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发明公开
一种超导磁通量子存储单元结构及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN115768247A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211429042.8

申请日：2022-11-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 彭炜 , 胡宇心 , 张露 , 陈垒 , 王镇

IPC: H10N60/12 , H10N60/80 , H10N69/00 , H10N60/01 , G11C11/02

Abstract: 本发明提供一种超导磁通量子存储单元结构及其制备方法，超导磁通量子存储单元结构中的约瑟夫森结采用垂直结构的超导体(S)‑正常金属(N)‑超导体(S)设计，且SNS结的尺寸为纳米量级，一方面，能够有效缩小存储单元结构的面积，显著提高集成度；另一方面，SNS结中势垒层的生长控制更为容易，且垂直结构的制备适合运用成熟的大规模集成工艺技术，有助于提高制备工艺的可靠性和稳定性。

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