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公开(公告)号：CN115156524B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202210992813.8
申请日：2022-08-18
Applicant: 中南大学
IPC: B22F1/054 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明属于纳米材料领域，公开了一种异位成核的双层二硫化钼纳米片及其制备方法。其采用三氧化钼、硫粉为前驱体，氯化钠为助熔剂，使用惰性气体氩气作为载气，在一定温度下反应。本发明通过简单方法引入对生长条件的扰动，即利用衬底硅片的特定倾角调控衬底表面气流方向以及局域反应剂浓度的变化，在加热和保温过程中，顶层二硫化钼的成核位点偏离底层二硫化钼的成核位点，形成了偏离底层中心成核点的双层堆叠方式。在未引入扰动的生长条件下，双层二硫化钼纳米片为同位成核生长。本发明可制备异位成核生长的双层二硫化钼纳米片，有效地减少热力学稳定的双层堆垛方式，实现对双层纳米片成核位置的调控，制备方法简单可行。
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公开(公告)号：CN115323350B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210994450.1
申请日：2022-08-18
Applicant: 中南大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/52 , C23C16/448 , C23C16/455 , C30B29/46 , C30B25/14 , C30B25/16
Abstract: 膜，所制备的薄膜连续、表面平整、均一性好，且本发明公开了一种超小气流调控生长厘米 制备方法简单、可控。级二维硫化铬薄膜的方法。选用金属铬粉、硫粉作为原料，氯化钠作为助熔剂，将原料加热挥发，使用惰性气体氩气作为载气，在780‑850℃的生长温度下发生反应在衬底上获得厘米级大尺寸二维硫化铬薄膜。本发明方案中控制挥发源与衬底的距离，通过超小气流调控气体边界层，实现(56)对比文件Shasha Zhou等.Ultrathin Non-van derWaals Magnetic Rhombohedral Cr2S3: Space-Confined Chemical Vapor DepositionSynthesis and Raman ScatteringInvestigation《.ADVANCED FUNCTIONALMATERIALS》.2018,第29卷(第3期),第1-8页.Fangfang Cui等.Controlled Growth andThickness-Dependent Conduction-TypeTransition of 2D Ferrimagnetic Cr2S3Semiconductors《.ADVANCED MATERIALS》.2020,第32卷(第4期),第1-8页.文杨阳等.层状二硫化钼纳米薄膜的制备及其光学特性《.中国科学:技术科学》.2016,第46卷(第7期),第731-736页.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115323482B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210994862.5
申请日：2022-08-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种水辅助的非层状二维In2S3的生长方法：其包括在含少量水蒸气的Ar载气中，将硫化铟粉末在800‑850℃的温度下加热挥发后物理气相沉积获得三硫化二铟单晶。本发明通过简单的物理气相沉积方法利用载气中的水蒸气进行辅助，可有效减少In2S3单晶纳米片生长过程中的成核数量，利于纳米片颗粒长大，从而获得非层状二维In2S3单晶纳米片，且所制备纳米片厚度薄，厚度范围为5‑10nm；单晶尺寸大，尺寸范围在20‑150μm，调控方法简单可行。
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公开(公告)号：CN115156524A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210992813.8
申请日：2022-08-18
Applicant: 中南大学
IPC: B22F1/054 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明属于纳米材料领域，公开了一种异位成核的双层二硫化钼纳米片及其制备方法。其采用三氧化钼、硫粉为前驱体，氯化钠为助熔剂，使用惰性气体氩气作为载气，在一定温度下反应。本发明通过简单方法引入对生长条件的扰动，即利用衬底硅片的特定倾角调控衬底表面气流方向以及局域反应剂浓度的变化，在加热和保温过程中，顶层二硫化钼的成核位点偏离底层二硫化钼的成核位点，形成了偏离底层中心成核点的双层堆叠方式。在未引入扰动的生长条件下，双层二硫化钼纳米片为同位成核生长。本发明可制备异位成核生长的双层二硫化钼纳米片，有效地减少热力学稳定的双层堆垛方式，实现对双层纳米片成核位置的调控，制备方法简单可行。
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公开(公告)号：CN118532176A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410733040.0
申请日：2024-06-07
Applicant: 金川集团镍钴有限公司 , 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于钻孔内部位移的竖井变形监测方法，属于井筒监测领域，包括如下步骤：首先通过现场勘查对竖井进行初步定性评价，确定井筒易发生破坏的位置及范围区域；结合现场实际情况，确定钻孔位置、钻孔深度及孔径大小；在钻孔位置安装相应数量位移传感器，实时监测竖井各区域变形情况；将监测数据收集整理导入到数据库中，上传至服务器平台；管理人员通过登录服务器对数据进行分析处理，根据设置的阈值采取相应的措施。本方法结合现代计算机通信技术，可以实现全天候远程自动监测和数据获取，对井筒的变形监测和安全预警起到积极作用，打破了传统监测方法效率低、数据量少等缺陷。
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公开(公告)号：CN115323350A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210994450.1
申请日：2022-08-18
Applicant: 中南大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/52 , C23C16/448 , C23C16/455 , C30B29/46 , C30B25/14 , C30B25/16
Abstract: 本发明公开了一种超小气流调控生长厘米级二维硫化铬薄膜的方法。选用金属铬粉、硫粉作为原料，氯化钠作为助熔剂，将原料加热挥发，使用惰性气体氩气作为载气，在780‑850℃的生长温度下发生反应在衬底上获得厘米级大尺寸二维硫化铬薄膜。本发明方案中控制挥发源与衬底的距离，通过超小气流调控气体边界层，实现对前驱体挥发量以及三硫化二铬成核速率的有效控制，最终实现三硫化二铬大面积连续薄膜的制备。本发明可以制备出二维非层状硫化铬薄膜，所制备的薄膜连续、表面平整、均一性好，且制备方法简单、可控。
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公开(公告)号：CN115323482A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210994862.5
申请日：2022-08-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种水辅助的非层状二维In2S3的生长方法：其包括在含少量水蒸气的Ar载气中，将硫化铟粉末在800‑850℃的温度下加热挥发后物理气相沉积获得三硫化二铟单晶。本发明通过简单的物理气相沉积方法利用载气中的水蒸气进行辅助，可有效减少In2S3单晶纳米片生长过程中的成核数量，利于纳米片颗粒长大，从而获得非层状二维In2S3单晶纳米片，且所制备纳米片厚度薄，厚度范围为5‑10nm；单晶尺寸大，尺寸范围在20‑150μm，调控方法简单可行。
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