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公开(公告)号：CN117234310A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311508903.6
申请日：2023-11-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种针对晶上处理器的辅助系统，该系统主要由水冷结构件基座、晶圆连接器、高速供电底板、晶上系统管理单元、加强筋和晶上供电子系统组成。其中高速供电底板上采用中心安装供电阵列、四边安装对外高速互连接口阵列、四个角落安装区域管理单元的布局，晶上供电子系统采用3D堆叠垂直供电架构，其供电单元阵列中内含多层水冷散热结构件。本发明可提升晶上系统的计算密度、功率密度和对外通信带宽，降低供电子系统的配电损耗，增强供电子系统的散热密度和安装维护的便捷性。
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公开(公告)号：CN116108796A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310223644.6
申请日：2023-03-02
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F30/392 , G06F30/394
Abstract: 本说明书公开了一种晶圆基板版图生成方法、装置、设备及存储介质，可以通过将组成晶圆基板的各层结构划分为两个不同的模块，并且在生成第一适配模块和结构模块对应的版图时可以分别基于不同的光刻工艺进行生成，通过第一适配模块在结构模块和异质异构芯粒之间进行适配，通过结构模块实现对应的结构功能连接，以及通过第二适配模块在结构模块和辅助供电板之间进行适配，进而使得可以生成能够适配于各种异质异构芯粒的晶圆基板版图。
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公开(公告)号：CN114899185B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210812604.0
申请日：2022-07-12
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L25/18 , H01L25/16 , H01L21/60 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种适用于晶圆级异质异构芯粒的集成结构和集成方法，包括异质异构芯粒、硅转接板、晶圆基板以及芯粒配置基板，硅转接板上表面具有异构的微凸点用于键合异质异构芯粒，与一组异质异构芯粒键合形成标准集成件，硅转接板下表面具有统一标准化的微焊盘，与晶圆基板上表面的标准集成区域连接，标准及城区通过重布线层和统一标准化的微凸点阵列形成，晶圆基板利用其底部硅通孔与芯粒配置基板连接，芯粒配置基板为有机材料制作，其底部完成大型功率器件以及接插件的集成。本发明解决了因晶圆厂晶圆制备过程中光罩图案无法频繁更换的工艺流程的问题，从而为晶圆级的异质异构芯粒拼装集成提供高效可行的技术保障。
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公开(公告)号：CN114864525B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210796930.7
申请日：2022-07-08
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/485 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L21/768 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了适用于晶上集成的晶圆基板标准集成区域布线结构与方法，包括核心电压网络、互连信号网络、时钟信号网络、以及地线网络，核心电压网络与互连信号网络同属于顶层金属层，时钟信号网络位于中层金属层，地线网络位于底层金属层。标准集成区域向上提供的管脚包括核心电压管脚、互连信号管脚、时钟信号管脚、地线管脚、复杂功能管脚，复杂功能管脚由晶圆底部TSV直接连接到系统外部，其余管脚通过所属信号网络实现连接；核心电压管脚与地线管脚采用条纹交错的方式分布在中心对称的井字形核心电压区内，互连信号管脚分布在标准集成区域四周的互连信号区。本发明解决了因布线层数多、布线缺乏规划引起的晶圆基板金属走线良率低的问题。
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公开(公告)号：CN116016330B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202310004859.9
申请日：2023-01-03
Applicant: 之江实验室
IPC: H04L45/48 , H04L45/128 , H04L45/243
Abstract: 本说明书公开了一种针对非直连拓扑网络的数据传输方法，可以在非直连拓扑网络中确定源节点和该源节点对应的目的节点，源节点用于向目的节点发送数据；以源节点为树的根节点，采用不同的搜索算法确定出各搜索树，而后，可以根据各搜索树，确定将源节点所发送的数据传输到目的节点所采用的各路由路径，以通过各路由路径，将从源节点发送的各数据包传输给目的节点，其中，传输不同数据包时所采用的路由路径不完全相同，从而达到降低阻塞的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117201334B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311481132.6
申请日：2023-11-08
Applicant: 之江实验室
IPC: H04L41/147 , H04L41/142
Abstract: 本说明书公开了一种多模态网络流量预测方法及装置。所述任务执行方法包括：将获取到的多模态网络中的历史整体流量数据输入到每个模态网络所对应的流量预测模型中，以针对每个模态网络，通过该模态网络对应的流量预测模型，对多模态网络在预设时间段内整体所产生的流量进行预测，得到该模态网络对应的流量预测模型所输出的流量预测值，作为该模态网络对应的流量预测值。再根据每个模态网络下所产生的历史流量数据在历史整体流量数据中的占比，确定出每个模态网络对应的流量预测值的权重，进而根据每个模态网络对应的流量预测值的权重以及每个模态网络对应的流量预测值，得到预测出的多模态网络在预设时间段内整体所产生的流量值。
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公开(公告)号：CN117201334A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311481132.6
申请日：2023-11-08
Applicant: 之江实验室
IPC: H04L41/147 , H04L41/142
Abstract: 本说明书公开了一种多模态网络流量预测方法及装置。所述任务执行方法包括：将获取到的多模态网络中的历史整体流量数据输入到每个模态网络所对应的流量预测模型中，以针对每个模态网络，通过该模态网络对应的流量预测模型，对多模态网络在预设时间段内整体所产生的流量进行预测，得到该模态网络对应的流量预测模型所输出的流量预测值，作为该模态网络对应的流量预测值。再根据每个模态网络下所产生的历史流量数据在历史整体流量数据中的占比，确定出每个模态网络对应的流量预测值的权重，进而根据每个模态网络对应的流量预测值的权重以及每个模态网络对应的流量预测值，得到预测出的多模态网络在预设时间段内整体所产生的流量值。
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公开(公告)号：CN116338413B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310623750.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 之江实验室
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请提供一种晶上系统的测试方法及测试装置，该晶上系统的晶圆基板包括若干个互不相连的晶上网络，该测试方法包括：对任一晶上网络施加第一电平信号，同时对余下的晶上网络施加第二电平信号；第一电平信号大于第二电平信号，第一电平信号与第二电平信号之间的压差大于或等于晶圆基板的电源电压，对余下的晶上网络循环执行上述操作；对任一晶上网络输入激励电信号，检测余下的晶上网络的输出电信号并进行电筛选测试，对不符合标准的晶上网络进行标记；对被标记的晶上网络进行修复，若可被修复，则去除标记；若不可被修复，则保留标记。可实现，通过该测试方法筛选出晶圆基板存在的缺陷，确保晶上系统晶圆基板的可靠运行。
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公开(公告)号：CN114823592A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210758528.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开一种晶上系统结构及其制备方法，该结构包括晶圆基板、集成芯粒、系统配置板和系统散热模组。所述晶圆基板和集成芯粒通过晶圆基板上表面的晶圆微凸点阵列和集成芯粒下表面的芯粒微凸点阵列键合相连；所述晶圆基板和系统配置板通过晶圆基板上的铜柱阵列和系统配置板下表面的焊盘键合相连；晶圆基板和系统配置板之间设有塑封层，塑封晶圆基板、集成芯粒和铜柱阵列；所述集成芯粒之间通过晶圆基板的顶部设置的重布线层电连接；所述系统配置板通过所述重布线层以及铜柱阵列与集成芯粒电连接；所述系统散热模组贴合在晶圆基板的下表面。本发明解决了SoW制备良率的忧虑和高密度TSV带来的晶圆可靠性的问题。
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公开(公告)号：CN117234310B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311508903.6
申请日：2023-11-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种针对晶上处理器的辅助系统，该系统主要由水冷结构件基座、晶圆连接器、高速供电底板、晶上系统管理单元、加强筋和晶上供电子系统组成。其中高速供电底板上采用中心安装供电阵列、四边安装对外高速互连接口阵列、四个角落安装区域管理单元的布局，晶上供电子系统采用3D堆叠垂直供电架构，其供电单元阵列中内含多层水冷散热结构件。本发明可提升晶上系统的计算密度、功率密度和对外通信带宽，降低供电子系统的配电损耗，增强供电子系统的散热密度和安装维护的便捷性。
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