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公开(公告)号：CN103367185A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310317189.2
申请日：2013-07-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明揭示了一种用于微电子封装中的碳纳米管柔性凸点的制作方法。本发明中碳纳米管柔性凸点的制作方法是通过低温转移的方式把生长在其它基底上的碳纳米管束经过致密化处理后移植到半导体基底上制作成柔性微凸点。由于碳纳米管束具有一定的弹性和柔韧性，因此，利用碳纳米管束制作微凸点可以一定程度上缓解互连中热应力引起的失效问题。同时由于碳纳米管具有优秀的电学性能，如超高的电导率和超过109A/cm2的电流密度，因此，利用碳纳米管作为微凸点不但具有良好的电传输性能，而且还可以解决金属凸点的电迁移问题。本发明具有操作简单，兼容半导体工艺。
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公开(公告)号：CN102522493B
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201110404235.3
申请日：2011-12-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L41/18 , H01L41/35 , H01L41/333 , B82Y15/00
CPC classification number: H01L41/082
Abstract: 本发明实施例公开了一种压电纳米线的叠层结构，包括：第一导电层；第一导电层上压电层，所述压电层包括由多条压电纳米线形成的堆叠；压电层上的第二导电层。通过将多条压电纳米线堆叠后形成压电层，从而形成了压电纳米线自串联的结构，在受到压力弯曲时，其压电效应产生的电压串联，因此输出了更高的电压，此外，第一导电层和第二导电层便于将压电信号引出，并保护了压电层，便于将压电纳米线叠层结构应用于各种器件的制造。
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公开(公告)号：CN102522493A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110404235.3
申请日：2011-12-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L41/082
Abstract: 本发明实施例公开了一种压电纳米线的叠层结构，包括：第一导电层；第一导电层上压电层，所述压电层包括由多条压电纳米线形成的堆叠；压电层上的第二导电层。通过将多条压电纳米线堆叠后形成压电层，从而形成了压电纳米线自串联的结构，在受到压力弯曲时，其压电效应产生的电压串联，因此输出了更高的电压，此外，第一导电层和第二导电层便于将压电信号引出，并保护了压电层，便于将压电纳米线叠层结构应用于各种器件的制造。
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公开(公告)号：CN102496579B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201110427183.1
申请日：2011-12-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明公开一种完全绝缘、工艺简单的在含有TSV的转接板上制作金属再布线层时实现电绝缘的方法，首先采用湿法刻蚀的方式用碱性腐蚀溶液反向刻蚀硅基底，在TSV周围形成沟槽，选用碱性腐蚀溶液既可以刻蚀硅基底又能避免TSV中金属材料的腐蚀。然后在沟槽内制作绝缘材料，再在绝缘材料上方制作金属再布线层，完成金属化步骤，避免了开小孔方式，解决了可靠性差的问题，又实现了制作金属再布线层时的电绝缘。
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公开(公告)号：CN102569181A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210038865.8
申请日：2012-02-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种与TSV工艺相兼容、工艺成熟易于实现、而且互连可靠性和性能均高的碳纳米管束垂直互连的制作方法，本发明先制作开孔，然后只在TSV底部沉积金属催化剂薄膜，使碳纳米管束自底向上在TSV孔底部垂直生长，从而实现TSV孔的填充。同时通过致密化操作使碳纳米管与碳纳米管之间的气体被赶出，从而提高碳纳米管束密度，然后制作成金属包覆碳纳米管束的互连结构，用此结构做为互连材料可以有效地提高其互连可靠性和性能。此方法的优势在于不但与TSV工艺相兼容，工艺成熟易于实现，而且互连可靠性和性能得到很大的提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103199086A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310087268.9
申请日：2013-03-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/552 , H01L23/48 , H01L23/473 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种硅基转接板，该硅基转接板包括具有电磁屏蔽功能的微流道结构，且在该微流道结构的侧壁形成有电磁带隙结构。本发明通过调整微流道结构的位置和在微流道结构的侧壁形成电磁带隙结构，使得微流道结构既具有散热的作用，又能起到提高电性能，减少衬底损耗的作用。因此，本发明提供的硅基转接板，由于微流道结构的存在，不但具有互连和散热的功能，同时还具有电磁屏蔽的功能。
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公开(公告)号：CN102104033A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910311791.9
申请日：2009-12-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种三维混合信号芯片堆叠封装体，属于半导体元器件技术领域。该芯片堆叠封装体包括一封装基板，在封装基板上堆叠固定有最内层塑封层以及至少一层外部塑封层；每层塑封层内至少塑封有一块芯片；每层塑封层将其相邻的内部塑封层完全覆盖并与封装基板相连接；任意相邻的两层塑封层之间涂覆有屏蔽胶；屏蔽胶与封装基板的连接处分布有多个导热孔；每层塑封层内的芯片皆与封装基板电连接。此外，本发明还公开了一种三维混合信号芯片堆叠封装体的制备方法。本发明的三维混合信号芯片堆叠封装体结构适用于各种射频数字，模拟数字或者需要屏蔽的多个高速数字芯片等多芯片混合系统堆叠封装，具有较高的屏蔽效能和较好的散热性与机械性能。
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公开(公告)号：CN103426854A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210163031.X
申请日：2012-05-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/36 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种基于柔性基板封装的散热结构及其制作工艺。所述散热结构包括柔性基板；所述柔性基板包覆在元器件上，所述柔性基板和元器件之间填充有灌封胶，所述柔性基板与散热器通过粘合剂固定，形成带有散热器的柔性基板；所述带有散热器的柔性基板外表面设有多个封装引脚，所述封装引脚和柔性基板之间具有电连接，所述柔性基板通过封装引脚和印制电路板之间进行互连。本发明提供的基于柔性基板封装的散热结构，所使用的制造工艺基本成熟，有利于封装系统的小型化，且充分将柔性基板与散热器结合实现小尺寸封装的高效散热。
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公开(公告)号：CN102569181B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210038865.8
申请日：2012-02-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种与TSV工艺相兼容、工艺成熟易于实现、而且互连可靠性和性能均高的碳纳米管束垂直互连的制作方法，本发明先制作开孔，然后只在TSV底部沉积金属催化剂薄膜，使碳纳米管束自底向上在TSV孔底部垂直生长，从而实现TSV孔的填充。同时通过致密化操作使碳纳米管与碳纳米管之间的气体被赶出，从而提高碳纳米管束密度，然后制作成金属包覆碳纳米管束的互连结构，用此结构做为互连材料可以有效地提高其互连可靠性和性能。此方法的优势在于不但与TSV工艺相兼容，工艺成熟易于实现，而且互连可靠性和性能得到很大的提高。
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公开(公告)号：CN102496579A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110427183.1
申请日：2011-12-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明公开一种完全绝缘、工艺简单的在含有TSV的转接板上制作金属再布线层时实现电绝缘的方法，首先采用湿法刻蚀的方式用碱性腐蚀溶液反向刻蚀硅基底，在TSV周围形成沟槽，选用碱性腐蚀溶液既可以刻蚀硅基底又能避免TSV中金属材料的腐蚀。然后在沟槽内制作绝缘材料，再在绝缘材料上方制作金属再布线层，完成金属化步骤，避免了开小孔方式，解决了可靠性差的问题，又实现了制作金属再布线层时的电绝缘。
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