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公开(公告)号：CN117782491A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311602639.2
申请日：2023-11-28
Applicant: 上海航天测控通信研究所
Abstract: 本发明涉及振动力学技术领域，尤其涉及一种微波组件多维度振动平台，包括：振动台，所述振动台的振动台面上设置有用于调整支撑基座角度的方向基准面和螺纹孔；所述支撑基座，所述支撑基座的底板上设有第一定位孔，旋转螺钉穿过所述第一定位孔与所述振动台面上的螺纹孔连接，使所述支撑基座设置于所述支撑基座的上端，所述支撑基座上设有用于安装旋转模块的支撑筋。本发明通过支撑基座、旋转模块和震动台面的配合实现多维度试验振动方向，通过旋转调高螺钉调整压板的高度适应不同的微波组件安装，使微波组件在多维度情况下进行试验。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115425935A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211065371.9
申请日：2022-09-01
Applicant: 上海航天测控通信研究所
Abstract: 本发明提供了一种可更换堆叠式信标固态功率放大器装置，包括：一次电源模块、二次电源模块和微波功放模块，所述三个模块通过转接插座相连，堆叠装配；所述一次电源模块包括EMI滤波电路、DC/DC转换电路、继电器控制电路，用于将母线电压转换为功放管所需的栅、漏电压；所述二次电源模块包括负压保护电路、浪涌抑制电路、电压分配电路、遥测采集电路和自动增益控制电路；其中，所述二次电源模块将所述一次电源模块转出的电压经过电压分配电路，分别提供给所述微波功放模块中的各组件。本发明公开的装置将信标固态功率放大器功能分划分为通用的独立模块，具有可更换性强、通用性强的特点。
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公开(公告)号：CN111430459B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202010350285.7
申请日：2020-04-28
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，其中，栅鳍采用上下不同鳍宽的叠层结构，上层鳍宽较下层鳍宽窄；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的侧墙之间包括绝缘介质层，本发明提供的高电子迁移率晶体管采用三维叠层鳍式结构，使得不同鳍宽的栅极区域对器件沟道进行复合控制，相当于不同阈值器件的并联，施加栅极电压，器件跨导特性展宽，改善线性工作特性；在栅鳍的侧墙引入绝缘介质层，有效降低由于鳍式结构侧栅刻蚀表面引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，使器件的击穿电压得到提高。
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公开(公告)号：CN114628196A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210119807.1
申请日：2022-02-09
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01H47/02
Abstract: 本发明公开了一种新型继电器控制电路，包括：第一继电器、第二继电器和第三继电器，所述第一继电器、第二继电器和第三继电器并联连接且分别和电源连接；所述第一继电器、第二继电器及第三继电器均包括2组开关单元，所述第一继电器的第二开关单元和所述第二继电器的第二开关单元串联连接，所述第一继电器的第一开关单元和所述第三继电器的第一开关单元串联连接，所述第二继电器的第一开关单元和所述第三继电器的第二开关单元串联连接。这样，有效地避免了由于继电器故障而导致整个控制电路失效，提高了继电器控制电路的可靠性；具有电路简单，易实现的特点，并具有一定的通用性，可广泛应用于卫星通信、雷达、测控、导航、对抗等电子系统中。
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公开(公告)号：CN114628196B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202210119807.1
申请日：2022-02-09
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01H47/02
Abstract: 本发明公开了一种新型继电器控制电路，包括：第一继电器、第二继电器和第三继电器，所述第一继电器、第二继电器和第三继电器并联连接且分别和电源连接；所述第一继电器、第二继电器及第三继电器均包括2组开关单元，所述第一继电器的第二开关单元和所述第二继电器的第二开关单元串联连接，所述第一继电器的第一开关单元和所述第三继电器的第一开关单元串联连接，所述第二继电器的第一开关单元和所述第三继电器的第二开关单元串联连接。这样，有效地避免了由于继电器故障而导致整个控制电路失效，提高了继电器控制电路的可靠性；具有电路简单，易实现的特点，并具有一定的通用性，可广泛应用于卫星通信、雷达、测控、导航、对抗等电子系统中。
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公开(公告)号：CN111430459A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010350285.7
申请日：2020-04-28
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种多沟道叠层绝缘侧栅鳍式结构的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，其中，栅鳍采用上下不同鳍宽的叠层结构，上层鳍宽较下层鳍宽窄；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的侧墙之间包括绝缘介质层，本发明提供的高电子迁移率晶体管采用三维叠层鳍式结构，使得不同鳍宽的栅极区域对器件沟道进行复合控制，相当于不同阈值器件的并联，施加栅极电压，器件跨导特性展宽，改善线性工作特性；在栅鳍的侧墙引入绝缘介质层，有效降低由于鳍式结构侧栅刻蚀表面引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，使器件的击穿电压得到提高。
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