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公开(公告)号：CN112941627B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202110123984.2
申请日：2021-01-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直生长的超薄Cr2Te3单晶纳米片的制备方法：将碲源、铬源和基底放置于化学气相沉积炉中对应的温区，其中，所述基底是将多片SiO2/Si基片呈阶梯式错开叠放；加热，通入氩气和氢气作为载气进行化学气相沉积，沉积结束后，在基底上得到垂直生长的Cr2Te3单晶纳米片。本发明利用基片叠放方法控制微区气流方向，改变局域过饱和浓度，就可以制备面积大厚度薄的垂直生长的Cr2Te3单晶纳米片，解决了现有技术中难以制备垂直生长的非范德瓦尔斯二维晶体的技术难题。
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公开(公告)号：CN112875655A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110124435.7
申请日：2021-01-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种非层状二维Cr2Se3纳米片的制备方法：(1)将铬源放入石英管中心的恒温区，硒源放入石英管的上游低温区，基片放入石英管的下游且靠近恒温区；(2)采用惰性气体排空石英管中的空气；(3)对石英管进行加热至700‑780℃，并通入载气，保温5‑15min，冷却，在基片上沉积有非层状二维Cr2Se3纳米片。本发明还公开了该制备方法制备获得的非层状二维Cr2Se3纳米片在电学器件中的应用。本发明制备了具有磁性的Cr2Se3纳米片，为自旋玻璃行为在维度降低效应中的研究提供了材料物质基础。
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公开(公告)号：CN112875655B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110124435.7
申请日：2021-01-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种非层状二维Cr2Se3纳米片的制备方法：(1)将铬源放入石英管中心的恒温区，硒源放入石英管的上游低温区，基片放入石英管的下游且靠近恒温区；(2)采用惰性气体排空石英管中的空气；(3)对石英管进行加热至700‑780℃，并通入载气，保温5‑15min，冷却，在基片上沉积有非层状二维Cr2Se3纳米片。本发明还公开了该制备方法制备获得的非层状二维Cr2Se3纳米片在电学器件中的应用。本发明制备了具有磁性的Cr2Se3纳米片，为自旋玻璃行为在维度降低效应中的研究提供了材料物质基础。
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公开(公告)号：CN112941627A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110123984.2
申请日：2021-01-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直生长的超薄Cr2Te3单晶纳米片的制备方法：将碲源、铬源和基底放置于化学气相沉积炉中对应的温区，其中，所述基底是将多片SiO2/Si基片呈阶梯式错开叠放；加热，通入氩气和氢气作为载气进行化学气相沉积，沉积结束后，在基底上得到垂直生长的Cr2Te3单晶纳米片。本发明利用基片叠放方法控制微区气流方向，改变局域过饱和浓度，就可以制备面积大厚度薄的垂直生长的Cr2Te3单晶纳米片，解决了现有技术中难以制备垂直生长的非范德瓦尔斯二维晶体的技术难题。
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