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公开(公告)号：CN117894873A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311730451.6
申请日：2023-12-15
申请人： 上海空间电源研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/052
摘要： 本发明提供一种石墨烯基柔性激光电池的制作方法，包括如下步骤：S1、在砷化镓衬底表面外延生长电池外延层功能薄膜；S2、在外延层和石墨烯基薄膜表面磁控溅射或者蒸镀一定厚度的金属层；S3、利用键合工艺将所述的电池外延层和石墨烯柔性衬底直接键合在一起；S4、选用腐蚀溶液对剥离层进行化学腐蚀去除，从而实现刚性衬底的分离；S5、电极及减反射膜制备。本发明设计的柔性叠层激光电池通过利用临时衬底转移技术，大大降低了键合界面的微观缺陷，改善了键合界面的质量，减小了电池薄膜化过程中光电转换的损失率。金属层和石墨烯基复合薄膜双层结构，能够直接将电池外延层产生的热量及时传递给散热衬底，大大改善了电池的散热性能。
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公开(公告)号：CN117894863A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311730449.9
申请日：2023-12-15
申请人： 上海空间电源研究所
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种用于薄膜太阳电池的低面密度柔性衬底及其制备方法。该衬底的特征在于，其包括顶层金属层(1)、中间聚合物层(2)、底层金属层(4)，中间聚合物层(2)中具有多个垂直的通孔(3)，通孔(3)中间填充有导电材料，从而使得顶层金属层(1)与底层金属层(4)电学导通。该方法特征在于，所述中间聚合物层(2)采用旋涂、喷涂或刷涂的工艺方式成膜，并采用光刻、掩模刻蚀或者压印的工艺方式实现图形化；所述中间聚合物层(2)中通孔(3)中的金属材料可采用溅射、蒸发、电镀的工艺方式制备。采用本发明的薄膜太阳电池不但具备良好的电导性，还具备轻质、柔性的特点，可极大程度上减小薄膜太阳电池整体的面密度。
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公开(公告)号：CN114213966B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111443016.6
申请日：2021-11-30
申请人： 上海空间电源研究所
IPC分类号： C09D179/08 , C09D7/61 , H01L31/04 , B22F9/24 , B22F1/0545 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种空间太阳电池阵表面用防护层及其制备方法，制备方法中，首先将带有活性官能团的硅氧烷的极性溶液和带有含氟官能团的二胺二酐的极性溶液混合，获得无气泡无分层的透明聚酰胺酸溶液，然后将含铈纳米粉末和含钛纳米粉末分别掺杂于透明聚酰胺酸溶液中，得到含铈的透明胶体和含钛的透明胶体，最后根据低中高轨空间环境的不同寿命需求，在空间太阳电池阵表面交替喷涂，得到本发明空间太阳电池阵表面用防护层。本发明方法具备可大规模化生产、工艺流程简单的优势，本发明防护层能实现微米级空间防护厚度，兼顾胶体粘合和封装防护的双重功能，具有更好的空间防护能力，拓宽了多种轨道空间环境、不同寿命时长下柔性防护层的工程应用。
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公开(公告)号：CN114213966A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111443016.6
申请日：2021-11-30
申请人： 上海空间电源研究所
IPC分类号： C09D179/08 , C09D7/61 , H01L31/04 , B22F9/24 , B22F1/0545 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种空间太阳电池阵表面用防护层及其制备方法，制备方法中，首先将带有活性官能团的硅氧烷的极性溶液和带有含氟官能团的二胺二酐的极性溶液混合，获得无气泡无分层的透明聚酰胺酸溶液，然后将含铈纳米粉末和含钛纳米粉末分别掺杂于透明聚酰胺酸溶液中，得到含铈的透明胶体和含钛的透明胶体，最后根据低中高轨空间环境的不同寿命需求，在空间太阳电池阵表面交替喷涂，得到本发明空间太阳电池阵表面用防护层。本发明方法具备可大规模化生产、工艺流程简单的优势，本发明防护层能实现微米级空间防护厚度，兼顾胶体粘合和封装防护的双重功能，具有更好的空间防护能力，拓宽了多种轨道空间环境、不同寿命时长下柔性防护层的工程应用。
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公开(公告)号：CN117894875A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311782809.X
申请日：2023-12-22
申请人： 上海空间电源研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/0392
摘要： 本发明公开了一种柔性可弯曲超薄太阳电池及其制备方法，包括以下步骤：S1，提供砷化镓衬底，在所述砷化镓衬底表面外延生长GaInP层、第一GaAs层和第二GaAs层；S2，采用湿法旋涂工艺在所述第二GaAs层表面制备高吸光材料层，与所述第二GaAs层构成GaAs/高吸光材料异质结构；S3，在所述高吸光材料层表面制备金属层，通过键合工艺与一柔性衬底贴合；S4，将由GaInP层、第一GaAs层和第二GaAs层、高吸光材料层、金属层和柔性衬底构成的结构从所述砷化镓衬底的表面剥离，得到柔性衬底支撑的外延层结构；S5，在所述GaInP层的剥离界面制备金属栅线电极和减反射膜，得到所述柔性可弯曲超薄太阳电池。
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公开(公告)号：CN101752241B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200810204629.2
申请日：2008-12-16
申请人： 上海空间电源研究所
IPC分类号： H01L21/308
摘要： 本发明公开了一种快速获得大面积GaAs衬底上外延薄膜的简单腐蚀工艺。该工艺主要包括1、样品腐蚀阻挡层的设计；2、真空无气泡粘结工艺；3、GaAs衬底的背面腐蚀前处理；4、样品的放置；5、衬底腐蚀溶液的选择和配比保持；6、溶液的搅动；7、腐蚀阻挡层的去除。本发明可以广泛应用于III-V高效太阳电池、大功率AlGaInP LED器件、GaAs基薄膜电子学器件等。
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公开(公告)号：CN101752302A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810204034.7
申请日：2008-12-04
申请人： 上海空间电源研究所
IPC分类号： H01L21/82
摘要： 本发明涉及太阳电池制造，公开了一种高效太阳电池新型圆角集成旁路二极管的制造方法，包括1、圆角集成旁路二极管图形光刻版设计与制作；2、圆角集成旁路二极管图形湿法化学腐蚀隔离槽；3、背面电极蒸发Pd/Ag/Au；4、集成二极管正面电极光刻版防短路设计与蒸发；5、减反射膜蒸发AlO/TiO；6、划片机电池分离；7、检测，本发明解决了这种太阳电池易受静电击穿和产量限制等问题，取得了成本低廉、实现十几层化合物半导体材料大面积均匀刻蚀、时间可控、可重复性高，以及器件可靠性改善等有益效果。
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公开(公告)号：CN116705879A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310623958.5
申请日：2023-05-30
申请人： 上海空间电源研究所
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/0304 , H01L31/041 , H01L31/06 , H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种高末期效率空间太阳电池，包括Ge衬底，和依次层叠设置于所述Ge衬底表面的Ge子电池、缓冲层2、In0.63Ga0.37As0.65P0.35子电池、Ga0.07In0.93P子电池、缓冲层1和Ga0.51In0.49P子电池。本发明的高末期效率空间太阳电池通过InP基III‑V族化合物的不同组合，获得最优帯隙组合及电池效率，降低晶格位错迁移能阈值，辐照后实现空间太阳电池在工作温度下原位退火，提升电池载流子寿命，降低辐照后的电流衰降。综合得到辐照后末期效率(EOL)≥31％。
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公开(公告)号：CN101752241A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810204629.2
申请日：2008-12-16
申请人： 上海空间电源研究所
IPC分类号： H01L21/308
摘要： 本发明公开了一种快速获得大面积GaAs衬底上外延薄膜的简单腐蚀工艺。该工艺主要包括1、样品腐蚀阻挡层的设计；2、真空无气泡粘结工艺；3、GaAs衬底的背面腐蚀前处理；4、样品的放置；5、衬底腐蚀溶液的选择和配比保持；6、溶液的搅动；7、腐蚀阻挡层的去除。本发明可以广泛应用于III-V高效太阳电池、大功率AlGaInP LED器件、GaAs基薄膜电子学器件等。
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