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公开(公告)号：CN118740366B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411225117.X
申请日：2024-09-03
Applicant: 中国汽车技术研究中心有限公司 , 中汽研软件测评(天津)有限公司
Abstract: 本发明涉及集成电路安全和电源毛刺故障注入技术领域，公开了针对密码芯片的高时间精度电源毛刺故障注入方法及装置，设置电源毛刺故障注入装置的参数，通过电脑对待测试密码芯片进行初始化配置，根据电源毛刺电压和目标指令，确定电源毛刺的故障注入时间；通过电脑设置电源毛刺的故障注入时间，控制高压脉冲发生器产生电源毛刺故障，并注入所述待测试密码芯片，判断并记录有效错误密文；通过多次电源毛刺故障注入，获取待测试密码芯片在输入不同的明文时产生的有效错误密文；根据差分故障分析有效错误密文，破解待测试密码芯片的密钥信息，能够在对密码芯片进行电源毛刺故障注入时，更加精准的控制注入时间点。
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公开(公告)号：CN118777844B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411244330.5
申请日：2024-09-06
Applicant: 中国汽车技术研究中心有限公司 , 中汽研软件测评(天津)有限公司
Abstract: 本发明涉及集成电路安全和电磁故障注入技术领域，公开了一种针对密码芯片的高时间精度电磁故障注入方法及装置，方法包括：通过上位机对待攻击密码芯片进行初始化；根据电磁脉冲信号的尖峰时间和上升时间确定故障注入时间；在故障注入时间对待攻击密码芯片的目标位置进行故障注入；待完成一次故障注入后，判断该次故障注入是否为有效故障注入；将待攻击密码芯片初始化，改变待攻击密码芯片的输入明文；重新执行上述步骤；根据待攻击密码芯片在不同的明文下输出的有效错误密文，通过差分故障分析法破解待攻击密码芯片的密钥信息。本发明能够更加精准地控制故障注入的时间，提高差分故障分析的分析效率和效果，提高有效故障注入的成功率。
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公开(公告)号：CN118740366A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411225117.X
申请日：2024-09-03
Applicant: 中国汽车技术研究中心有限公司 , 中汽研软件测评(天津)有限公司
Abstract: 本发明涉及集成电路安全和电源毛刺故障注入技术领域，公开了针对密码芯片的高时间精度电源毛刺故障注入方法及装置，设置电源毛刺故障注入装置的参数，通过电脑对待攻击密码芯片进行初始化配置，根据电源毛刺电压和目标指令，确定电源毛刺的故障注入时间；通过电脑设置电源毛刺的故障注入时间，控制高压脉冲发生器产生电源毛刺故障，并注入所述待攻击密码芯片，判断并记录有效错误密文；通过多次电源毛刺故障注入，获取待攻击密码芯片在输入不同的明文时产生的有效错误密文；根据差分故障分析有效错误密文，破解待攻击密码芯片的密钥信息，能够在对密码芯片进行电源毛刺故障注入时，更加精准的控制注入时间点。
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公开(公告)号：CN119254407A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411779519.4
申请日：2024-12-05
Applicant: 中汽研软件测评(天津)有限公司
Abstract: 本申请涉及芯片测试技术领域，具体而言，涉及一种针对SM4‑XTS高阶侧信道分析抵抗能力的安全评估方法和设备。该方法包括：根据假设的tweak调整值、输入SM4‑XTS加密电路的明文和高阶泄露模型，得到相邻轮次的tweak调整值对应的汉明重量的差值序列；持续向SM4‑XTS加密电路发送随机激励，获取侧信道数据集；根据汉明重量的差值序列与所述侧信道信息差序列是否具有相同的统计学分布，对SM4‑XTS加密电路进行安全性评估。本申请实现对SM4‑XTS加密电路的抗高阶侧信道分析的能力进行测试，验证安全芯片的物理安全性，从而推动防护技术的进一步发展。
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公开(公告)号：CN119254407B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411779519.4
申请日：2024-12-05
Applicant: 中汽研软件测评(天津)有限公司
Abstract: 本申请涉及芯片测试技术领域，具体而言，涉及一种针对SM4‑XTS高阶侧信道分析抵抗能力的安全评估方法和设备。该方法包括：根据假设的tweak调整值、输入SM4‑XTS加密电路的明文和高阶泄露模型，得到相邻轮次的tweak调整值对应的汉明重量的差值序列；持续向SM4‑XTS加密电路发送随机激励，获取侧信道数据集；根据汉明重量的差值序列与所述侧信道信息差序列是否具有相同的统计学分布，对SM4‑XTS加密电路进行安全性评估。本申请实现对SM4‑XTS加密电路的抗高阶侧信道分析的能力进行测试，验证安全芯片的物理安全性，从而推动防护技术的进一步发展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118764423B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411225116.5
申请日：2024-09-03
Applicant: 中国汽车技术研究中心有限公司 , 中汽研软件测评(天津)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种针对密码芯片的高空间精度电磁故障注入方法，涉及集成电路安全和电磁故障注入技术领域。针对目前的电磁故障注入技术在空间精度上存在不足，无法精确控制故障注入的位置，导致测试效果受限的问题，本发明根据目标芯片的物理结构和集成电路特性，调整电磁探头的空间位置，包括X、Y、Z三个维度的精确定位以及与芯片表面的角度，使得电磁故障注入更加精确地作用于芯片的关键区域，从而提高了故障注入的针对性和效率；同时收集同一密钥在不同的输入明文下输出的错误密文，利用差分故障分析（DFA）破解密码芯片的密钥信息，有助于密码芯片设计者针对电磁故障注入，及时改善防护措施，增强芯片的安全性。
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公开(公告)号：CN118777844A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411244330.5
申请日：2024-09-06
Applicant: 中国汽车技术研究中心有限公司 , 中汽研软件测评(天津)有限公司
Abstract: 本发明涉及集成电路安全和电磁故障注入技术领域，公开了一种针对密码芯片的高时间精度电磁故障注入方法及装置，方法包括：通过上位机对待攻击密码芯片进行初始化；根据电磁脉冲信号的尖峰时间和上升时间确定故障注入时间；在故障注入时间对待攻击密码芯片的目标位置进行故障注入；待完成一次故障注入后，判断该次故障注入是否为有效故障注入；将待攻击密码芯片初始化，改变待攻击密码芯片的输入明文；重新执行上述步骤；根据待攻击密码芯片在不同的明文下输出的有效错误密文，通过差分故障分析法破解待攻击密码芯片的密钥信息。本发明能够更加精准地控制故障注入的时间，提高差分故障分析的分析效率和效果，提高有效故障注入的成功率。
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公开(公告)号：CN118764423A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411225116.5
申请日：2024-09-03
Applicant: 中国汽车技术研究中心有限公司 , 中汽研软件测评(天津)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种针对密码芯片的高空间精度电磁故障注入方法，涉及集成电路安全和电磁故障注入技术领域。针对目前的电磁故障注入技术在空间精度上存在不足，无法精确控制故障注入的位置，导致攻击效果受限的问题，本发明根据目标芯片的物理结构和集成电路特性，调整电磁探头的空间位置，包括X、Y、Z三个维度的精确定位以及与芯片表面的角度，使得电磁故障注入更加精确地作用于芯片的关键区域，从而提高了故障注入的针对性和效率；同时收集同一密钥在不同的输入明文下输出的错误密文，利用差分故障分析（DFA）破解密码芯片的密钥信息，有助于密码芯片设计者针对电磁故障注入，及时改善防护措施，增强芯片的安全性。
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公开(公告)号：CN116400200B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310651545.8
申请日：2023-06-05
Applicant: 中国汽车技术研究中心有限公司 , 中汽研软件测评(天津)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种车规级安全芯片的电磁侧信道信息的交叉验证方法，涉及芯片测试技术领域，通过将q条测试明文均输入至M颗同批次同型号的待测芯片中，通过对不同待测芯片同一条测试明文同一个网格化区域的曲线特征值进行异或操作，对各待测芯片进行批量交叉验证，实现了批量级、区域级的测试；同时在考虑到不同区域电磁信号噪声不同的情况，采用针对不同区域的去噪策略，实现了精细化去噪，批量化去噪也提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN116400200A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310651545.8
申请日：2023-06-05
Applicant: 中国汽车技术研究中心有限公司 , 中汽研软件测评(天津)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种车规级安全芯片的电磁侧信道信息的交叉验证方法，涉及芯片测试技术领域，通过将q条测试明文均输入至M颗同批次同型号的待测芯片中，通过对不同待测芯片同一条测试明文同一个网格化区域的曲线特征值进行异或操作，对各待测芯片进行批量交叉验证，实现了批量级、区域级的测试；同时在考虑到不同区域电磁信号噪声不同的情况，采用针对不同区域的去噪策略，实现了精细化去噪，批量化去噪也提高了测试效率。
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