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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118173579A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410302737.2
申请日：2024-03-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件及制造方法，可以应用于半导体技术领域。该半导体器件包括：在衬底上沿竖直方向依次设置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，沟道层连接在第一源/漏层和第二源/漏层之间，其中，沟道层在竖直方向上具有中部掺杂浓度高而端部掺杂浓度低的掺杂分布；以及与沟道层的中部连接的体接触部，其中，沟道层的掺杂浓度高的中部在竖直方向上的高度大于体接触部在竖直方向上的高度。
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公开(公告)号：CN119584635A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411570269.3
申请日：2024-11-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及半导体器件制备技术领域，并公开了一种硅基异质器件单片集成方法及硅基异质器件单片，方法包括将介质材料沉积在硅基底的表面，在N阱和P阱上方开设隔离槽并在槽内形成外延叠层；沉积硬掩膜层并进行图形化工艺处理，在外延叠层上方形成保留掩膜层，之后在隔离槽内制备两种不同类型的垂直器件；将介质材料沉积在隔离槽内，采用凹陷工艺将垂直器件的表面暴露在外部环境中；对垂直器件表面进行HKMG沉积和图形化工艺处理形成高K金属栅，之后进行层间介质沉积以形成层间介质层，对层间介质层进行通孔刻蚀并填充导电金属形成硅基异质器件单片。上述方法实现了不同类型的垂直器件的高密度集成，显著提高了器件的性能、可靠性和集成度。
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公开(公告)号：CN116381443A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310453076.9
申请日：2023-04-25
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于探针台的晶圆应力施加装置，安装在探针台上，且位于探针台的探针的下方，以配合探针测量被测的晶圆的电学性能，晶圆应力施加装置包括：基座；两个支撑框架，分别设置在基座的相对的两侧，并在纵向方向上延伸；中间升降机构，包括：一组第一升降组件，相对于基座分别可升降地安装在两个支撑框架的中间；以及至少一个第一施力杆，两端分别安装在一组第一升降组件上；以及两个侧部升降机构，安装在中间升降机构的纵向方向的两侧，每个侧部升降机构包括：一组第二升降组件，相对于基座分别可升降地安装在两个支撑框架上；以及第二施力杆，两端分别安装在一组第二升降组件上，第二施力杆位于第一施力杆的下方。
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公开(公告)号：CN119486241A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411620769.3
申请日：2024-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种互补场效应晶体管及其制备方法，该互补场效应晶体管包括：基底；垂直结构的第一场效应晶体管，设置在基底上；以及垂直结构的第二场效应晶体管，设置在第一场效应晶体管上；其中，第一场效应晶体管包括第一沟道，第二场效应晶体管包括第二沟道，第一沟道和第二沟道中的一个为N型沟道，第一沟道和第二沟道中的另一个为P型沟道，N型沟道采用硅材料制成，P型沟道采用硅锗材料制成，使第一场效应晶体管的源漏电流与第二场效应晶体管的源漏电流相近，其中第一场效应晶体管和第二场效应晶体管共用漏极和共用栅极。
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公开(公告)号：CN117936386A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410074589.3
申请日：2024-01-18
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/308 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供了一种先刻蚀器件有源区的垂直器件制造方法，可以应用于半导体技术领域。该方法包括：在衬底上依次设置第一源/漏限定层、沟道限定层、第二源/漏限定层的叠层；在叠层上设置掩模层；在叠层上设置图案化的光刻胶，图案化的光刻胶显露第一区域；基于图案化的光刻胶，在第一区域中将叠层刻蚀第一深度；以及基于掩模层，在第一区域以及第一区域内侧的第二区域中，进一步将叠层刻蚀第二深度，其中，在第一区域中，叠层被刻穿从而形成隔离沟槽。
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