一种低温度交叉灵敏度的微悬臂梁谐振器

    公开(公告)号:CN100570755C

    公开(公告)日:2009-12-16

    申请号:CN200610050514.3

    申请日:2006-04-26

    Abstract: 本发明公开了一种具有较低谐振频率温度系数的微悬臂梁谐振器。该谐振器采用二氧化硅/硅或二氧化硅/氮化硅双层结构实现悬臂梁谐振频率的温度自补偿。通过理论计算和实验验证表明硅/二氧化硅双层悬臂梁谐振器的硅和二氧化硅薄膜最优厚度之比是1.1~1.7,二氧化硅/氮化硅双层悬臂梁谐振器的二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜的最优厚度之比是0.9~1.2,其中的二氧化硅由热氧化法生长,氮化硅由低压气相淀积法(LPCVD)制作。本发明所公开的的低温度交叉灵敏度的微悬臂梁谐振器具有温度补偿方法简便易行,结构简单,成本低廉、不需要引入额外的温度传感器、参比悬臂梁和补偿电路等优点。

    一种低温度交叉灵敏度的微悬臂梁谐振器

    公开(公告)号:CN101064197A

    公开(公告)日:2007-10-31

    申请号:CN200610050514.3

    申请日:2006-04-26

    Abstract: 本发明公开了一种具有较低谐振频率温度系数的微悬臂梁谐振器。该谐振器采用二氧化硅/硅或二氧化硅/氮化硅双层结构实现悬臂梁谐振频率的温度自补偿。通过理论计算和实验验证表明硅/二氧化硅双层悬臂梁谐振器的硅和二氧化硅薄膜最优厚度之比是1.1~1.7,二氧化硅/氮化硅双层悬臂梁谐振器的二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜的最优厚度之比是0.9~1.2,其中的二氧化硅由热氧化法生长,氮化硅由低压气相淀积法(LPCVD)制作。本发明所公开的低温度交叉灵敏度的微悬臂梁谐振器具有温度补偿方法简便易行,结构简单,成本低廉、不需要引入额外的温度传感器、参比悬臂梁和补偿电路等优点。

    一种并列式双通道红外气体传感器

    公开(公告)号:CN115236021A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202210760500.X

    申请日:2022-06-30

    Abstract: 本发明涉及一种并列式双通道红外气体传感器,包括从上至下依次层叠的反光罩、支撑板、基座和ASIC芯片;反光罩上设有反射腔和若干透气孔;支撑板上设置有第一通孔和第二通孔,其内分别嵌设有第一滤光片和两第二滤光片;基座的顶面设有红外光源和两红外探测器,红外光源位于第一滤光片的正下方,两红外探测器分别位于两第二滤光片的正下方,两红外探测器相对于红外光源并列排布;红外光源和两红外探测器与ASIC芯片电连接。本发明的并列式双通道红外气体传感器,反光罩、支撑板、基座和ASIC芯片层叠设置,从而缩小体积;反射腔为折叠式反射结构,使光程增长;红外光源和两红外探测器分布在基座两端,可隔绝红外光源对热敏元件的影响。

    一种红外探测器及红外气体传感器

    公开(公告)号:CN110687068B

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN201910875694.6

    申请日:2019-09-17

    Abstract: 本发明涉及红外探测领域,特别涉及一种红外探测器及红外气体传感器,包括:滤波结构,用于红外光滤波,使至少一个预设波长的红外光通过所述滤波结构;探测芯片,用于将所述至少一个预设波长的红外光转化为电信号;其中,所述滤波结构为超材料滤波结构。本申请实施例所述的红外探测器,采用超材料作为滤波结构,通过设计超材料的结构和参数,使经过超材料滤波后的红外光,对应待测气体的多个红外特征吸收峰,探测器芯片将多个待测气体的红外特征吸收峰所对应波长的光信号转化为电信号,增强了信号的强度,提高了红外气体传感器的精度和气体识别能力。

    一种硅纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN110203879B

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN201910391545.2

    申请日:2019-05-10

    Abstract: 本发明涉及一种硅纳米线的制备方法,包括:提供硅片;通过窗口干法刻蚀以形成刻蚀凹槽,该刻蚀凹槽的底壁与埋氧层之间保留有第一剩余顶层硅结构;湿法刻蚀以形成各向异性刻蚀槽,第一剩余顶层硅结构被减薄以形成位于各向异性刻蚀槽的底壁与埋氧层之间的第二剩余顶层硅结构,相邻两个各向异性刻蚀槽之间形成硅间壁;通过对第二剩余顶层硅结构和硅间壁进行氧化,在氧化硅间壁的底部和相邻氧化硅底壁的交界处形成贴附于埋氧层的单晶硅纳米线;去除氧化硅底壁、氧化硅间壁和埋氧层,硅纳米线被悬空而位于腐蚀槽的底部。本发明通过微加工工艺尺寸缩小技术来制备硅纳米线,不仅避免硅纳米线的尺寸偏差,且可以根据需要调整硅纳米线的尺寸且成本低廉。

    热电堆型高温热流传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111982323B

    公开(公告)日:2021-12-14

    申请号:CN201910440473.6

    申请日:2019-05-24

    Abstract: 本发明提供一种热电堆型高温热流传感器及其制备方法,热电堆型高温热流传感器包括:衬底,衬底内形成有隔热腔体;复合介质膜,位于衬底的上表面且覆盖隔热腔体的上表面;电阻块,位于复合介质膜的上表面,且位于衬底的正上方及隔热腔体的正上方;绝缘介质层,覆盖电阻块的表面;金属图层,包括电极及引线,电极位于绝缘介质层的上表面,引线位于绝缘介质层内,电极经由引线与所述电阻块电连接。本发明的热电堆型高温热流传感器的结构简单,热偶对数降低至1至2对,可以承受高温热流冲击,实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量,在高温环境中工作稳定,可靠性强。

    一种平面型空气通道晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN112103157B

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202010862895.5

    申请日:2020-08-25

    Inventor: 王跃林 刘梦 李铁

    Abstract: 本发明提供一种平面型空气通道晶体管,包括:衬底、绝缘层、多晶硅、第一牺牲层、第一导电材料、第二导电材料、第一极、第二极和第三极;绝缘层位于衬底上,多晶硅和第二导电材料均位于绝缘层远离衬底的一侧,第二导电材料、多晶硅之间形成有空气通道;第一导电材料和第一牺牲层均设置在多晶硅上,第一牺牲层连接第一导电材料和多晶硅,第一导电材料设置有贯通第一牺牲层的第一接触点,第一极位于第一接触点处;第三极位于绝缘层上的第二接触点处;绝缘层和第二导电材料均与第二极的底部相接触;本发明通过去除多晶硅侧壁生长的牺牲层在第二导电材料和多晶硅之间形成空气通道,无需高精度的光刻工艺,提高生产效率,增加了实用价值。

    一种具有微纳结构增强的微加热器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110182754B

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN201910412251.3

    申请日:2019-05-17

    Abstract: 本发明提供一种具有微纳结构增强的微加热器及其制备方法,包括步骤:提供半导体单晶衬底,在衬底表面制备薄膜掩膜,并刻蚀窗口阵列;采用湿法技术腐蚀衬底表面,在该表面形成微纳金字塔结构;移除薄膜掩膜,在衬底表面制备出薄膜,在微纳金字塔结构表面制备出微纳结构薄膜;采用金属沉积技术和金属薄膜图形化技术在微纳结构薄膜表面制备出微加热器电阻丝和电极;对薄膜进行图形化和薄膜刻蚀形成释放区域;以及采用干法刻蚀技术或湿法腐蚀技术释放微纳结构薄膜,即得。本发明采用微加工技术,通过薄膜的微纳结构改变其热传导特性,可以显著降低热量损耗,增强光辐射,为获得低功耗、热稳定性强的微加热器和强辐射的光源开辟了新道路。

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