公开(公告)号：CN104145328A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201380012563.6

申请日：2013-02-20

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 朝日升 ,  野中敏央 ,  新关彰一

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/83 ,  B32B37/0046 ,  B32B38/004 ,  B32B2307/202 ,  B32B2311/00 ,  B32B2457/14 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/75317 ,  H01L2224/7532 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，所述方法是经由热固性粘接剂层将具有凸块的半导体芯片焊接连接于具有对应于该凸块的电极的基板的半导体装置的制造方法，依次具有下述工序：工序(A)，预先在半导体芯片的具有凸块的面上，形成热固性粘接剂层；工序(B)，将形成有热固性粘接剂层的半导体芯片的热固性粘接剂层侧的面与基板合在一起，使用加热工具进行预压接，得到预压接层叠体；工序(C)，使该加热工具与该预压接层叠体的半导体芯片侧的面之间，存在导热系数为100W/mK以上的保护膜，使用加热工具在使半导体芯片与基板之间的焊料熔融的同时，使热固性粘接剂层固化。本发明提供树脂不夹入焊料凸块与电极焊盘之间、能得到良好的连接的半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN102574934B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201080045855.6

申请日：2010-10-08

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 榛叶阳一 ,  新关彰一 ,  野中敏央

IPC: C08F2/00 ,  B32B15/08 ,  C09C1/62 ,  C09C3/10 ,  C23C22/08 ,  H05K3/28 ,  H05K9/00

CPC classification number: C09C3/10 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/84 ,  C01P2006/40 ,  C09C1/62 ,  C09C1/64 ,  C09C1/644 ,  H05K3/28 ,  H05K2201/0224 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2203/122 ,  Y10T428/2991

Abstract: 本发明涉及一种方法，其使酸性有机物或磷酸与金属接触，在金属表面形成含有由所述酸性有机物和金属生成的有机酸盐、或由所述磷酸和金属生成的磷酸盐的层，该方法中，在金属表面选择性地形成层。本技术能够应用于在颗粒彼此不凝集或液体粘度不增加的情况下得到核壳颗粒的方法、以及仅在所要被覆的金属部选择性地形成层的金属布线被覆电路基板的制造方法等。

公开(公告)号：CN102574934A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080045855.6

申请日：2010-10-08

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 榛叶阳一 ,  新关彰一 ,  野中敏央

IPC: C08F2/00 ,  B32B15/08 ,  C09C1/62 ,  C09C3/10 ,  C23C22/08 ,  H05K3/28 ,  H05K9/00

CPC classification number: C09C3/10 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/84 ,  C01P2006/40 ,  C09C1/62 ,  C09C1/64 ,  C09C1/644 ,  H05K3/28 ,  H05K2201/0224 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2203/122 ,  Y10T428/2991

Abstract: 本发明涉及一种方法，其使酸性有机物或磷酸与金属接触，在金属表面形成含有由所述酸性有机物和金属生成的有机酸盐、或由所述磷酸和金属生成的磷酸盐的层，该方法中，在金属表面选择性地形成层。本技术能够应用于在颗粒彼此不凝集或液体粘度不增加的情况下得到核壳颗粒的方法、以及仅在所要被覆的金属部选择性地形成层的金属布线被覆电路基板的制造方法等。