公开(公告)号：CN116705879A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310623958.5

申请日：2023-05-30

Applicant: 上海空间电源研究所

Inventor： 钱勇 ,  占荣 ,  毕黎琛 ,  孙利杰 ,  杨洋 ,  刘勇 ,  吴敏

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/041 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种高末期效率空间太阳电池，包括Ge衬底，和依次层叠设置于所述Ge衬底表面的Ge子电池、缓冲层2、In0.63Ga0.37As0.65P0.35子电池、Ga0.07In0.93P子电池、缓冲层1和Ga0.51In0.49P子电池。本发明的高末期效率空间太阳电池通过InP基III‑V族化合物的不同组合，获得最优帯隙组合及电池效率，降低晶格位错迁移能阈值，辐照后实现空间太阳电池在工作温度下原位退火，提升电池载流子寿命，降低辐照后的电流衰降。综合得到辐照后末期效率(EOL)≥31％。