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公开(公告)号：CN114520212B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210413421.1
申请日：2022-04-20
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/66 , H01L23/14 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种支持高速信号传输的宽频芯片封装结构，该结构支持信号的高速传输，可以改善目前绑定金线连接结构带来的带宽限制。该宽频芯片封装结构采用芯片倒装结构、共面波导结构、开槽结构，以及绑定金线连接结构，可缩短信号传输的间距，较少信号传输的阻抗不连续性，提高散热特性，以及改善信号地连接。通过以上措施来提升信号带宽，满足高速信号传输需求。同时，该结构具备较低金属剖面特点，连接灵活方便，适合在硅基、印制电路板等平台上来开展芯片的高密度封装，为芯片高速封装提供了一种切实可行的技术手段。
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公开(公告)号：CN114520212A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210413421.1
申请日：2022-04-20
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/66 , H01L23/14 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种支持高速信号传输的宽频芯片封装结构，该结构支持信号的高速传输，可以改善目前绑定金线连接结构带来的带宽限制。该宽频芯片封装结构采用芯片倒装结构、共面波导结构、开槽结构，以及绑定金线连接结构，可缩短信号传输的间距，较少信号传输的阻抗不连续性，提高散热特性，以及改善信号地连接。通过以上措施来提升信号带宽，满足高速信号传输需求。同时，该结构具备较低金属剖面特点，连接灵活方便，适合在硅基、印制电路板等平台上来开展芯片的高密度封装，为芯片高速封装提供了一种切实可行的技术手段。
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公开(公告)号：CN116207609A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310466256.0
申请日：2023-04-27
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于键合结构的温度不敏感型硅光发射芯片，其特征在于，包括依次连接的激光器、硅光调制器、温度不敏感型阵列波导光栅和光发射芯片输出端，其中所述激光器和硅光调制器均设置有若干个，且所述激光器和所述硅光调制器一对一连接；所述激光器为相移光栅型分布反馈激光器，所述激光器与所述硅光调制器间通过苯并环丁烯材料键合，所述温度不敏感型阵列波导光栅通过硅波导实现，相邻阵列波导间存在长度差△L，每根阵列波导由粗波导和细波导级联而成。
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公开(公告)号：CN115222035B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211146164.6
申请日：2022-09-20
Applicant: 之江实验室
IPC: G06N3/067
Abstract: 本发明公开了一种光子神经网络卷积加速芯片，适用于所有包含卷积运算的深度学习网络。本发明光子神经网络卷积加速芯片由完成卷积加速运算的调制器、耦合器、波分延时加权单元及平衡光电探测器一体化集成。本发明基于波分复用技术将待处理信号分别加载到多个光载波上，通过解波分复用、光幅度控制与延迟波导实现不同载波信号的卷积核系数加权与时间交织，通过平衡光电探测器实现加权后求和运算。本发明利用一对集成波分延时加权单元即可实现任意实数卷积核矩阵系数的构建，结合延时可完成任意信号的卷积加速运算。将光作为信息载体，可实现低功耗、高速率卷积运算。
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公开(公告)号：CN114779398B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210696520.5
申请日：2022-06-20
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于逆向设计的粗波分复用硅光发射芯片，包括：若干依次连接的垂直耦合光栅、多模干涉器和串联推挽型调制器、逆向设计的粗波分复用器和光发射芯片输出端。该芯片可用在光模块中的光发射芯片，在较小器件尺寸下能够对高速电信号调制，解决了器件插入损耗较大、尺寸较大和调制带宽较低等问题。逆向设计的垂直耦合光栅减小耦合损耗且适当的减小尺寸，耦合损耗约‑1.8 dB，耦合区长度仅为10‑15μm；串联推挽调制器有效增大器件的调制带宽，电光带宽可超过35 GHz；逆向设计的粗波分复用器明显减小器件的尺寸，器件尺寸小于15×15μm2,信道间串扰较小，小于‑16 dB。提出的器件具有尺寸小、耦合效率高、电光带宽高和低串扰等优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113253286A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110765357.9
申请日：2021-07-07
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于注入锁定倍频的相干微波光子雷达探测方法及系统，该方法利用基带信号调制光载波生成包含多个高阶边带的调制光信号，调制光信号分成两路分别注入两个从激光器进行高阶边带注入锁定获得两个锁定边带光信号；选择其中一个锁定边带光信号分为两路，一路作为接收光信号对雷达回波接收得到雷达接收光信号，另一路与另一个锁定边带光信号合为一起后分为两路，一路经光电转换后获得倍频雷达发射信号；另一路与雷达接收光信号实现雷达回波信号的相干接收，得到中频信号，提取可获得探测目标信息。本发明通过光子注入锁定技术及光子相干接收技术，可实现倍频可重构雷达信号产生及相干接收，雷达系统参数灵活可调，抗干扰能力强。
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公开(公告)号：CN117270123B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311568140.4
申请日：2023-11-23
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/42 , H01L27/144 , G02B6/14 , H04B10/50 , H04B10/60 , H04B10/2575
Abstract: 本发明公开了一种多通道光电收发集成系统，基于硅基设计的光电传输结构，本发明实现了在同一种结构下光电的相互作用，包括光电调制与光电解调。通过设计光电传输结构的物理尺寸与电磁传输特性，实现了其与不同类型的外部电放大芯片的尺寸匹配与电性能匹配，并构建了多通道的光电收发集成系统，可用于多通道高速光电信号的传输。本发明公开的一种多通道光电收发集成系统具有光电收发一体集成特点，集成程度高，采用同一种工艺即可实现光电的相互转化作用，避免了不同工艺带来的异质集成问题，有利于未来更大规模的光电集成与高速信号传输。
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公开(公告)号：CN117003197A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311247135.3
申请日：2023-09-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直法珀腔的可晶上集成的高温惯性芯片制备方法，包括：在单晶硅晶圆上表面深刻蚀质量块填充孔并填充制成质量柱；围绕质量柱的三个侧面深刻蚀形成间隙，并对间隙进行临时填充；在间隙的对侧的单晶硅晶圆上表面刻蚀形成台阶，并在台阶上依次沉积下包层、芯层、上包层，形成光波导；在光波导的出射端面和质量柱之间的台阶顶部深刻蚀深沟槽结构，减薄单晶硅晶圆下表面使深沟槽和质量柱贯穿单晶硅晶圆，并形成垂直敏感结构；用湿法腐蚀从上下两端同时腐蚀减薄质量柱形成质量块；去除临时填充的材料，对得到的芯体结构进行密封，形成垂直法珀腔。
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公开(公告)号：CN116500814B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310750843.2
申请日：2023-06-25
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于全光线性化的高线性硅基薄膜铌酸锂调制芯片及方法，属于射频无线通信技术领域。外部激光器输出的光信号经端面耦合器输入到本发明的调制器芯片中，先经硅基热光功分器分成两路，分别输入到两个相同的调制深度可调的硅基铌酸锂薄膜马赫曾德尔调制器中。将两个马赫曾德尔调制器的工作点设置在相反的两个正交偏置点，通过调控输入到两个马赫曾德尔调制器的光功率分配比以及各自的调制深度，使两个马赫曾德尔调制器产生的三阶交调信号相互抵消，从而实现基于全光线性化的高线性调制。本发明能够极大降低链路噪声系数，进而大幅提升其所在额微波光子系统的动态范围SFDR3。
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公开(公告)号：CN116633427A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310669319.2
申请日：2023-06-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H04B10/032 , H04B10/079 , H04B10/40 , H04B10/50 , H04B10/572
Abstract: 本发明公开了一种基于微环谐振器的自愈光传输系统，该传输系统的两侧通信端均包括发射部分、接收部分、控制系统、微环谐振器等部分，其中发射部分使用波长可调谐激光器作为光源，控制系统可调节激光器和微环谐振器的工作状态和波长；正常工作状态，激光器与微环谐振器的工作波长不一致，本系统双纤双向传输；若某一通信链路故障或维护时，调节激光器或微环谐振器的工作波长，进行链路切换，实现单纤双向传输，完成系统自愈或方便链路维护；本系统还支持链路中断位置定位功能。本发明在当前双纤双向传输的基础上实现了光传输系统的自愈功能、无业务中断感知的链路维护切换功能、中断位置定位功能，具有集成度高、响应快、可靠性高等优点。
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