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公开(公告)号:CN106932706A
公开(公告)日:2017-07-07
申请号:CN201511029918.X
申请日:2015-12-31
Applicant: 中国运载火箭技术研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 一种陶瓷封装单片集成电路结构分析方法,包括对陶瓷封装单片集成电路元件形态、外壳、内部互联、内部环境、芯片进行分析。解决目前元器件结构分析对设计、结构、材料、工艺等要素分析覆盖性不足的问题。对于全部要素的分析,可给出评价器件可靠性及对特定应用环境适应性的结论,并且能根据实际应用给出合理改进建议。同时,对要素的分析更关注所用材料、工艺及结构对实际应用的影响,有效避免了现有结构分析方法和DPA的分析覆盖性不足。
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公开(公告)号:CN106932706B
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201511029918.X
申请日:2015-12-31
Applicant: 中国运载火箭技术研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 一种陶瓷封装单片集成电路结构分析方法,包括对陶瓷封装单片集成电路元件形态、外壳、内部互联、内部环境、芯片进行分析。解决目前元器件结构分析对设计、结构、材料、工艺等要素分析覆盖性不足的问题。对于全部要素的分析,可给出评价器件可靠性及对特定应用环境适应性的结论,并且能根据实际应用给出合理改进建议。同时,对要素的分析更关注所用材料、工艺及结构对实际应用的影响,有效避免了现有结构分析方法和DPA的分析覆盖性不足。
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公开(公告)号:CN202240181U
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN201120336363.4
申请日:2011-09-08
Applicant: 北京市半导体器件六厂 , 中国运载火箭技术研究院 , 陈文卿 , 吴文俊 , 张柏生
IPC: B23K35/00 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型涉及一种应用于微电子封装技术的三层金属复合焊片,该复合焊片由三层金属结构复合构成,第一层和第三层均为银铜锡合金片,第二层为熔接设置在第一层银铜锡合金片和第三层银铜锡合金片之间的银片,银片分别与第一层的银铜锡合金片和第三层的银铜锡合金片的接合面相互熔接在一起。本实用新型所述的金属复合焊片用于玻璃封装二极管的芯片焊接,和微电子元件、半导体芯片与引线端之间的焊接,焊接牢固,提高了微电子元件封装的可靠性。
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公开(公告)号:CN204666658U
公开(公告)日:2015-09-23
申请号:CN201420871660.2
申请日:2014-12-31
Applicant: 中国运载火箭技术研究院
IPC: G01R1/04
Abstract: 本实用新型属于元器件测试技术领域,具体涉及一种DC/DC电源电压转换器测试适配器;该适配器包括盖体,固定柱,插孔,面板,插孔座,固定帽,箱体;面板为矩形结构,面板通过固定帽安装在箱体中部,固定帽位于面板四个角通孔的下方,面板上加工有圆柱孔,用以安装插孔和插孔座,插孔座上端面加工有圆形盲孔,插孔座从下向上穿过面板上圆柱孔,插孔下端与插孔座盲孔配合,面板的四个角的通孔上安装有固定柱,固定柱与固定帽一起固定面板,盖体中间加工有矩形通孔,盖体盖合在箱体上;本实用新型可保证测试系统的各种资源方便、准确地施加到电源模块的各个引脚,满足对大量电源模块的快速测试,提高了测试效率,避免由于人为误操作对器件造成的损坏。
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