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公开(公告)号：CN112875655B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110124435.7
申请日：2021-01-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种非层状二维Cr2Se3纳米片的制备方法：(1)将铬源放入石英管中心的恒温区，硒源放入石英管的上游低温区，基片放入石英管的下游且靠近恒温区；(2)采用惰性气体排空石英管中的空气；(3)对石英管进行加热至700‑780℃，并通入载气，保温5‑15min，冷却，在基片上沉积有非层状二维Cr2Se3纳米片。本发明还公开了该制备方法制备获得的非层状二维Cr2Se3纳米片在电学器件中的应用。本发明制备了具有磁性的Cr2Se3纳米片，为自旋玻璃行为在维度降低效应中的研究提供了材料物质基础。
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公开(公告)号：CN115156524A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210992813.8
申请日：2022-08-18
Applicant: 中南大学
IPC: B22F1/054 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明属于纳米材料领域，公开了一种异位成核的双层二硫化钼纳米片及其制备方法。其采用三氧化钼、硫粉为前驱体，氯化钠为助熔剂，使用惰性气体氩气作为载气，在一定温度下反应。本发明通过简单方法引入对生长条件的扰动，即利用衬底硅片的特定倾角调控衬底表面气流方向以及局域反应剂浓度的变化，在加热和保温过程中，顶层二硫化钼的成核位点偏离底层二硫化钼的成核位点，形成了偏离底层中心成核点的双层堆叠方式。在未引入扰动的生长条件下，双层二硫化钼纳米片为同位成核生长。本发明可制备异位成核生长的双层二硫化钼纳米片，有效地减少热力学稳定的双层堆垛方式，实现对双层纳米片成核位置的调控，制备方法简单可行。
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公开(公告)号：CN112850800B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110124434.2
申请日：2021-01-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于化学气相沉积法制备二维CoS纳米片的方法：(1)将无水氯化钴和硫代乙酰胺分别放入到两个干净的瓷舟中；(2)将装有无水氯化钴的瓷舟放在单温区管式炉加热中心，并将衬底放于该瓷舟中心位置；将装有硫代乙酰胺的瓷舟放在单温区管式炉的上游；(3)向单温管式炉中通入Ar和H2，并将单温区管式炉的中心温度加热至520‑580℃，使盛放硫代乙酰胺的瓷舟所处的上游处温度从室温升到200‑300℃，保温10‑30分钟，冷却至室温，取出基片，获得二维层状CoS纳米片。本发明通过化学气相沉积法在基底上制备的CoS纳米片材料，厚度薄、纯度高，为CoS的微器件制作与催化特性研究提供了可靠原材料。
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公开(公告)号：CN118460985A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410542870.5
申请日：2024-04-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明属于纳米材料领域，提出了一种远程熔盐辅助制备ZrO2薄膜的方法及ZrO2薄膜、MIM柔性电容器及其制备方法。本发明采用碳化锆作为锆源，远程双元碱金属卤化物气相分子辅助其挥发，利用环境或基底释放微量氧气辅助生长氧化锆薄膜。所制备的薄膜连续致密、厚度均匀、表面平整，且制备方法简便易操作。此氧化锆薄膜具有高介电常数，是良好的介电层材料，基于此氧化锆薄膜构建了MIM(柔性金属‑半导体‑金属)型电容器，在300次高强度弯曲状态下，仍保持较稳定的电容性能。
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公开(公告)号：CN115323482A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210994862.5
申请日：2022-08-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种水辅助的非层状二维In2S3的生长方法：其包括在含少量水蒸气的Ar载气中，将硫化铟粉末在800‑850℃的温度下加热挥发后物理气相沉积获得三硫化二铟单晶。本发明通过简单的物理气相沉积方法利用载气中的水蒸气进行辅助，可有效减少In2S3单晶纳米片生长过程中的成核数量，利于纳米片颗粒长大，从而获得非层状二维In2S3单晶纳米片，且所制备纳米片厚度薄，厚度范围为5‑10nm；单晶尺寸大，尺寸范围在20‑150μm，调控方法简单可行。
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公开(公告)号：CN114715940A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210450683.5
申请日：2022-04-27
Applicant: 中国石油大学(北京) , 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种2H晶型二硫化钼的改性方法、水溶性二硫化钼及其应用，该包括如下步骤：将摩尔比为1:(10‑15)的2H晶型二硫化钼和磷改性剂分别置于石英舟的下游和上游，所述石英舟置于反应炉中，通入氩气或抽真空后封闭石英舟；将炉体中心温度升温至240‑400℃并保温进行反应，反应结束后降温，收集产物并清洗表面吸附物，得到水溶性二硫化钼。本发明通过对2H晶型二硫化钼进行磷还原改性，减少二硫化钼纳米片的重复堆积并增加其层间距，同时实现二硫化钼晶型的转变，增加二硫化钼表面缺陷位点数量，从而增强二硫化钼的表面活性和亲水性，提升其作为纳米驱油剂的驱油效果。
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公开(公告)号：CN111285400B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010099195.5
申请日：2020-02-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种二维过渡金属硫化物1T或1T′相到2H相的可控相转变方法，包括以下步骤：(1)制备单层1T或1T′相的二维过渡金属硫化物，并进行均相处理；(2)制备图案化的导热碳膜；(3)利用激光加热导热碳膜区域，使单层1T或1T′相转变为2H相的二维过渡金属硫化物；(4)洗涤去除导热碳膜，即完成可控相转变。本发明中由于导热碳膜的导热性好，使得扫描区域的热量均匀分布，热量迅速扩散到整个膜层，保证相变的均匀性，可以使得激光改性的效率更高，更精准，更均匀。
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公开(公告)号：CN115323350A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210994450.1
申请日：2022-08-18
Applicant: 中南大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/52 , C23C16/448 , C23C16/455 , C30B29/46 , C30B25/14 , C30B25/16
Abstract: 本发明公开了一种超小气流调控生长厘米级二维硫化铬薄膜的方法。选用金属铬粉、硫粉作为原料，氯化钠作为助熔剂，将原料加热挥发，使用惰性气体氩气作为载气，在780‑850℃的生长温度下发生反应在衬底上获得厘米级大尺寸二维硫化铬薄膜。本发明方案中控制挥发源与衬底的距离，通过超小气流调控气体边界层，实现对前驱体挥发量以及三硫化二铬成核速率的有效控制，最终实现三硫化二铬大面积连续薄膜的制备。本发明可以制备出二维非层状硫化铬薄膜，所制备的薄膜连续、表面平整、均一性好，且制备方法简单、可控。
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公开(公告)号：CN112875655A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110124435.7
申请日：2021-01-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种非层状二维Cr2Se3纳米片的制备方法：(1)将铬源放入石英管中心的恒温区，硒源放入石英管的上游低温区，基片放入石英管的下游且靠近恒温区；(2)采用惰性气体排空石英管中的空气；(3)对石英管进行加热至700‑780℃，并通入载气，保温5‑15min，冷却，在基片上沉积有非层状二维Cr2Se3纳米片。本发明还公开了该制备方法制备获得的非层状二维Cr2Se3纳米片在电学器件中的应用。本发明制备了具有磁性的Cr2Se3纳米片，为自旋玻璃行为在维度降低效应中的研究提供了材料物质基础。
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公开(公告)号：CN111285400A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010099195.5
申请日：2020-02-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种二维过渡金属硫化物1T或1T′相到2H相的可控相转变方法，包括以下步骤：(1)制备单层1T或1T′相的二维过渡金属硫化物，并进行均相处理；(2)制备图案化的导热碳膜；(3)利用激光加热导热碳膜区域，使单层1T或1T′相转变为2H相的二维过渡金属硫化物；(4)洗涤去除导热碳膜，即完成可控相转变。本发明中由于导热碳膜的导热性好，使得扫描区域的热量均匀分布，热量迅速扩散到整个膜层，保证相变的均匀性，可以使得激光改性的效率更高，更精准，更均匀。
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