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公开(公告)号：CN111430459A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010350285.7
申请日：2020-04-28
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种多沟道叠层绝缘侧栅鳍式结构的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，其中，栅鳍采用上下不同鳍宽的叠层结构，上层鳍宽较下层鳍宽窄；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的侧墙之间包括绝缘介质层，本发明提供的高电子迁移率晶体管采用三维叠层鳍式结构，使得不同鳍宽的栅极区域对器件沟道进行复合控制，相当于不同阈值器件的并联，施加栅极电压，器件跨导特性展宽，改善线性工作特性；在栅鳍的侧墙引入绝缘介质层，有效降低由于鳍式结构侧栅刻蚀表面引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，使器件的击穿电压得到提高。
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公开(公告)号：CN111430459B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202010350285.7
申请日：2020-04-28
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，其中，栅鳍采用上下不同鳍宽的叠层结构，上层鳍宽较下层鳍宽窄；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的侧墙之间包括绝缘介质层，本发明提供的高电子迁移率晶体管采用三维叠层鳍式结构，使得不同鳍宽的栅极区域对器件沟道进行复合控制，相当于不同阈值器件的并联，施加栅极电压，器件跨导特性展宽，改善线性工作特性；在栅鳍的侧墙引入绝缘介质层，有效降低由于鳍式结构侧栅刻蚀表面引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，使器件的击穿电压得到提高。
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公开(公告)号：CN111430458B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202010349428.2
申请日：2020-04-28
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括鳍式栅和槽栅，槽栅的刻蚀区域边界距离相应的鳍式栅的顶栅区域边界的距离小于100nm；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的顶部及两个侧壁之间还包括绝缘介质层。本发明同时采用了三维鳍栅与凹形槽栅结构，使得栅不仅从上端对沟道进行控制，而且100nm以内的栅宽使得三维鳍栅电极能从侧面对沟道电子进行控制，明显加强栅控能力，提高器件跨导和器件增益能力；同时引入绝缘介质层，能有效降低由于鳍式结构刻蚀与槽栅刻蚀引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，提高器件的击穿电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106782667A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611041190.7
申请日：2016-11-11
Applicant: 上海航天测控通信研究所
CPC classification number: G11C29/50 , G11C29/028 , G11C29/56
Abstract: 本发明提供了一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验方法和装置，方法包括：步骤1，将编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器进行第一温度烘焙，持续至少64小时后完成静态老化，所述第一温度为140～150℃；步骤2，调整温度至第二温度，向静态老化后的所述存储器发送激励信号，并采集所述存储器响应所述激励信号获得的信号处理数据，持续至少160小时后完成动态老化，所述第二温度为100～125℃；步骤3，根据预存的校验数据对所述信号处理数据进行校验。本发明能够让所述编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器度过早期失效期，将潜在的缺陷尽早暴露，剔除缺陷芯片。
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公开(公告)号：CN111430458A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010349428.2
申请日：2020-04-28
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括鳍式栅和槽栅，槽栅的刻蚀区域边界距离相应的鳍式栅的顶栅区域边界的距离小于100nm；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的顶部及两个侧壁之间还包括绝缘介质层。本发明同时采用了三维鳍栅与凹形槽栅结构，使得栅不仅从上端对沟道进行控制，而且100nm以内的栅宽使得三维鳍栅电极能从侧面对沟道电子进行控制，明显加强栅控能力，提高器件跨导和器件增益能力；同时引入绝缘介质层，能有效降低由于鳍式结构刻蚀与槽栅刻蚀引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN104730395A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510157385.7
申请日：2015-04-03
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的测试系统及方法，调试设备通过通信接口电路发送测试配置数据至测试板，测试板上FPGA的中心控制单元接收测试配置数据进行初始化包括初始化被测器件的控制驱动模块。然后，调试设备通过通信接口电路发送控制指令至测试板，测试板上FPGA的中心控制单元接收控制指令，驱动测试流程包括输出控制信号至被测器件以及接收采集被测器件输出的测试数据。
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公开(公告)号：CN106782667B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201611041190.7
申请日：2016-11-11
Applicant: 上海航天测控通信研究所
Abstract: 本发明提供了一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验方法和装置，方法包括：步骤1，将编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器进行第一温度烘焙，持续至少64小时后完成静态老化，所述第一温度为140～150℃；步骤2，调整温度至第二温度，向静态老化后的所述存储器发送激励信号，并采集所述存储器响应所述激励信号获得的信号处理数据，持续至少160小时后完成动态老化，所述第二温度为100～125℃；步骤3，根据预存的校验数据对所述信号处理数据进行校验。本发明能够让所述编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器度过早期失效期，将潜在的缺陷尽早暴露，剔除缺陷芯片。
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公开(公告)号：CN204536452U
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201520204951.0
申请日：2015-04-03
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本实用新型提供了一种通用自动化元器件应用验证装置，该装置包括通用控制母板、专用被测元器件子板以及计算机，所述通用控制母板通过多种接口与专用被测元器件子板连接，所述专用被测元器件子板通过转接插座与被测元器件连接，所述计算机通过通信接口与通用控制母板连接实现自动化测试。本实用新型是一种通用元器件应用验证装置硬件设计。与现有技术相比，其优点和有益效果是：改变传统专用验证装置重复性设计的高成本、低效率的现状，提供一种通用化、自动测试的验证装置。满足我国元器件国产化应用进程加速、国产器件不断推陈出新、亟待验证的需求，工程运用效果好、应用方便，取得降低设计成本、提高验证效率的有益效果。
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