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公开(公告)号：CN106932706B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201511029918.X
申请日：2015-12-31
Applicant: 中国运载火箭技术研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 一种陶瓷封装单片集成电路结构分析方法，包括对陶瓷封装单片集成电路元件形态、外壳、内部互联、内部环境、芯片进行分析。解决目前元器件结构分析对设计、结构、材料、工艺等要素分析覆盖性不足的问题。对于全部要素的分析，可给出评价器件可靠性及对特定应用环境适应性的结论，并且能根据实际应用给出合理改进建议。同时，对要素的分析更关注所用材料、工艺及结构对实际应用的影响，有效避免了现有结构分析方法和DPA的分析覆盖性不足。
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公开(公告)号：CN103576009B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201210250669.7
申请日：2012-07-19
Applicant: 中国运载火箭技术研究院
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及元器件可靠性技术领域，具体公开了一种多层瓷介电容器加速贮存寿命试验方法。该方法具体为：1、对多层瓷介电容器在多个高温点下进行贮存试验，获得该电容器电容量退化线性曲线；2、根据退化数据，获得在预设时间内电容量的退化量；3、根据退化线性方程，获得电容量达到电容器在规定时间内电容量的退化量时的时间，并拟合获得时间?温度曲线；4、利用步骤3中获得的时间?温度曲线线性方程，获得常温下电容器电容量达到步骤2中电容器在规定时间内电容量的退化量时的时间，从而判断步骤2中获得该电容器电容量退化量所需时间的合理性。本发明可在高温点加速条件下，在较短的时间内获得准确的贮存试验结果，且在实际条件下可实施。
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公开(公告)号：CN105277863A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410341436.7
申请日：2014-07-17
Applicant: 中国运载火箭技术研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率放大器老化装置，该装置包括老化电路板和老化电路；老化电路板包括插卡、老化板、老化夹具和测试端，老化夹具位于老化板上，通过老化板上布线与插卡连接，待老化功率放大器通过老化夹具接入老化电路；老化夹具包括下基座、上基座、引脚和插针，在上、下基座装配中，位于下基座凹槽中的引脚闭合，压紧待老化功率放大器引线，插针焊接在引脚底部，与老化板上布线相连；外部信号发生器产生信号，加载于待老化功率放大器，经电流放大后，由待老化功率放大器输出，输出信号通过老化板上布线传输到测试端，对待老化功率放大器进行监测；本发明解决了功率放大器老化时结温控制问题和插拔对引线镀层损伤问题，提高了老化筛选效率。
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公开(公告)号：CN105277863B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201410341436.7
申请日：2014-07-17
Applicant: 中国运载火箭技术研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率放大器老化装置，该装置包括老化电路板和老化电路；老化电路板包括插卡、老化板、老化夹具和测试端，老化夹具位于老化板上，通过老化板上布线与插卡连接，待老化功率放大器通过老化夹具接入老化电路；老化夹具包括下基座、上基座、引脚和插针，在上、下基座装配中，位于下基座凹槽中的引脚闭合，压紧待老化功率放大器引线，插针焊接在引脚底部，与老化板上布线相连；外部信号发生器产生信号，加载于待老化功率放大器，经电流放大后，由待老化功率放大器输出，输出信号通过老化板上布线传输到测试端，对待老化功率放大器进行监测；本发明解决了功率放大器老化时结温控制问题和插拔对引线镀层损伤问题，提高了老化筛选效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106932706A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511029918.X
申请日：2015-12-31
Applicant: 中国运载火箭技术研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 一种陶瓷封装单片集成电路结构分析方法，包括对陶瓷封装单片集成电路元件形态、外壳、内部互联、内部环境、芯片进行分析。解决目前元器件结构分析对设计、结构、材料、工艺等要素分析覆盖性不足的问题。对于全部要素的分析，可给出评价器件可靠性及对特定应用环境适应性的结论，并且能根据实际应用给出合理改进建议。同时，对要素的分析更关注所用材料、工艺及结构对实际应用的影响，有效避免了现有结构分析方法和DPA的分析覆盖性不足。
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公开(公告)号：CN103576009A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210250669.7
申请日：2012-07-19
Applicant: 中国运载火箭技术研究院
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及元器件可靠性技术领域，具体公开了一种多层瓷介电容器加速贮存寿命试验方法。该方法具体为：1、对多层瓷介电容器在多个高温点下进行贮存试验，获得该电容器电容量退化线性曲线；2、根据退化数据，获得在预设时间内电容量的退化量；3、根据退化线性方程，获得电容量达到电容器在规定时间内电容量的退化量时的时间，并拟合获得时间-温度曲线；4、利用步骤3中获得的时间-温度曲线线性方程，获得常温下电容器电容量达到步骤2中电容器在规定时间内电容量的退化量时的时间，从而判断步骤2中获得该电容器电容量退化量所需时间的合理性。本发明可在高温点加速条件下，在较短的时间内获得准确的贮存试验结果，且在实际条件下可实施。
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公开(公告)号：CN208000369U
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201721562040.0
申请日：2017-11-21
Applicant: 中国运载火箭技术研究院
IPC: G01R31/40
Abstract: 一种组合式DC/DC模块老炼装置，共四列，第一列从下到上为管脚37‑48，对应MGD系列DC/DC模块管脚13‑24；第二列从下到上为管脚25‑36，对应PKV系列DC/DC模块管脚13‑24；第三列从下到上为管脚24‑13，对应MGD系列DC/DC模块管脚12‑1；第四列从下到上为管脚12‑1，对应PKV系列DC/DC模块管脚12‑1；管脚1‑3、46‑48连接电源负极，管脚13‑15、34‑36连接电源正极；管脚3、15间跨接电容C2，管脚34、46间跨接电容C1；管脚23、24与负载电阻R5一端相连，管脚38与负载电阻R5另一端相连；管脚37、39间加负载电阻R6；管脚26、28间加负载电阻R7；管脚11、26间加负载电阻R8。能够在一个装置内完成MGD系列和PKV系列的所有老炼。
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公开(公告)号：CN202240181U
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201120336363.4
申请日：2011-09-08
Applicant: 北京市半导体器件六厂 , 中国运载火箭技术研究院 , 陈文卿 , 吴文俊 , 张柏生
IPC: B23K35/00 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型涉及一种应用于微电子封装技术的三层金属复合焊片，该复合焊片由三层金属结构复合构成，第一层和第三层均为银铜锡合金片，第二层为熔接设置在第一层银铜锡合金片和第三层银铜锡合金片之间的银片，银片分别与第一层的银铜锡合金片和第三层的银铜锡合金片的接合面相互熔接在一起。本实用新型所述的金属复合焊片用于玻璃封装二极管的芯片焊接，和微电子元件、半导体芯片与引线端之间的焊接，焊接牢固，提高了微电子元件封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN204301950U
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201420701207.7
申请日：2014-11-20
Applicant: 中国运载火箭技术研究院
IPC: G01M7/00
Abstract: 本实用新型属于机械环境试验技术领域，具体涉及一种力学环境适应性装配台；该装配台包括L型多凹槽立方体，帽形长方体和平面长方体盖板。L型多凹槽立方体一侧加工有矩形台阶，矩形台阶上开有通孔。L型多凹槽立方体平面上加工有帽形凹槽，帽形凹槽截面为凸字形结构，L型多凹槽立方体平面上加工有通孔；帽形长方体装配在帽形凹槽中，夹持间隔待测零件。平面长方体盖板上加工有通孔，与L型多凹槽立方体平面上加工的通孔相配合，平面长方体盖板通过加工在其底面上的螺纹孔将L型多凹槽立方体底部盖住。该装置可以将外部振动、冲击台的振动、冲击激励，不失真地传递给被待测器件，该装置对批量待测器件可进行试验。
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