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发明公开
互补场效应晶体管及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119486241A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411620769.3

申请日：2024-11-13

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 赵凯强 , 朱慧珑 , 刘文亮

IPC: H10D84/01 , H10D84/85

Abstract: 本公开提供了一种互补场效应晶体管及其制备方法，该互补场效应晶体管包括：基底；垂直结构的第一场效应晶体管，设置在基底上；以及垂直结构的第二场效应晶体管，设置在第一场效应晶体管上；其中，第一场效应晶体管包括第一沟道，第二场效应晶体管包括第二沟道，第一沟道和第二沟道中的一个为N型沟道，第一沟道和第二沟道中的另一个为P型沟道，N型沟道采用硅材料制成，P型沟道采用硅锗材料制成，使第一场效应晶体管的源漏电流与第二场效应晶体管的源漏电流相近，其中第一场效应晶体管和第二场效应晶体管共用漏极和共用栅极。

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