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公开(公告)号：CN111883671B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010774987.8
申请日：2020-08-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化钙钛矿纳米线的制备方法。该方法包括：在衬底上设计制备Au薄膜和PbO2薄膜的混合膜层；将混合膜层置于有机溶液中，在第一预设温度条件下发生反应，生成有机无机杂化钙钛矿纳米线；将有机无机杂化钙钛矿纳米线进行冲洗，去除有机无机杂化钙钛矿纳米线表面附着的溶质；将有机无机杂化钙钛矿纳米线在第二预设温度条件下进行退火处理。
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公开(公告)号：CN111883671A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010774987.8
申请日：2020-08-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种新型有机无机杂化钙钛矿纳米线的制备方法。该方法包括：在衬底上设计制备Au薄膜和PbO2薄膜的混合膜层；将混合膜层置于有机溶液中，在第一预设温度条件下发生反应，生成新型有机无机杂化钙钛矿纳米线；将新型有机无机杂化钙钛矿纳米线进行冲洗，去除新型有机无机杂化钙钛矿纳米线表面附着的溶质；将新型有机无机杂化钙钛矿纳米线在第二预设温度条件下进行退火处理。
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公开(公告)号：CN111952459B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202010860334.1
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法，该一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件包括二维钙钛矿纳米片；一维钙钛矿纳米线，设置在二维钙钛矿纳米片上；范德华异质结，设置在一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片的接触面上；器件电极，包括第一电极和第二电极，第一电极设置在二维钙钛矿纳米片底部，第二电极设置在一维钙钛矿纳米线上；以及衬底，其上设有第一电极，位于器件底部。本发明两种不同维度的材料形成异质结可以实现不同维度材料中物理效应的耦合与调控；通过结合低维金属卤化物钙钛矿材料和范德华异质结的优点为高性能光电器件制备提供有效手段，此方法可以实现体系中光电性能的灵活调控。
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公开(公告)号：CN114284864A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111618575.6
申请日：2021-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种电声调谐等离激元激光器及其制备方法，电声调谐等离激元激光器包括压电晶体、金属光栅、纳米线以及金属电极。压电晶体压电晶体的上端面有一压电形变面；金属光栅设于压电形变面，金属光栅包括多条间隔设置的金属条纹；纳米线设于金属光栅的上端面上，纳米线的延伸方向与金属条纹的延伸方向呈相互垂直设置，与金属光栅上端面紧密贴合；金属电极设于压电晶体的侧壁面上。在本公开提供的技术方案中，激光器体积小，调谐频率高，具有多种调谐方式，发光端面小，腔长远小于传统分布反馈(DFB)激光器，连续调谐频率可达40MHz等优点，尤其实现了声光电的一体化耦合，具有深厚的研究价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111952459A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010860334.1
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法，该一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件包括二维钙钛矿纳米片；一维钙钛矿纳米线，设置在二维钙钛矿纳米片上；范德华异质结，设置在一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片的接触面上；器件电极，包括第一电极和第二电极，第一电极设置在二维钙钛矿纳米片底部，第二电极设置在一维钙钛矿纳米线上；以及衬底，其上设有第一电极，位于器件底部。本发明两种不同维度的材料形成异质结可以实现不同维度材料中物理效应的耦合与调控；通过结合低维金属卤化物钙钛矿材料和范德华异质结的优点为高性能光电器件制备提供有效手段，此方法可以实现体系中光电性能的灵活调控。
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