电磁防护型太阳电池单片盖板、太阳电池组件及制作方法

    公开(公告)号:CN113611687A

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN202110710549.X

    申请日:2021-06-25

    摘要: 本发明涉及电磁防护型太阳电池单片盖板、太阳电池组件及制作方法,该电磁防护型太阳电池单片盖板包括抗辐射玻璃盖片,抗辐射玻璃盖片上蒸镀一层导电金属,导电金属刻蚀成“井”字形格栅结构,带有导弹金属格栅结构的玻璃盖片上再沉积一层红外及可见光透明ITO薄膜,使得盖片表面由绝缘体转变成为导体,盖片的四个角上的导电金属镀层为引出电极。利用该盖板制备的电磁防护型太阳电池组件,可以将空间环境在玻璃盖片表面产生的电荷有效疏导至基板,避免了电荷聚集引发的静电放电现象,提升了太阳电池组件的电磁防护能力。

    一种PECVD过程中裸露金属保护液及保护方法

    公开(公告)号:CN111910165A

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:CN202010699426.6

    申请日:2020-07-20

    摘要: 本发明提供了一种PECVD过程中裸露金属保护液及保护方法,在镀膜前将低质损易剥除硅橡胶保护液涂敷于工件裸露金属表面,待硅橡胶固化形成保护层后对工件进行镀膜操作,镀膜结束后剥除硅橡胶薄膜。低质损易剥除硅橡胶保护液包括100质量份的α,ω-二羟基聚二甲基硅氧烷,5~20质量份地白炭黑,1~5质量份的正硅酸乙酯,0.1~1质量份的二月桂酸二丁基锡。固化后的硅橡胶保护层兼具高真空环境下低质量损失率,成膜平整无气泡以及剥离强度较低易剥除的特点。本发明中保护液和保护方法能够在镀膜过程中对工件裸露金属部分进行暂时性保护,在去除保护膜后,金属表面无污染物,表面粗糙度及电阻率均未变化,满足焊接、胶接等后续操作的要求。

    一种p型CuxSy半导体纳米晶、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN102774871B

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN201210252126.9

    申请日:2012-07-19

    IPC分类号: C01G3/12 B82Y40/00 H01L51/46

    CPC分类号: Y02E10/549 Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种p型CuxSy半导体纳米晶、制备方法及其应用,属于纳米材料制备和应用领域。所述纳米晶CuxSy的x/y=1.8,形状为球形,粒径为6~12nm;所述方法包括制备铜源、制备硫源、将铜源注入到硫源中加热反应得到胶体溶液,通过清洗和离心沉降得到所述纳米晶;所述纳米晶的晶相单一、分散性良好、尺寸和形貌可控,在整个近红外光区都有较强的吸收,吸收峰在1100-1500nm;且具有良好的导电性,较高的载流子迁移率、良好耐高温性和稳定性。所述方法产率高,可进行大规模的生产。将所述纳米晶应用于薄膜太阳能电池器件中的空穴传输层,可以显著提高空穴传输层的传输能力。

    柔性衬底铜铟镓硒太阳电池的非真空碱金属掺杂方法

    公开(公告)号:CN103077998A

    公开(公告)日:2013-05-01

    申请号:CN201110331854.4

    申请日:2011-10-26

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明涉及光伏太阳电池,公开了一种柔性衬底铜铟镓硒太阳电池的非真空碱金属掺杂方法。包括步骤一、制备带有Mo背电极的衬底;二、配制碱金属处理溶液;三、碱金属掺杂。本发明解决了现有技术的碱金属掺杂方式均是采用高真空沉积的方式,需要很大的设备投资,生产成本高,均匀性控制难度大等问题,取得了工艺简便、生产成本低、光电转换效率高、无污染等有益效果。

    一种分区应力调节式柔性薄膜电池串无损转移装置

    公开(公告)号:CN117894871A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202311679411.3

    申请日:2023-12-08

    IPC分类号: H01L31/18 H01L21/683

    摘要: 本发明提供了一种分区应力调节式柔性薄膜电池串无损转移装置,其特征在于,包括两个真空发生模块、结构架、真空吸附模块、缓冲层,所述真空发生模块和真空吸附模块安装在结构架上,所述结构架包含真空发生装置安装接口、两套真空气路、吸附模块安装接口,所述真空吸附模块包含吸附腔室、吸附面板,所述吸附腔室包括叠套的两个腔室,所述两套真空气路的一端分别连接两个真空发生模块,另一端分别连接真空吸附模块的两个腔室,所述缓冲层设置在所述吸附面板表面。本发明实现柔性薄膜太阳电池串高平面度吸附转移,提升电池布片定位精度,避免转移过程中对电池串间互联片的拉扯,大幅提升柔性薄膜电池组件制备成品率,促进柔性太阳电池空间工程应用。

    多结砷化镓太阳电池单体集成内联组件的制备方法

    公开(公告)号:CN110098273B

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:CN201910306580.X

    申请日:2019-04-17

    摘要: 一种多结砷化镓太阳电池单体集成内联组件的制备方法,使用激光刻蚀电池结构材料,采用连续两次刻蚀工艺,通过重复频率、焦距、加工速度等工艺参数的调整,可以精确控制每个刻槽的宽度和深度;通过对点胶工艺时点胶机移动速度和出胶电压、出胶频率的控制,使得聚酰亚胺胶填满第一刻槽,且不会大量溢出第一刻槽流入第二刻槽内;光刻工艺确定电极栅线位置时,在光学显微镜下可以使光刻板上显示的电极栅线图形与外延片上的刻槽精确对位。该方法避免了传统砷化镓组件采用多个单体电池通过金属互连片进行外部互联的方式,有效提高了组件布片率和加工效率,特别适合应用于高压太阳电池阵、高压激光电池等空间飞行器电源、地对空或空对空无线传能领域。

    多结砷化镓太阳电池单体集成内联组件的制备方法

    公开(公告)号:CN110098273A

    公开(公告)日:2019-08-06

    申请号:CN201910306580.X

    申请日:2019-04-17

    摘要: 一种多结砷化镓太阳电池单体集成内联组件的制备方法,使用激光刻蚀电池结构材料,采用连续两次刻蚀工艺,通过重复频率、焦距、加工速度等工艺参数的调整,可以精确控制每个刻槽的宽度和深度;通过对点胶工艺时点胶机移动速度和出胶电压、出胶频率的控制,使得聚酰亚胺胶填满第一刻槽,且不会大量溢出第一刻槽流入第二刻槽内;光刻工艺确定电极栅线位置时,在光学显微镜下可以使光刻板上显示的电极栅线图形与外延片上的刻槽精确对位。该方法避免了传统砷化镓组件采用多个单体电池通过金属互连片进行外部互联的方式,有效提高了组件布片率和加工效率,特别适合应用于高压太阳电池阵、高压激光电池等空间飞行器电源、地对空或空对空无线传能领域。

    超导磁体冷却装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106558392A

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201611114841.0

    申请日:2016-12-07

    发明人: 仇寻 陈雪 吴敏

    IPC分类号: H01F6/04

    CPC分类号: H01F6/04

    摘要: 本发明提供的超导磁体冷却装置,包括:导冷片,设置在超导线饼两侧,所述导冷片与相邻的之间电绝缘,每一超导线饼上具有多个均匀排布的连接孔;多个低温热管,垂直穿过导冷片,且穿过各个导冷片的连接孔,将各个导冷片连接,所述低温热管用于各个导冷片之间的热量传递。本发明解决了现有技术的超导冷却装置的热量传导效率不高、超导磁体的温度分布不均匀的问题。