极限温度的高温环境中工作。
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公开(公告)号：CN115323470A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211239595.7
申请日：2022-10-11
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及晶圆封装领域，尤其涉及一种实现多片晶圆电镀的装置，包括电镀槽，放置在电镀槽内的设置成多层结构的晶圆底座，与所述晶圆底座配合设置的并联连接的电极结构，以及与晶圆位置对应的阳极金属条。本发明利用晶圆底座分层结构，实现多片晶圆同时电镀，既节约电镀时间，又可以有效避免电镀溶液的污染与浪费；利用环形电极阵列，实现电镀沉积，既可以稳定晶圆，又可以保证电镀质量，提高电镀晶圆表面的均匀性；利用晶圆底座的稳定，可以实施与传统方式不同的电镀方法，将晶圆表面保持水平状态，针对大尺寸晶圆电镀，可以有效节省电镀溶液，节约成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117219518B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311466364.4
申请日：2023-11-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/473 , H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 本公开涉及微流道基板及其制造方法、晶上封装结构及其制造方法。制造微流道基板的方法包括：形成多个延伸入预制基板的导电通道，及形成至少一个延伸入预制基板的金属翅，其中，导电通道和金属翅均从预制基板的第一侧延伸入预制基板，导电通道的长度大于金属翅的长度；形成从第一侧延伸入预制基板的微流道，得到围绕导电通道的第一翅并使金属翅的至少部分外周面暴露于微流道，其中，微流道的深度小于导电通道的长度；形成位于预制基板的第一侧并电连接于导电通道的第一金属层；从预制基板的背向第一侧的第二侧减薄预制基板，得到基板并使导电通道暴露于第二侧；以及形成位于基板的第二侧并电连接于导电通道的第二金属层。实现高效的散热能力。
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公开(公告)号：CN117080352A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311330498.3
申请日：2023-10-16
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种晶上系统封装结构及其制备方法，包括：第一晶圆基板、第二晶圆基板及芯片。第一晶圆基板包括第一衬底和第一互连层，第一衬底的第二面处设有第一微通道。第二晶圆基板与第一晶圆基板堆叠，第二晶圆基板包括第二衬底和第二互连层，第二衬底的第二面处设有第二微通道，第一微通道和第二微通道互相连通形成微通道散热结构。芯片设置在第一互连层，至少部分芯片设置在微通道散热结构对应的位置。第一晶圆基板和第二晶圆基板具有良好的导热性，可以快速散去芯片产生的热量，第一微通道和第二微通道可以实现对多种预制件的精准散热，进一步提高了散热效果，减小温度不均匀性。
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公开(公告)号：CN116631944B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310912407.0
申请日：2023-07-25
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/768 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种高温压阻特性试样及含有TSV的异形硅转接板制备方法，本发明使用的方法在制造异形结构时避免了传统的机械划片或激光划片时对硅晶圆可能造成的破裂，通过上表面深刻蚀与下表面减薄相结合的方法，实现了异形结构的自动释放分离。同时，本发明面向高温应用提出了与硅通孔TSV工艺兼容的耐高温欧姆接触电极结构硅/二硅化钛/钛/氮化钛/钛/铜，可以用于300℃以上的高温压阻特性的测量。此外，本发明提出的含有TSV的异形硅转接板有利于入射光纤与硅光器件的端面耦合器对准，实现电‑光‑感的三维异构集成系统。
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公开(公告)号：CN116338413B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310623750.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 之江实验室
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请提供一种晶上系统的测试方法及测试装置，该晶上系统的晶圆基板包括若干个互不相连的晶上网络，该测试方法包括：对任一晶上网络施加第一电平信号，同时对余下的晶上网络施加第二电平信号；第一电平信号大于第二电平信号，第一电平信号与第二电平信号之间的压差大于或等于晶圆基板的电源电压，对余下的晶上网络循环执行上述操作；对任一晶上网络输入激励电信号，检测余下的晶上网络的输出电信号并进行电筛选测试，对不符合标准的晶上网络进行标记；对被标记的晶上网络进行修复，若可被修复，则去除标记；若不可被修复，则保留标记。可实现，通过该测试方法筛选出晶圆基板存在的缺陷，确保晶上系统晶圆基板的可靠运行。
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公开(公告)号：CN117246976A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311533163.1
申请日：2023-11-17
Applicant: 之江实验室
IPC: B81C3/00 , B81C1/00 , H01L23/473
Abstract: 本公开涉及晶上集成结构及其形成方法。该用于形成晶上集成结构的方法包括：在第一基板形成锁孔结构，形成锁孔结构的步骤包括：形成从基板的键合面延伸入基板的键合槽；形成多个从键合槽延伸入基板的键合孔；形成低陷在键合槽内的金属层结构；在第二基板形成凸闩结构，形成凸闩结构的步骤包括：形成层叠于基板的金属焊盘，其中，金属焊盘的外周与对应的键合槽的槽壁匹配；形成多个层叠于金属焊盘的金属凸点，金属焊盘处金属凸点的位置与对应的键合槽内键合孔的位置匹配；形成延伸入基板的流道结构；将金属焊盘对接于键合槽内；以及将凸闩结构键合于锁孔结构。该方法执行简单。此外，该方法能够将两个基板牢固可靠地连接。
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