基于HPI接口的DSP电离总剂量辐射效应检测装置

    公开(公告)号:CN110596488A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201910826226.X

    申请日:2019-09-03

    Abstract: 一种基于HPI接口的DSP电离总剂量辐射效应检测装置,包括DSP测试板、FPGA控制系统和底板硬件系统,所述DSP测试板由待测DSP芯片及其正常工作所需的外围电路组成,DSP测试板使待测DSP器件处于正常工作状态;所述FPGA控制系统通过HPI总线与DSP测试板进行连接,加载测试程序和接收测试数据,并对测试结果进行存储,通过RS422总线与上位机进行连接,实现上位机和所述FPGA控制系统之间数据交互;底板硬件系统由供电模块、电流和电压检测模块和接口检测模块组成,供电模块是将220V交流电转化为FPGA控制系统和DSP测试板的各器件工作所需的直流电压。本发明便携,一人就可完成携带和试验测试操作,便于电离总剂量辐照现场试验开展与实施。

    一种球栅阵列封装元器件焊球共面性检测系统

    公开(公告)号:CN107293502B

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201610223751.9

    申请日:2016-04-12

    Abstract: 一种球栅阵列封装元器件焊球共面性检测系统,包括受力压杆1、弹针外壳2、传力弹簧3、压电晶体4、电极引出端5、信息处理系统8,其中受力压杆1上端接触器件封装体7上的BGA焊球6,受力压杆1下端连接传力弹簧3、传力弹簧3与受力压杆1下端安装于弹针外壳2之中,弹针外壳2的底部安装压电晶体4,压电晶体4下部安装电极引出端5,电极引出端5通过导线连接信息处理系统8,信息处理系统8可将电极引出端5传来的信号进行处理。

    一种球栅阵列封装元器件焊球共面性检测系统

    公开(公告)号:CN107293502A

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201610223751.9

    申请日:2016-04-12

    Abstract: 一种球栅阵列封装元器件焊球共面性检测系统,包括受力压杆1、弹针外壳2、传力弹簧3、压电晶体4、电极引出端5、信息处理系统8,其中受力压杆1上端接触器件封装体7上的BGA焊球6,受力压杆1下端连接传力弹簧3、传力弹簧3与受力压杆1下端安装于弹针外壳2之中,弹针外壳2的底部安装压电晶体4,压电晶体4下部安装电极引出端5,电极引出端5通过导线连接信息处理系统8,信息处理系统8可将电极引出端5传来的信号进行处理。

    一种高可靠晶体管结构分析方法

    公开(公告)号:CN105806998B

    公开(公告)日:2017-10-03

    申请号:CN201410852994.X

    申请日:2014-12-31

    Abstract: 本发明属于晶体管可靠性验证技术领域,具体涉及一种高可靠晶体管结构分析方法;首先,对于应用于航天型号的晶体管产品、其结构往往是非常复杂的,要了解和掌握这种结构复杂的产品,就必须进行结构单元的分解,根据影响晶体管的固有质量和可靠性的程度,给出各结构单元对应的结构要素;其次,通过各个单元已辨识的结构要素,依据GJB548B‑2005标准,选择每种结构要素的评价试验方法;该方法对于晶体管使用方而言,该方法可以衡量和比较晶体管的质量和可靠性,发现潜在的失效机制,避免使用存在隐患的晶体管、避免使用由于晶体管固有可靠性问题导致的整机失效而带来的损失;对于晶体管制造方而言,通过该方法监控其生产工艺,找到引起晶体管潜在失效的工艺。

    一种SRAM型FPGA单粒子辐照试验测试系统及方法

    公开(公告)号:CN103744014A

    公开(公告)日:2014-04-23

    申请号:CN201310724722.7

    申请日:2013-12-24

    Abstract: 本发明提供了一种SRAM型FPGA单粒子辐照试验测试系统及方法,该试验系统包括上位机、电流监测采集板和测试板;电流监控采集板包括电流监控采集FPGA、电流采集单元、供电模块和第一通信接口;测试板包括控制处理FPGA、刷新芯片、SRAM、配置PROM、存储PROM、第二通信接口及被测FPGA;上位机负责流程控制和数据处理;电流监控采集板负责测试板的上电、断电和监测测试FPGA电流;测试板负责处理上位机发送的命令并进行单粒子翻转、单粒子功能中断检测等工作。本发明使用刷新芯片代替现有辐照试验系统中的部分重配模块,可以更方便可靠地对被测芯片进行刷新;且本发明能够实现对触发器进行静态和动态翻转测试,结合两种方法可以得到更可靠的触发器翻转数据。

    多层瓷介电容器加速贮存寿命试验方法

    公开(公告)号:CN103576009A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201210250669.7

    申请日:2012-07-19

    Abstract: 本发明涉及元器件可靠性技术领域,具体公开了一种多层瓷介电容器加速贮存寿命试验方法。该方法具体为:1、对多层瓷介电容器在多个高温点下进行贮存试验,获得该电容器电容量退化线性曲线;2、根据退化数据,获得在预设时间内电容量的退化量;3、根据退化线性方程,获得电容量达到电容器在规定时间内电容量的退化量时的时间,并拟合获得时间-温度曲线;4、利用步骤3中获得的时间-温度曲线线性方程,获得常温下电容器电容量达到步骤2中电容器在规定时间内电容量的退化量时的时间,从而判断步骤2中获得该电容器电容量退化量所需时间的合理性。本发明可在高温点加速条件下,在较短的时间内获得准确的贮存试验结果,且在实际条件下可实施。

    一种SRAM型FPGA单粒子辐照试验测试系统及方法

    公开(公告)号:CN103744014B

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201310724722.7

    申请日:2013-12-24

    Abstract: 本发明提供了一种SRAM型FPGA单粒子辐照试验测试系统及方法,该试验系统包括上位机、电流监测采集板和测试板;电流监控采集板包括电流监控采集FPGA、电流采集单元、供电模块和第一通信接口;测试板包括控制处理FPGA、刷新芯片、SRAM、配置PROM、存储PROM、第二通信接口及被测FPGA;上位机负责流程控制和数据处理;电流监控采集板负责测试板的上电、断电和监测测试FPGA电流;测试板负责处理上位机发送的命令并进行单粒子翻转、单粒子功能中断检测等工作。本发明使用刷新芯片代替现有辐照试验系统中的部分重配模块,可以更方便可靠地对被测芯片进行刷新;且本发明能够实现对触发器进行静态和动态翻转测试,结合两种方法可以得到更可靠的触发器翻转数据。

    一种扁平封装电子元器件引脚共面性检测系统

    公开(公告)号:CN107289898A

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201610223752.3

    申请日:2016-04-12

    CPC classification number: G01B21/30

    Abstract: 一种扁平封装电子元器件引脚共面性检测系统,包括自翘接触杠杆与信号处理系统7,自翘接触杠杆包括线位移传感器1、自翘接触杠杆2、支点3、杠杆支柱4、电极A5、电极B6,其中自翘接触杠杆2右端与线位移传感器1接触,而自翘接触杠杆2中部偏左的位置连接杠杆支柱4,自翘接触杠杆2与杠杆支柱4的连接点为支点3,在自翘接触杠杆2左端有电极A5、电极B6,自翘接触杠杆2左端的电极A5、电极B6与待测元器件引脚8接触,而线位移传感器1与支点3均连接信号处理系统7。

    多层瓷介电容器加速贮存寿命试验方法

    公开(公告)号:CN103576009B

    公开(公告)日:2016-08-10

    申请号:CN201210250669.7

    申请日:2012-07-19

    Abstract: 本发明涉及元器件可靠性技术领域,具体公开了一种多层瓷介电容器加速贮存寿命试验方法。该方法具体为:1、对多层瓷介电容器在多个高温点下进行贮存试验,获得该电容器电容量退化线性曲线;2、根据退化数据,获得在预设时间内电容量的退化量;3、根据退化线性方程,获得电容量达到电容器在规定时间内电容量的退化量时的时间,并拟合获得时间?温度曲线;4、利用步骤3中获得的时间?温度曲线线性方程,获得常温下电容器电容量达到步骤2中电容器在规定时间内电容量的退化量时的时间,从而判断步骤2中获得该电容器电容量退化量所需时间的合理性。本发明可在高温点加速条件下,在较短的时间内获得准确的贮存试验结果,且在实际条件下可实施。

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