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公开(公告)号:CN105277863A
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201410341436.7
申请日:2014-07-17
Applicant: 中国运载火箭技术研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率放大器老化装置,该装置包括老化电路板和老化电路;老化电路板包括插卡、老化板、老化夹具和测试端,老化夹具位于老化板上,通过老化板上布线与插卡连接,待老化功率放大器通过老化夹具接入老化电路;老化夹具包括下基座、上基座、引脚和插针,在上、下基座装配中,位于下基座凹槽中的引脚闭合,压紧待老化功率放大器引线,插针焊接在引脚底部,与老化板上布线相连;外部信号发生器产生信号,加载于待老化功率放大器,经电流放大后,由待老化功率放大器输出,输出信号通过老化板上布线传输到测试端,对待老化功率放大器进行监测;本发明解决了功率放大器老化时结温控制问题和插拔对引线镀层损伤问题,提高了老化筛选效率。
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公开(公告)号:CN106932706B
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201511029918.X
申请日:2015-12-31
Applicant: 中国运载火箭技术研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 一种陶瓷封装单片集成电路结构分析方法,包括对陶瓷封装单片集成电路元件形态、外壳、内部互联、内部环境、芯片进行分析。解决目前元器件结构分析对设计、结构、材料、工艺等要素分析覆盖性不足的问题。对于全部要素的分析,可给出评价器件可靠性及对特定应用环境适应性的结论,并且能根据实际应用给出合理改进建议。同时,对要素的分析更关注所用材料、工艺及结构对实际应用的影响,有效避免了现有结构分析方法和DPA的分析覆盖性不足。
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公开(公告)号:CN105277863B
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201410341436.7
申请日:2014-07-17
Applicant: 中国运载火箭技术研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率放大器老化装置,该装置包括老化电路板和老化电路;老化电路板包括插卡、老化板、老化夹具和测试端,老化夹具位于老化板上,通过老化板上布线与插卡连接,待老化功率放大器通过老化夹具接入老化电路;老化夹具包括下基座、上基座、引脚和插针,在上、下基座装配中,位于下基座凹槽中的引脚闭合,压紧待老化功率放大器引线,插针焊接在引脚底部,与老化板上布线相连;外部信号发生器产生信号,加载于待老化功率放大器,经电流放大后,由待老化功率放大器输出,输出信号通过老化板上布线传输到测试端,对待老化功率放大器进行监测;本发明解决了功率放大器老化时结温控制问题和插拔对引线镀层损伤问题,提高了老化筛选效率。
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公开(公告)号:CN106932706A
公开(公告)日:2017-07-07
申请号:CN201511029918.X
申请日:2015-12-31
Applicant: 中国运载火箭技术研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 一种陶瓷封装单片集成电路结构分析方法,包括对陶瓷封装单片集成电路元件形态、外壳、内部互联、内部环境、芯片进行分析。解决目前元器件结构分析对设计、结构、材料、工艺等要素分析覆盖性不足的问题。对于全部要素的分析,可给出评价器件可靠性及对特定应用环境适应性的结论,并且能根据实际应用给出合理改进建议。同时,对要素的分析更关注所用材料、工艺及结构对实际应用的影响,有效避免了现有结构分析方法和DPA的分析覆盖性不足。
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