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公开(公告)号:CN106782667B
公开(公告)日:2020-06-30
申请号:CN201611041190.7
申请日:2016-11-11
Applicant: 上海航天测控通信研究所
Abstract: 本发明提供了一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验方法和装置,方法包括:步骤1,将编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器进行第一温度烘焙,持续至少64小时后完成静态老化,所述第一温度为140~150℃;步骤2,调整温度至第二温度,向静态老化后的所述存储器发送激励信号,并采集所述存储器响应所述激励信号获得的信号处理数据,持续至少160小时后完成动态老化,所述第二温度为100~125℃;步骤3,根据预存的校验数据对所述信号处理数据进行校验。本发明能够让所述编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器度过早期失效期,将潜在的缺陷尽早暴露,剔除缺陷芯片。
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公开(公告)号:CN106785437A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201710037929.5
申请日:2017-01-18
Applicant: 上海航天测控通信研究所
Abstract: 本发明提供了一种固定多波束螺旋天线立体阵,包括螺旋天线单元及锥台结构,锥台结构包括一顶面及若干个侧面,侧面的上端与顶面边缘相连接,相邻的侧面的侧边相连接,顶面及侧面上分别设有螺旋天线单元。其中,锥台结构的顶面为正多边形,侧面为等腰梯形。各螺旋天线单元通过波束隔离板隔离,螺旋天线单元的螺旋天线安装在介质板上,螺旋天线具有收拢展开功能,通过柔性支撑丝及螺距微调装置实现螺旋天线螺距及刚度的有效控制。本发明利用立体锥台结构实现天线波束指向偏转,从而实现对较宽视角内空域的波束覆盖,无需使用移相馈电网络;利用波束隔离板降低各天线单元间的互耦,减小锥台结构的尺寸,该天线立体阵从电性能、成本及重量上均较好。
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公开(公告)号:CN107888336B
公开(公告)日:2020-10-23
申请号:CN201711081745.5
申请日:2017-11-06
Applicant: 上海航天测控通信研究所
Abstract: 本发明提出一种星载ADS‑B信号报头检测系统及方法,该系统包括:包络提取模块,用以对接收到的两路正交信号的基带信号进行包络提取,得到包络信号;AGC模块,连接所述包络提取模块的输出端,用以对所述包络信号进行自动增益控制;滤波模块,连接所述AGC模块的输出端,用以对经AGC模块处理后的包络信号进行滤波处理;数字锁相环,连接所述滤波模块的输出端,用以实现本地时钟对经滤波模块处理后的信号的跟踪,输出位同步脉冲;报头框架检测模块,用以根据所述位同步脉冲的位置采集报头数据,与预设报头数据格式进行帧同步,若帧同步能够锁定则框架检测通过,得到报头框架。克服传统ADS‑B接收机灵敏度不够的问题。
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公开(公告)号:CN107888336A
公开(公告)日:2018-04-06
申请号:CN201711081745.5
申请日:2017-11-06
Applicant: 上海航天测控通信研究所
Abstract: 本发明提出一种星载ADS-B信号报头检测系统及方法,该系统包括:包络提取模块,用以对接收到的两路正交信号的基带信号进行包络提取,得到包络信号;AGC模块,连接所述包络提取模块的输出端,用以对所述包络信号进行自动增益控制;滤波模块,连接所述AGC模块的输出端,用以对经AGC模块处理后的包络信号进行滤波处理;数字锁相环,连接所述滤波模块的输出端,用以实现本地时钟对经滤波模块处理后的信号的跟踪,输出位同步脉冲;报头框架检测模块,用以根据所述位同步脉冲的位置采集报头数据,与预设报头数据格式进行帧同步,若帧同步能够锁定则框架检测通过,得到报头框架。克服传统ADS-B接收机灵敏度不够的问题。
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公开(公告)号:CN106782667A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201611041190.7
申请日:2016-11-11
Applicant: 上海航天测控通信研究所
CPC classification number: G11C29/50 , G11C29/028 , G11C29/56
Abstract: 本发明提供了一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验方法和装置,方法包括:步骤1,将编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器进行第一温度烘焙,持续至少64小时后完成静态老化,所述第一温度为140~150℃;步骤2,调整温度至第二温度,向静态老化后的所述存储器发送激励信号,并采集所述存储器响应所述激励信号获得的信号处理数据,持续至少160小时后完成动态老化,所述第二温度为100~125℃;步骤3,根据预存的校验数据对所述信号处理数据进行校验。本发明能够让所述编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器度过早期失效期,将潜在的缺陷尽早暴露,剔除缺陷芯片。
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