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公开(公告)号：CN111430459A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010350285.7
申请日：2020-04-28
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种多沟道叠层绝缘侧栅鳍式结构的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，其中，栅鳍采用上下不同鳍宽的叠层结构，上层鳍宽较下层鳍宽窄；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的侧墙之间包括绝缘介质层，本发明提供的高电子迁移率晶体管采用三维叠层鳍式结构，使得不同鳍宽的栅极区域对器件沟道进行复合控制，相当于不同阈值器件的并联，施加栅极电压，器件跨导特性展宽，改善线性工作特性；在栅鳍的侧墙引入绝缘介质层，有效降低由于鳍式结构侧栅刻蚀表面引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，使器件的击穿电压得到提高。
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公开(公告)号：CN111430458A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010349428.2
申请日：2020-04-28
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括鳍式栅和槽栅，槽栅的刻蚀区域边界距离相应的鳍式栅的顶栅区域边界的距离小于100nm；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的顶部及两个侧壁之间还包括绝缘介质层。本发明同时采用了三维鳍栅与凹形槽栅结构，使得栅不仅从上端对沟道进行控制，而且100nm以内的栅宽使得三维鳍栅电极能从侧面对沟道电子进行控制，明显加强栅控能力，提高器件跨导和器件增益能力；同时引入绝缘介质层，能有效降低由于鳍式结构刻蚀与槽栅刻蚀引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN111430459B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202010350285.7
申请日：2020-04-28
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，其中，栅鳍采用上下不同鳍宽的叠层结构，上层鳍宽较下层鳍宽窄；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的侧墙之间包括绝缘介质层，本发明提供的高电子迁移率晶体管采用三维叠层鳍式结构，使得不同鳍宽的栅极区域对器件沟道进行复合控制，相当于不同阈值器件的并联，施加栅极电压，器件跨导特性展宽，改善线性工作特性；在栅鳍的侧墙引入绝缘介质层，有效降低由于鳍式结构侧栅刻蚀表面引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，使器件的击穿电压得到提高。
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公开(公告)号：CN111430458B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202010349428.2
申请日：2020-04-28
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括鳍式栅和槽栅，槽栅的刻蚀区域边界距离相应的鳍式栅的顶栅区域边界的距离小于100nm；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的顶部及两个侧壁之间还包括绝缘介质层。本发明同时采用了三维鳍栅与凹形槽栅结构，使得栅不仅从上端对沟道进行控制，而且100nm以内的栅宽使得三维鳍栅电极能从侧面对沟道电子进行控制，明显加强栅控能力，提高器件跨导和器件增益能力；同时引入绝缘介质层，能有效降低由于鳍式结构刻蚀与槽栅刻蚀引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，提高器件的击穿电压。
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