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公开(公告)号：CN119651345A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411777111.3
申请日：2024-12-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种片上激光器，可以应用于微纳光电子集成技术领域。该激光器包括：衬底；设置在衬底上沿第一方向延伸的激光器主体；以及在与第一方向相交的第二方向上围绕激光器主体的包层；其中，激光器主体包括增益区、微环谐振腔区、第一布拉格谐振腔区和第二布拉格谐振腔区，第一布拉格谐振腔区和第二布拉格谐振腔区分别设置在微环谐振腔区两边；在增益区产生光信号的情况下，光信号在第一布拉格谐振腔区、微环谐振腔区和第二布拉格谐振腔区中重复往返，从而得到激光信号。
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公开(公告)号：CN111595439B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202010595707.7
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及红外热辐射光源测量技术领域，具体涉及一种红外热辐射光源发光特性的测量方法和装置。该方法包括：利用光电探测器获取红外辐射光源在设定角度的实时光功率；判断红外辐射光源的光功率的增长趋势是否符合一次函数关系；若是，则控制红外辐射光源在水平面内分别以第一路径和第二路径绕设定位置转动；获取第一测量光功率阵列和第二测量光功率阵列；获取红外热辐射光源的光强分布。本发明巧妙地构建了第一路径和第二路径，利用红外热辐射光源在准热平衡状态后输出的光功率与时间呈线性关系的特性，通过叠加，将红外热辐射光源转换为了辐射功率恒定的辐射源，从而低成本高效准确地测量出了红外热辐射光源发光特性。
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公开(公告)号：CN118366995A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410480041.9
申请日：2024-04-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/092 , H01L29/51 , H01L21/8238 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，衬底包括N型区域和P型区域，分别设置在N型区域和P型区域的第一纳米片和第二纳米片。在第一纳米片和第二纳米片的表面设置第一缓冲层，在第一纳米片或第二纳米片中的其中一个设置环绕其的第一介质层，在第一介质层的表面以及第一缓冲层的表面设置第二缓冲层。第一介质层能够极化产生电场，利用第一缓冲层以及第二缓冲层对电场进行调控，从而利用电场控制半导体器件的阈值。相较于仅仅利用功函数层对半导体器件的阈值进行控制，利用第一缓冲层、第一介质层和第二缓冲层的叠层结构辅助半导体器件进行阈值控制更为精确，实现阈值的精细、多级控制及大范围调控，从而提高器件性能。
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公开(公告)号：CN118352361A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410479449.4
申请日：2024-04-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/092 , H01L29/51 , H01L21/8238 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本申请提供一种堆叠纳米片环栅场效应晶体管及其制造方法，衬底具有多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域，在多个第一半导体层之间以及多个第二半导体层之间，具有依次包围的界面氧化层、第一高k介质层、隔离层、第二高k介质层和金属栅，位于第一目标区域内的第一高k介质层的第一厚度，与位于第二目标区域内的第一高k介质层的第二厚度不同，位于第一目标区域内的第二高k介质层的第三厚度，与位于第三目标区域内的第二高k介质层的第四厚度不同。从而实现CMOS器件多阈值与单种器件多阈值，以隔离层作为保护层，保护内侧的第一高k介质层不被损伤，本申请通过调整两层高k介质层的厚度，提高阈值电压调整的准确性和多样性。
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公开(公告)号：CN118315273A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202310025028.X
申请日：2023-01-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/04 , H01L21/66 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种控制4H‑SiC MOS深能级缺陷的方法，包括：S1，在多个4H‑SiC外延片上氧化制备SiO2栅介质层；S2，将氧化后的4H‑SiC外延片放入快速退火炉中进行真空处理后冲入N2，得到待测样品，将待测样品在预设退火温度下以预设时间进行N2退火处理；S3，在待测样品的正面和背面分别制备金属电极，得到测试样品；S4，对测试样品的缺陷进行测试，确定缺陷能级位置以及缺陷数量；S5，建立预设退火温度与缺陷数量的函数关系，得到预设退火温度对缺陷的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118283445A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410351301.2
申请日：2024-03-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H04N25/13 , H04N25/779 , H04N1/60
Abstract: 本公开提供一种基于超表面陷波滤波的微光彩色成像装置及方法，装置包括：光电探测器、超表面陷波滤波器件和数据处理芯片；其中，数据处理芯片与光电探测器连接；所述超表面陷波滤波器件设置在所述光电探测器的进光侧；所述超表面陷波滤波器件对成像光束中的彩色成像波段进行陷波滤波，得到滤波后光束；所述光电探测器接收所述滤波后光束，将所述滤波后光束转换为电信号，得到补色图像；所述数据处理芯片从所述光电探测器获取所述补色图像，通过补色成像算法将所述补色图像转换为正常彩色图像。本申请利用光学超表面实现窄带陷波滤波功能，结合补色成像实现颜色转换获取彩色图像，能够有效改善常规成像系统在微光环境下彩色成像困难的问题。
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公开(公告)号：CN118068297A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410215495.3
申请日：2024-02-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种片上集成激光雷达，包括：端面耦合器，用于将调制激光耦合进片上集成激光雷达，所述调制激光耦合进片上集成激光雷达后被分束为本振光和信号光；光学相控阵，用于改变所述信号光的相位从而实现光束偏转和扫描，以使信号光作用于目标后得到反射信号光；以及平衡接收及处理模块，用于接收经光学透镜聚焦后的反射信号光，并通过耦合复用的方式实现多通道平衡探测。
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公开(公告)号：CN113358216B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202110605794.4
申请日：2021-05-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种偏振光检测方法，包括：将入射偏振光处理为TE偏振光和TM偏振光；调控所述TE偏振光和TM偏振光之间的相位差并进行合成获得相位差连续改变的全相位调制偏振光；探测所述全相位调制偏振光作用于谷赝自旋材料时产生的谷霍尔电流，从而获得入射偏振光中TE偏振光分量和TM偏振光分量之间相位差；探测所述TE偏振光和TM偏振光的光强；以及根据所述TE偏振光和TM偏振光的光强，以及所述相位差获得初始入射偏振光的椭偏度。同时本公开还提供一种偏振光检测光子集成芯片及探测器。
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公开(公告)号：CN116482809A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210037512.X
申请日：2022-01-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种微环谐振腔，包括：总线波导以及位于所述总线波导一侧的微环波导，所述微环波导由相对的两段直波导和相对的两段第一弯曲波导顺次连接而成；所述微环波导与所述总线波导之间存在间隙，所述总线波导与所述微环波导的相邻部位构成定向耦合器，在所述总线波导的两端分别设置有光信号的输入端和输出端。相较于现有技术，本申请的微环谐振腔具有更高的Q值及更灵活紧凑的结构，有利于光子系统的小型化，从而提高光学芯片的集成度。
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公开(公告)号：CN112857410B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202110038335.2
申请日：2021-01-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01D5/26
Abstract: 本申请公开了一种数字化分布式干涉成像系统，包括：参考光单元、物光信息采集单元以及图像重构单元；物光信息采集单元包括微镜层、波导层和数字化层；参考光单元用于发射参考光；微镜层用于离散式采集目标物体的物光；波导层包括多个干涉单元，参考光与物光在干涉单元中干涉；数字化层用于将干涉单元输出的参考光与物光的干涉结果转换为目标物体数字化的物光信息；图像重构单元用于根据数字化的物光信息重构目标物体的图像。相对于现有技术，本申请不受主流工艺对大尺寸芯片加工的限制，极大的拓展成像系统的等效口径和分辨率；有利于降低物光传输损耗，缩短成像时间；同时可以将任意两个局域物光进行配对，提高物光信号利用率。
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