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公开(公告)号：CN108140547A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680057166.4
申请日：2016-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 伊恩·J·布朗 , 华莱士·P·普林茨 , 安东尼奥·路易斯·帕切科·罗通达罗 , 五师源太郎 , 江头佳祐
CPC classification number: H01L21/02057 , C11D7/04 , C11D11/0047 , F26B21/14 , H01L21/324 , H01L21/67028
Abstract: 用于在基底处理系统中清洗和干燥半导体基底的方法和设备，所述基底具有在所述基底上的第一清洗液体，例如水。所述方法包括将液体二氧化碳分配在基底上以置换存在于基底上的任何液体并干燥基底。所述设备包括用于清洗和干燥基底的室。
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公开(公告)号：CN108885989A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780022040.8
申请日：2017-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 德里克·巴塞特 , 华莱士·P·普林茨 , 安东尼奥·L·P·罗通达龙 , 辉实箕南 , 享弘古川
IPC: H01L21/306 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H01L21/02
CPC classification number: C09K13/08 , H01L21/31111 , H01L21/6708 , H01L22/10
Abstract: 提供了在氮化硅蚀刻步骤期间除去胶态二氧化硅沉积物在高纵横比结构的表面上的生长的技术。使用高选择性过蚀刻步骤以除去沉积的胶态二氧化硅。所公开的技术包括使用磷酸从具有形成在具有高纵横比的窄间隙或沟槽结构中的氮化硅的结构中除去氮化硅，在所述结构中通过水解反应在所述窄间隙或沟槽的表面上形成了胶态二氧化硅沉积物。使用第二蚀刻步骤，其中形成胶态二氧化硅沉积物的水解反应是可逆的，并且由于氮化硅的消耗，附近的磷酸中的二氧化硅的浓度现在较低，平衡驱动反应向反方向进行，使沉积的二氧化硅溶解回溶液中。
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公开(公告)号：CN107710384A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680037660.4
申请日：2016-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 乔舒亚·S·霍格 , 本杰曼·M·拉特扎克 , 迈克尔·A·卡尔卡西 , 马克·H·萨默维尔 , 伊恩·J·布朗 , 华莱士·P·普林茨
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/31133 , H01L21/31058 , H01L21/67115 , H01L21/6776
Abstract: 描述了用于SOC平坦化的系统和方法。在实施例中，用于SOC平坦化的设备包括被配置成支承微电子衬底的衬底保持器。另外，该设备可以包括被配置成朝向微电子衬底的表面发射紫外(UV)光的光源。在实施例中，该设备还可以包括布置在光源和微电子衬底之间的隔离窗。此外，该设备可以包括被配置成在隔离窗与微电子衬底之间的区域中注入气体的气体分配单元。另外，该设备可以包括被配置成降低微电子衬底的UV光处理的不均匀性的回蚀调平部件。
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公开(公告)号：CN106132564A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201480077666.5
申请日：2014-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/6715
Abstract: 本发明公开的技术提供一种如下的旋转涂布设备和旋转涂布方法：其抑制湍流流动导致的风痕和其他缺陷的形成，从而允许较高的旋转速度和减少的干燥时间，同时保持膜均匀性。本发明公开的技术包括定位在或悬吊在晶片或其他衬底的表面的上方的流体流动构件，如环或盖。该流体流动构件的径向曲率能够防止在晶片的涂布和旋转干燥处理期间的旋转过程中形成风痕。
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公开(公告)号：CN108431929B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201680076430.9
申请日：2016-11-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L21/82
Abstract: 本发明的实施方案提供了用于用稀释的TMAH处理微电子基底的方法。在所述方法中，将微电子基底容纳至处理室中，所述微电子基底具有硅的层、特征或结构。将处理溶液施加至所述微电子基底以蚀刻硅，其中处理溶液包含稀释溶液和TMAH。在处理溶液中或者在处理室中的环境中提供受控的氧含量以通过处理溶液实现硅的目标蚀刻选择性，或者在整个硅的层、特征或结构上的目标蚀刻均匀性，或者两者。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107180774B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201710137464.0
申请日：2017-03-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请涉及用于基底的气相羟基自由基加工的系统和方法。用于加工基底的装置和方法。该方法包括将基底设置在基底加工系统的加工室内。所述基底包括在基底的工作表面上的含碳材料的层。该方法还包括在基底加工系统的蒸气处理区中接收过氧化氢蒸气，通过在蒸气处理区中处理过氧化氢蒸气来产生羟基自由基蒸气，以及将羟基自由基蒸气和剩余的过氧化氢蒸气引导至基底的工作表面，使含碳材料被化学改性。
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公开(公告)号：CN109072077B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201780026802.1
申请日：2017-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 安东尼奥·L·P·罗通达龙 , 华莱士·P·普林茨
Abstract: 描述了抑制胶体二氧化硅沉积物在磷酸中处理的表面上生长的技术。在一个实施方案中，所公开的技术包括使用胶体二氧化硅生长抑制剂作为用于氮化硅蚀刻的磷酸溶液中的添加剂。在一些实施方案中，所述添加剂可以具有可以含有强阴离子基团的化学品。提供了这样的方法和装置：其监测在处理期间磷酸溶液中的二氧化硅浓度和/或胶体二氧化硅生长抑制剂浓度，并根据需要调节这些组分的量。提供了用于控制磷酸溶液中待使用的添加剂浓度以及二氧化硅浓度的方法和装置的技术。本文所述的技术提供了相对于二氧化硅的高选择性氮化硅蚀刻，而不使胶体二氧化硅沉积物在暴露的表面上生长。
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公开(公告)号：CN108431929A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680076430.9
申请日：2016-11-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L21/82
CPC classification number: H01L22/20 , C09K13/00 , H01L21/30604 , H01L21/30608 , H01L21/32134 , H01L21/76898 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53228 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L28/00
Abstract: 本发明的实施方案提供了用于用稀释的TMAH处理微电子基底的方法。在所述方法中，将微电子基底容纳至处理室中，所述微电子基底具有硅的层、特征或结构。将处理溶液施加至所述微电子基底以蚀刻硅，其中处理溶液包含稀释溶液和TMAH。在处理溶液中或者在处理室中的环境中提供受控的氧含量以通过处理溶液实现硅的目标蚀刻选择性，或者在整个硅的层、特征或结构上的目标蚀刻均匀性，或者两者。
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公开(公告)号：CN106463397A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580024564.1
申请日：2015-05-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 华莱士·P·普林茨
IPC: H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/67028 , H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: 本文公开了用于加工纳米结构的方法和系统。特别地，本文公开了用于在半导体制造期间加工纳米结构的方法，包括干燥纵横比高的纳米结构。还公开了用于实施本文公开的方法的系统。
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公开(公告)号：CN108885989B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201780022040.8
申请日：2017-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 德里克·巴塞特 , 华莱士·P·普林茨 , 安东尼奥·L·P·罗通达龙 , 辉实箕南 , 享弘古川
IPC: H01L21/306 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H01L21/02
Abstract: 提供了在氮化硅蚀刻步骤期间除去胶态二氧化硅沉积物在高纵横比结构的表面上的生长的技术。使用高选择性过蚀刻步骤以除去沉积的胶态二氧化硅。所公开的技术包括使用磷酸从具有形成在具有高纵横比的窄间隙或沟槽结构中的氮化硅的结构中除去氮化硅，在所述结构中通过水解反应在所述窄间隙或沟槽的表面上形成了胶态二氧化硅沉积物。使用第二蚀刻步骤，其中形成胶态二氧化硅沉积物的水解反应是可逆的，并且由于氮化硅的消耗，附近的磷酸中的二氧化硅的浓度现在较低，平衡驱动反应向反方向进行，使沉积的二氧化硅溶解回溶液中。
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