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公开(公告)号：CN114566865B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202011351489.9
申请日：2020-11-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种表面等离极化激元激光器及其制备方法和应用，该制备方法包括：将银纳米线分散液旋涂在衬底上，得到器件一；将器件一在惰性气氛下加热一段时间，得到器件二；在器件二上制备三氧化二铝薄膜；在三氧化二铝薄膜上旋涂染料分散液后退火，得到所述表面等离极化激元激光器。本发明所设计的器件结构可以实现具有突破光学衍射极限尺度性质的相干光源，可以将激光器器件尺寸缩小至出射激光半波长以下的尺度内，为集成光子器件的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN111952459B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202010860334.1
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法，该一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件包括二维钙钛矿纳米片；一维钙钛矿纳米线，设置在二维钙钛矿纳米片上；范德华异质结，设置在一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片的接触面上；器件电极，包括第一电极和第二电极，第一电极设置在二维钙钛矿纳米片底部，第二电极设置在一维钙钛矿纳米线上；以及衬底，其上设有第一电极，位于器件底部。本发明两种不同维度的材料形成异质结可以实现不同维度材料中物理效应的耦合与调控；通过结合低维金属卤化物钙钛矿材料和范德华异质结的优点为高性能光电器件制备提供有效手段，此方法可以实现体系中光电性能的灵活调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108753289A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810777874.6
申请日：2018-07-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: C09K11/665 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种无机卤化铅钙钛矿量子点及制备方法、一种自组装纳米线及制备方法。所述无机卤化铅钙钛矿量子点的制备方法包括：将碳酸铯、卤化铅、油酸、油胺、十八烯加入容器形成前驱体溶液，所述碳酸铯与所述卤化铅的摩尔比为1：2‑4，所述油酸、油胺、十八烯的体积比为1：1：18‑22，加入1mmol所述碳酸铯时，对应加入0.5ml所述油酸；将所述前驱体溶液进行超声；将所述前驱体溶液进行离心，离心得到的上清液即为无机卤化铅钙钛矿量子点的分散液。该制备过程简单、能耗小、产量高、利于产量化生产。
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公开(公告)号：CN111952459A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010860334.1
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法，该一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件包括二维钙钛矿纳米片；一维钙钛矿纳米线，设置在二维钙钛矿纳米片上；范德华异质结，设置在一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片的接触面上；器件电极，包括第一电极和第二电极，第一电极设置在二维钙钛矿纳米片底部，第二电极设置在一维钙钛矿纳米线上；以及衬底，其上设有第一电极，位于器件底部。本发明两种不同维度的材料形成异质结可以实现不同维度材料中物理效应的耦合与调控；通过结合低维金属卤化物钙钛矿材料和范德华异质结的优点为高性能光电器件制备提供有效手段，此方法可以实现体系中光电性能的灵活调控。
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公开(公告)号：CN114566865A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011351489.9
申请日：2020-11-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种表面等离极化激元激光器及其制备方法和应用，该制备方法包括：将银纳米线分散液旋涂在衬底上，得到器件一；将器件一在惰性气氛下加热一段时间，得到器件二；在器件二上制备三氧化二铝薄膜；在三氧化二铝薄膜上旋涂染料分散液后退火，得到所述表面等离极化激元激光器。本发明所设计的器件结构可以实现具有突破光学衍射极限尺度性质的相干光源，可以将激光器器件尺寸缩小至出射激光半波长以下的尺度内，为集成光子器件的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN111883671B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010774987.8
申请日：2020-08-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化钙钛矿纳米线的制备方法。该方法包括：在衬底上设计制备Au薄膜和PbO2薄膜的混合膜层；将混合膜层置于有机溶液中，在第一预设温度条件下发生反应，生成有机无机杂化钙钛矿纳米线；将有机无机杂化钙钛矿纳米线进行冲洗，去除有机无机杂化钙钛矿纳米线表面附着的溶质；将有机无机杂化钙钛矿纳米线在第二预设温度条件下进行退火处理。
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公开(公告)号：CN111883671A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010774987.8
申请日：2020-08-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种新型有机无机杂化钙钛矿纳米线的制备方法。该方法包括：在衬底上设计制备Au薄膜和PbO2薄膜的混合膜层；将混合膜层置于有机溶液中，在第一预设温度条件下发生反应，生成新型有机无机杂化钙钛矿纳米线；将新型有机无机杂化钙钛矿纳米线进行冲洗，去除新型有机无机杂化钙钛矿纳米线表面附着的溶质；将新型有机无机杂化钙钛矿纳米线在第二预设温度条件下进行退火处理。
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