公开(公告)号：CN118460985A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410542870.5

申请日：2024-04-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 周喻 ,  郭学浩 ,  欧阳方平 ,  褚文龙 ,  周希龙

IPC: C23C16/44 ,  H10N97/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明属于纳米材料领域，提出了一种远程熔盐辅助制备ZrO2薄膜的方法及ZrO2薄膜、MIM柔性电容器及其制备方法。本发明采用碳化锆作为锆源，远程双元碱金属卤化物气相分子辅助其挥发，利用环境或基底释放微量氧气辅助生长氧化锆薄膜。所制备的薄膜连续致密、厚度均匀、表面平整，且制备方法简便易操作。此氧化锆薄膜具有高介电常数，是良好的介电层材料，基于此氧化锆薄膜构建了MIM(柔性金属‑半导体‑金属)型电容器，在300次高强度弯曲状态下，仍保持较稳定的电容性能。

公开(公告)号：CN119392364A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411546755.1

申请日：2024-11-01

Applicant: 中南大学

Inventor： 周喻 ,  范秀莲 ,  欧阳方平 ,  周希龙

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/30 ,  C30B29/64 ,  B82Y40/00 ,  H01G4/12 ,  H10D1/68 ,  H10D64/68

Abstract: 本发明公开了一种二维铌酸钙介电材料的制备方法及其在微缩晶体管中的应用。本发明选用五氧化二铌粉末、含氧化钙的氧化铝板作为前驱体，使用氯化钠作为助熔剂，硒粉作为促生长因子，使用氩气和氢气的混合气体作为载气，基于痕量前驱体供给的常压化学气相沉积法，在750‑900℃的沉积温度下合成超薄二维铌酸钙纳米片。其具有本征的高介电常数、优异的介电漏电特性，可应用于电容器介电层及微缩场效应晶体管背栅介电层，具有优异的场效应调控能力。