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公开(公告)号：CN117317025B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311589953.1
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
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公开(公告)号：CN106383149B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201610797899.3
申请日：2016-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿(CH3NH3PbClxI3‑x)纳米片阵列的湿度传感器件及其制备方法，它是采用化学溶液反应的方法在玻璃衬底上以聚3，4‑乙烯二氧噻吩‑聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)为缓冲层，滴落涂布醋酸铅(PbAc2)薄膜，将退火后的醋酸铅(PbAc2)薄膜置于甲基氯化铵及甲基碘化铵(CH3NH3ClxI1‑x)混合的异丙醇溶液中反应制得钙钛矿纳米片结构阵列。将制得的纳米片阵列退火后，采用热蒸发的方法在其两端蒸镀银电极，即制得钙钛矿湿度传感器。本发明制备方法成本低，工艺简单，稳定性高，响应灵敏，可用于水蒸气等极性气体的探测。
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公开(公告)号：CN104916782A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510270129.9
申请日：2015-05-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4206 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L2251/10
Abstract: 一种采用表面等离激元效应的倒置太阳电池结构，包括：一阴极透明导电衬底：一电子传输层，其制作在阴极透明导电衬底上；一金属-半导体核壳纳米颗粒层，其制作在电子传输层上；一有源层，其制作在金属-半导体核壳纳米颗粒层上；一空穴传输层，其制作在有源层上；一阳极电极，其制作在空穴传输层上。本发明是将金属-半导体核壳纳米颗粒引入电子传输层与有源层界面处，既能够发挥金属表面等离激元增强光吸收的效果，又能避免金属纳米颗粒与有源层直接接触形成电荷复合中心，同时壳层与电子传输层能级匹配，有利于电荷分离和传输。能够有效提高太阳电池光电转换效率。
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公开(公告)号：CN104882554A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510219551.1
申请日：2015-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/0003 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化电致发光元件及其制备方法，依次包括：带有透明阳极的衬底、聚合物空穴注入层、聚合物空穴传输层、有机无机杂化有源层、无机量子点电子传输层和金属电极，其中除金属电极外其余各层均通过旋涂法形成。本发明除金属电极外的各层均采用旋涂的方式制备，大幅度降低了器件的制备难度；通过使用有机材料作为主体，无机纳米材料作为客体的有源层结构制备杂化器件，在兼顾载流子平衡的同时能有效防止无机量子点的浓度淬灭以提高有源区载流子复合的效率。
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公开(公告)号：CN119726348A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410919782.2
申请日：2024-07-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S3/16
Abstract: 本发明提供一种近红外钙钛矿激光器及其制备方法。近红外钙钛矿激光器包括：衬底；钙钛矿增益介质层，置于衬底上，钙钛矿增益介质层上形成有微晶结构，微晶结构为钙钛矿增益介质层的谐振腔。本发明提供的近红外钙钛矿激光器无需采用外加谐振腔，即可在室温下实现光泵浦下的激射，大大简化了器件结构，提高了激光器的可集成性；通过组分和制备工艺的调控，可以实现激射峰的调节，且调节精度高，可满足多个波长的使用需求；可以采用全溶液法制备，工艺简单，成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117317025A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311589953.1
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅MOSFET器件及制造方法、功率芯片。碳化硅MOSFET器件包括：碳化硅衬底、形成于碳化硅衬底的第一导电类型外延层和第二导电类型保护层、栅极、源极以及漏极，第二导电类型保护层包括第一保护层和第二保护层，第一保护层包括纵向延伸区和横向延伸区，第一保护层的纵向延伸区与源极相接，第一保护层的横向延伸区横向延伸至第一导电类型外延层，第二保护层与第一保护层的纵向延伸区横向相接，第二保护层通过沟道区与源极相连，在第一保护层和第二保护层的作用下使第一导电类型外延层内形成纵向耗尽和横向耗尽的漂移区。本发明可以提高器件击穿电压同时降低导通电阻，提升器件的动态可靠性。
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公开(公告)号：CN111952458A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010860332.2
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种曲面异质结太阳电池及其制作方法，该曲面异质结太阳电池包括衬底；银纳米颗粒阵列，设置在衬底上；曲面金属膜，设置在银纳米颗粒阵列上，作为陷光结构及电荷收集电极；第一载流子传输层，设置在曲面金属膜上；吸光层，设置在第一载流子传输层上；第二载流子传输层，设置在吸光层上；以及电极，设置在第二载流子传输层上。本发明曲面异质结构具有陷光效果，能够提升吸光层光吸收效率；曲面结构相对于尖锐陷光结构不易在薄膜中引入缺陷；曲面结构有利于降低吸光层厚度，增加异质结界面面积，从而提高电荷传输效率。
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公开(公告)号：CN106383149A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610797899.3
申请日：2016-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/12
Abstract: 本 发 明公 开 了 一 种 基 于 钙 钛 矿(CH3NH3PbClxI3-x)纳米片阵列的湿度传感器件及其制备方法，它是采用化学溶液反应的方法在玻璃衬底上以聚3，4-乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)为缓冲层，滴落涂布醋酸铅(PbAc2)薄膜，将退火后的醋酸铅(PbAc2)薄膜置于甲基氯化铵及甲基碘化铵(CH3NH3ClxI1-x)混合的异丙醇溶液中反应制得钙钛矿纳米片结构阵列。将制得的纳米片阵列退火后，采用热蒸发的方法在其两端蒸镀银电极，即制得钙钛矿湿度传感器。本发明制备方法成本低，工艺简单，稳定性高，响应灵敏，可用于水蒸气等极性气体的探测。
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公开(公告)号：CN120005243A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510183641.3
申请日：2025-02-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种光致变色薄膜的制备方法，可应用于功能性薄膜材料技术领域，该方法包括：制备二氧化钛（TiO2）与聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸盐)（PEDOT:PSS）的混合溶液；准备衬底；将混合溶液置于衬底上，得到待处理样品；对待处理样品进行退火处理，得到二氧化钛@聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸盐)（PEDOT:PSS@ TiO2）复合光致变色薄膜。该光致变色薄膜能够在紫外光照射下实现显著的光致变色效果；该光致变色薄膜的变色和褪色过程受到环境湿度和气氛的影响，具有可调节性和良好的稳定性；以及该光致变色薄膜在智能窗、可重写纸张、太阳紫外线检测等领域具有广泛的应用潜力。本发明还提供了一种光致变色薄膜及其应用。
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公开(公告)号：CN119653782A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411678886.5
申请日：2024-11-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H10D1/66 , H10D12/00 , H10D12/01 , H10D30/01 , H10D30/60 , H10D64/27 , H10D64/68 , H10D62/10 , H10D62/83
Abstract: 本发明提供一种抗击穿碳化硅基MOS器件及其制备方法，器件包括：碳化硅外延基片；叠栅结构，包括堆叠的第一栅极氧化物层和第二栅极氧化物层，碳化硅外延基片的第一表面上堆叠有至少两个叠栅结构，第一栅极氧化物层靠近第一表面，第二栅极氧化物层远离第一表面，第一栅极氧化物1的介电常数小于第二栅极氧化物层的介电常数；其中，至少两个叠栅结构被配置为在正负栅压偏置保护栅极氧化物电场，且降低栅极FN遂穿漏电流。
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