公开(公告)号：CN111430459A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010350285.7

申请日：2020-04-28

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 陈凯 ,  化宁 ,  沈晓唯 ,  章泉源 ,  王佳 ,  尚会锋 ,  姚崇斌 ,  王茂森 ,  张瑞珏 ,  戴杰 ,  黄硕

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种多沟道叠层绝缘侧栅鳍式结构的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，其中，栅鳍采用上下不同鳍宽的叠层结构，上层鳍宽较下层鳍宽窄；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的侧墙之间包括绝缘介质层，本发明提供的高电子迁移率晶体管采用三维叠层鳍式结构，使得不同鳍宽的栅极区域对器件沟道进行复合控制，相当于不同阈值器件的并联，施加栅极电压，器件跨导特性展宽，改善线性工作特性；在栅鳍的侧墙引入绝缘介质层，有效降低由于鳍式结构侧栅刻蚀表面引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，使器件的击穿电压得到提高。

公开(公告)号：CN111430459B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202010350285.7

申请日：2020-04-28

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 陈凯 ,  化宁 ,  沈晓唯 ,  章泉源 ,  王佳 ,  尚会锋 ,  姚崇斌 ,  王茂森 ,  张瑞珏 ,  戴杰 ,  黄硕

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，其中，栅鳍采用上下不同鳍宽的叠层结构，上层鳍宽较下层鳍宽窄；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的侧墙之间包括绝缘介质层，本发明提供的高电子迁移率晶体管采用三维叠层鳍式结构，使得不同鳍宽的栅极区域对器件沟道进行复合控制，相当于不同阈值器件的并联，施加栅极电压，器件跨导特性展宽，改善线性工作特性；在栅鳍的侧墙引入绝缘介质层，有效降低由于鳍式结构侧栅刻蚀表面引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，使器件的击穿电压得到提高。