公开(公告)号：CN112850800A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202110124434.2

申请日：2021-01-29

Applicant: 中南大学

Inventor： 欧阳方平 ,  张月 ,  周喻 ,  朱旭坤 ,  徐韬

IPC: C01G51/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于化学气相沉积法制备二维CoS纳米片的方法：(1)将无水氯化钴和硫代乙酰胺分别放入到两个干净的瓷舟中；(2)将装有无水氯化钴的瓷舟放在单温区管式炉加热中心，并将衬底放于该瓷舟中心位置；将装有硫代乙酰胺的瓷舟放在单温区管式炉的上游；(3)向单温管式炉中通入Ar和H2，并将单温区管式炉的中心温度加热至520‑580℃，使盛放硫代乙酰胺的瓷舟所处的上游处温度从室温升到200‑300℃，保温10‑30分钟，冷却至室温，取出基片，获得二维层状CoS纳米片。本发明通过化学气相沉积法在基底上制备的CoS纳米片材料，厚度薄、纯度高，为CoS的微器件制作与催化特性研究提供了可靠原材料。

公开(公告)号：CN112850800B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202110124434.2

申请日：2021-01-29

Applicant: 中南大学

Inventor： 欧阳方平 ,  张月 ,  周喻 ,  朱旭坤 ,  徐韬

IPC: C01G51/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于化学气相沉积法制备二维CoS纳米片的方法：(1)将无水氯化钴和硫代乙酰胺分别放入到两个干净的瓷舟中；(2)将装有无水氯化钴的瓷舟放在单温区管式炉加热中心，并将衬底放于该瓷舟中心位置；将装有硫代乙酰胺的瓷舟放在单温区管式炉的上游；(3)向单温管式炉中通入Ar和H2，并将单温区管式炉的中心温度加热至520‑580℃，使盛放硫代乙酰胺的瓷舟所处的上游处温度从室温升到200‑300℃，保温10‑30分钟，冷却至室温，取出基片，获得二维层状CoS纳米片。本发明通过化学气相沉积法在基底上制备的CoS纳米片材料，厚度薄、纯度高，为CoS的微器件制作与催化特性研究提供了可靠原材料。