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公开(公告)号：CN108051405B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201711189276.9
申请日：2017-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明提供一种光学胶折射率测量器件、测量系统及测量方法，所述光学胶折射率测量器件包括：衬底；微纳光纤，位于贴置于所述衬底的上表面，且所述微纳光纤的两端延伸至所述衬底的外侧；光学胶，位于所述衬底的上表面，且固化包覆于所述微纳光纤的外围。本发明可用于低温条件下对光学胶折射率进行测量，低温条件的温度可以达到约2K（开尔文）；本发明对待测量的光学胶的形状没有要求，使用更加灵活方便；本发明的器件、系统结构简单，便于操作，测量结构稳定性及准确性较高。
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公开(公告)号：CN107871812B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201711008605.5
申请日：2017-10-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本发明提供一种基于3D纳米桥结的超导量子干涉滤波器及其制备方法，包括：于基片上形成第一超导材料层并图形化，形成第一电极；覆盖绝缘材料层；于绝缘材料层的表面形成第二超导材料层并图形化，形成第二电极；去除第一电极上方的绝缘材料层，于第一、第二电极之间形成绝缘夹层，剥离光刻胶；于第一电极、绝缘夹层及第二电极的上表面形成纳米线，以得到多个3D纳米桥结，两个3D纳米桥结并联形成超导量子干涉器件，多个超导量子干涉器件串联、并联或串并联形成基于3D纳米桥结的超导量子干涉滤波器。本发明将3D纳米桥结应用于SQIFs阵列，通过改变3D纳米桥结的串、并联的不同方式，来达到减小SQIFs阵列的面积，增大SQIF的集成度的目的。
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公开(公告)号：CN108051405A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711189276.9
申请日：2017-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明提供一种光学胶折射率测量器件、测量系统及测量方法，所述光学胶折射率测量器件包括：衬底；微纳光纤，位于贴置于所述衬底的上表面，且所述微纳光纤的两端延伸至所述衬底的外侧；光学胶，位于所述衬底的上表面，且固化包覆于所述微纳光纤的外围。本发明可用于低温条件下对光学胶折射率进行测量，低温条件的温度可以达到约2K（开尔文）；本发明对待测量的光学胶的形状没有要求，使用更加灵活方便；本发明的器件、系统结构简单，便于操作，测量结构稳定性及准确性较高。
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公开(公告)号：CN108362389B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201810107671.6
申请日：2018-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提供一种提高超导纳米线单光子探测器计数率的方法及系统，方法包括如下步骤：于所述超导纳米线单光子探测器的输出端串联一电衰减器；其中，所述电衰减器包括输入端及输出端，所述电衰减器的输入端与所述超导纳米线单光子探测器的输出端相连接。本发明通过在超导纳米线单光子探测器的输出端串联电衰减器，由于电衰减器的构型是一个电阻网络，即可以充当串联电阻，同时也可以降低超导纳米线单光子探测器响应脉冲幅度，可以弱化超导纳米线单光子探测器与放大器之间的耦合，降低过冲、反射及电压偏移对超导纳米线单光子探测器的影响，从而改善所述超导纳米线单光子探测器的计数率，并使得所述超导纳米线单光子探测器具有较高的探测效率。
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公开(公告)号：CN108362389A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810107671.6
申请日：2018-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提供一种提高超导纳米线单光子探测器计数率的方法及系统，方法包括如下步骤：于所述超导纳米线单光子探测器的输出端串联一电衰减器；其中，所述电衰减器包括输入端及输出端，所述电衰减器的输入端与所述超导纳米线单光子探测器的输出端相连接。本发明通过在超导纳米线单光子探测器的输出端串联电衰减器，由于电衰减器的构型是一个电阻网络，即可以充当串联电阻，同时也可以降低超导纳米线单光子探测器响应脉冲幅度，可以弱化超导纳米线单光子探测器与放大器之间的耦合，降低过冲、反射及电压偏移对超导纳米线单光子探测器的影响，从而改善所述超导纳米线单光子探测器的计数率，并使得所述超导纳米线单光子探测器具有较高的探测效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115015727B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210752426.7
申请日：2022-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种约瑟夫测量系统和测量方法，包括励磁线圈、样品超导环路和超导探测器结构；励磁线圈接入励磁电流并产生励磁磁通，样品超导环路根据所述励磁磁通产生所述样品约瑟夫森结两端之间的相位和样品超导环路的超导电流；超导探测器结构根据所述超导磁通输出得到输出电压；其中，基于所述励磁磁通与励磁电流的关系和所述励磁磁通与所述样品约瑟夫森结两端之间的相位的关系能够得到样品约瑟夫森结的相位与励磁电流的关系；根据所述输出电压、所述励磁电流、所述超导电流和所述样品约瑟夫森结的相位与励磁电流的关系得到样品约瑟夫森结的相位与超导电流之间的关系。本发明能够准确得到约瑟夫森结的完整信息。
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公开(公告)号：CN113642280B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202010345034.X
申请日：2020-04-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/392 , G06F30/3953 , G06F30/398
Abstract: 本发明提供一种超导集成电路的布局方法，包括：基于标准单元库建立以器件管脚为数据主体的数据库，数据库包括时序及物理信息；基于数据库进行静态时序分析，得到每个管脚的时序信息；基于各管脚的时序信息及器件的逻辑深度确定各管脚的优先级，对优先级高的管脚进行直连，以构造初始布局结果；基于初始布局结果利用最小通道密度算法检查可布线性，若存在不可布线的通道，将挡住布线的器件移开，留出足够的布线空间后走线；否则直接走线。本发明的超导集成电路的布局方法实现了基于版图的静态时序分析算法，继而利用时序分析结果，考虑电路本身多种物理属性，完成自动布局，节省设计面积，同时布局结果无需额外走线资源。
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公开(公告)号：CN111682022B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202010396987.9
申请日：2020-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于异层JTL布局布线的超导集成电路设计方法，包括以下步骤：对单元库的单元数据接口进行割分偏置圈的处理，并留出通孔的位置；按照电路逻辑原理图对逻辑单元层上的单元进行布局摆设；采用逻辑单元层的JTL和分路单元进行每个单元的时钟线连接；使用位于与所述逻辑单元层不在同一层的横向JTL布线层和纵向JTL布线层的JTL对每个单元进行数据连接，其中，所述横向JTL布线层的JTL作为单元之间数据横向的布线单元，所述纵向JTL布线层的JTL作为单元之间数据纵向的布线单元，上层的JTL与下层的单元数据接口的位置通过调用通孔实现连接。本发明解决了JTL不利于布线的缺点。
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公开(公告)号：CN113839644B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202111172715.1
申请日：2021-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于压电薄膜的声表面波与超导量子比特耦合器件，包括：制备于AlN压电薄膜上的透射型声表面波谐振腔，及制备于蓝宝石衬底上的超导Transmon量子比特、微波读出谐振腔、磁通偏置线及微波馈线电路，通过将透射型声表面波谐振腔与超导Transmon量子比特分别制备在AlN压电薄膜及蓝宝石衬底上，采用低损耗的蓝宝石衬底消除了压电材料对超导Transmon量子比特的弛豫，并通过第一耦合电容将透射型声表面波谐振腔与超导Transmon量子比特连接，实现两者之间的强耦合和高相干的效果，突破了体压电材料的高损耗限制，从而达到在实现声子与超导量子比特的强耦合的同时提高超导Transmon量子比特退相干时间，为最终实现微波与光量子转换的超导量子网络连接提供了可行性。
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公开(公告)号：CN115768247A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211429042.8
申请日：2022-11-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种超导磁通量子存储单元结构及其制备方法，超导磁通量子存储单元结构中的约瑟夫森结采用垂直结构的超导体(S)‑正常金属(N)‑超导体(S)设计，且SNS结的尺寸为纳米量级，一方面，能够有效缩小存储单元结构的面积，显著提高集成度；另一方面，SNS结中势垒层的生长控制更为容易，且垂直结构的制备适合运用成熟的大规模集成工艺技术，有助于提高制备工艺的可靠性和稳定性。
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