公开(公告)号：CN100570755C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200610050514.3

申请日：2006-04-26

Applicant: 中国计量学院 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 韩建强 ,  李青 ,  李昕欣 ,  王跃林 ,  韩安太 ,  孙延伟

IPC: G12B21/00 ,  B81B7/00

Abstract: 本发明公开了一种具有较低谐振频率温度系数的微悬臂梁谐振器。该谐振器采用二氧化硅/硅或二氧化硅/氮化硅双层结构实现悬臂梁谐振频率的温度自补偿。通过理论计算和实验验证表明硅/二氧化硅双层悬臂梁谐振器的硅和二氧化硅薄膜最优厚度之比是1.1～1.7，二氧化硅/氮化硅双层悬臂梁谐振器的二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜的最优厚度之比是0.9～1.2，其中的二氧化硅由热氧化法生长，氮化硅由低压气相淀积法(LPCVD)制作。本发明所公开的的低温度交叉灵敏度的微悬臂梁谐振器具有温度补偿方法简便易行，结构简单，成本低廉、不需要引入额外的温度传感器、参比悬臂梁和补偿电路等优点。

公开(公告)号：CN101064197A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610050514.3

申请日：2006-04-26

Applicant: 中国计量学院 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 韩建强 ,  李青 ,  李昕欣 ,  王跃林 ,  韩安太 ,  孙延伟

IPC: G12B21/00 ,  B81B7/00

Abstract: 本发明公开了一种具有较低谐振频率温度系数的微悬臂梁谐振器。该谐振器采用二氧化硅/硅或二氧化硅/氮化硅双层结构实现悬臂梁谐振频率的温度自补偿。通过理论计算和实验验证表明硅/二氧化硅双层悬臂梁谐振器的硅和二氧化硅薄膜最优厚度之比是1.1～1.7，二氧化硅/氮化硅双层悬臂梁谐振器的二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜的最优厚度之比是0.9～1.2，其中的二氧化硅由热氧化法生长，氮化硅由低压气相淀积法(LPCVD)制作。本发明所公开的低温度交叉灵敏度的微悬臂梁谐振器具有温度补偿方法简便易行，结构简单，成本低廉、不需要引入额外的温度传感器、参比悬臂梁和补偿电路等优点。