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公开(公告)号：CN112117217A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010991573.0
申请日：2020-09-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种多路遥控器装置，包括：多路遥控器、遥控接收控制板、供电电源、多路继电器、多路通断指示灯、测试夹具，其中，多路遥控器，用于向遥控接收控制板发送切换信号，以控制不同电极线路的切换；遥控接收控制板，设置于电路板上，用于接收多路遥控器发出的用以切换不同电极线路的切换信号；多路继电器，设置于电路板上，并通过电极线路与多路通断指示灯及被测器件样品连接，用于控制电极线路通断；多路通断指示灯，用于指示电极线路通断；供电电源，设置于电路板上，包括相互独立的多路通断指示灯的供电电源和遥控接收控制板的供电电源；测试夹具包括：金属底座、测试夹和针脚，用于夹取及调整器件样品。
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公开(公告)号：CN106544638B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201611136315.4
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种拼装型掩模板装置，包括若干掩模板、样品框架、掩模板压板、样品盖板、样品夹和样品压条，各部件可以通过螺丝、胶带、胶水或磁力等方式拼装连接到一起。本发明可以实现掩模板装置交叉重复使用，提高了设计和制作的灵活性。本掩模板装置能够实现高质量图形化薄膜的制备，同时本掩模板装置还可以适用于无规则形状样品以及不同沉积朝向的设备。
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公开(公告)号：CN105967139A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610317925.8
申请日：2016-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00087
Abstract: 本发明公开了一种在硅基体上刻蚀孔洞的方法，包括以下步骤：在硅基体上镀上一层银膜；将镀有银膜的硅基体进行退火处理得到具有银颗粒表面的硅基体；将具有银颗粒表面的硅基体进行金属辅助化学刻蚀；利用硝酸溶液去除银颗粒。还提供含孔洞的硅基体以及基于该硅基体的半导体器件。制备的微纳孔洞结构可以在硅发光器件，太阳能电池，传感器等领域得到诸多应用，能够具有优异的电学性能和机械性能。
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公开(公告)号：CN112117217B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202010991573.0
申请日：2020-09-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种多路遥控器装置，包括：多路遥控器、遥控接收控制板、供电电源、多路继电器、多路通断指示灯、测试夹具，其中，多路遥控器，用于向遥控接收控制板发送切换信号，以控制不同电极线路的切换；遥控接收控制板，设置于电路板上，用于接收多路遥控器发出的用以切换不同电极线路的切换信号；多路继电器，设置于电路板上，并通过电极线路与多路通断指示灯及被测器件样品连接，用于控制电极线路通断；多路通断指示灯，用于指示电极线路通断；供电电源，设置于电路板上，包括相互独立的多路通断指示灯的供电电源和遥控接收控制板的供电电源；测试夹具包括：金属底座、测试夹和针脚，用于夹取及调整器件样品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106544638A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201611136315.4
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种拼装型掩模板装置，包括若干掩模板、样品框架、掩模板压板、样品盖板、样品夹和样品压条，各部件可以通过螺丝、胶带、胶水或磁力等方式拼装连接到一起。本发明可以实现掩模板装置交叉重复使用，提高了设计和制作的灵活性。本掩模板装置能够实现高质量图形化薄膜的制备，同时本掩模板装置还可以适用于无规则形状样品以及不同沉积朝向的设备。
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公开(公告)号：CN111952459B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202010860334.1
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法，该一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件包括二维钙钛矿纳米片；一维钙钛矿纳米线，设置在二维钙钛矿纳米片上；范德华异质结，设置在一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片的接触面上；器件电极，包括第一电极和第二电极，第一电极设置在二维钙钛矿纳米片底部，第二电极设置在一维钙钛矿纳米线上；以及衬底，其上设有第一电极，位于器件底部。本发明两种不同维度的材料形成异质结可以实现不同维度材料中物理效应的耦合与调控；通过结合低维金属卤化物钙钛矿材料和范德华异质结的优点为高性能光电器件制备提供有效手段，此方法可以实现体系中光电性能的灵活调控。
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公开(公告)号：CN106383149B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201610797899.3
申请日：2016-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿(CH3NH3PbClxI3‑x)纳米片阵列的湿度传感器件及其制备方法，它是采用化学溶液反应的方法在玻璃衬底上以聚3，4‑乙烯二氧噻吩‑聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)为缓冲层，滴落涂布醋酸铅(PbAc2)薄膜，将退火后的醋酸铅(PbAc2)薄膜置于甲基氯化铵及甲基碘化铵(CH3NH3ClxI1‑x)混合的异丙醇溶液中反应制得钙钛矿纳米片结构阵列。将制得的纳米片阵列退火后，采用热蒸发的方法在其两端蒸镀银电极，即制得钙钛矿湿度传感器。本发明制备方法成本低，工艺简单，稳定性高，响应灵敏，可用于水蒸气等极性气体的探测。
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公开(公告)号：CN111952459A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010860334.1
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法，该一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件包括二维钙钛矿纳米片；一维钙钛矿纳米线，设置在二维钙钛矿纳米片上；范德华异质结，设置在一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片的接触面上；器件电极，包括第一电极和第二电极，第一电极设置在二维钙钛矿纳米片底部，第二电极设置在一维钙钛矿纳米线上；以及衬底，其上设有第一电极，位于器件底部。本发明两种不同维度的材料形成异质结可以实现不同维度材料中物理效应的耦合与调控；通过结合低维金属卤化物钙钛矿材料和范德华异质结的优点为高性能光电器件制备提供有效手段，此方法可以实现体系中光电性能的灵活调控。
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公开(公告)号：CN106383149A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610797899.3
申请日：2016-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/12
Abstract: 本 发 明公 开 了 一 种 基 于 钙 钛 矿(CH3NH3PbClxI3-x)纳米片阵列的湿度传感器件及其制备方法，它是采用化学溶液反应的方法在玻璃衬底上以聚3，4-乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)为缓冲层，滴落涂布醋酸铅(PbAc2)薄膜，将退火后的醋酸铅(PbAc2)薄膜置于甲基氯化铵及甲基碘化铵(CH3NH3ClxI1-x)混合的异丙醇溶液中反应制得钙钛矿纳米片结构阵列。将制得的纳米片阵列退火后，采用热蒸发的方法在其两端蒸镀银电极，即制得钙钛矿湿度传感器。本发明制备方法成本低，工艺简单，稳定性高，响应灵敏，可用于水蒸气等极性气体的探测。
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