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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101752241A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810204629.2
申请日：2008-12-16
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明公开了一种快速获得大面积GaAs衬底上外延薄膜的简单腐蚀工艺。该工艺主要包括1、样品腐蚀阻挡层的设计；2、真空无气泡粘结工艺；3、GaAs衬底的背面腐蚀前处理；4、样品的放置；5、衬底腐蚀溶液的选择和配比保持；6、溶液的搅动；7、腐蚀阻挡层的去除。本发明可以广泛应用于III-V高效太阳电池、大功率AlGaInP LED器件、GaAs基薄膜电子学器件等。
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公开(公告)号：CN101752302A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810204034.7
申请日：2008-12-04
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L21/82
Abstract: 本发明涉及太阳电池制造，公开了一种高效太阳电池新型圆角集成旁路二极管的制造方法，包括1、圆角集成旁路二极管图形光刻版设计与制作；2、圆角集成旁路二极管图形湿法化学腐蚀隔离槽；3、背面电极蒸发Pd/Ag/Au；4、集成二极管正面电极光刻版防短路设计与蒸发；5、减反射膜蒸发AlO/TiO；6、划片机电池分离；7、检测，本发明解决了这种太阳电池易受静电击穿和产量限制等问题，取得了成本低廉、实现十几层化合物半导体材料大面积均匀刻蚀、时间可控、可重复性高，以及器件可靠性改善等有益效果。
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公开(公告)号：CN101752241B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200810204629.2
申请日：2008-12-16
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明公开了一种快速获得大面积GaAs衬底上外延薄膜的简单腐蚀工艺。该工艺主要包括1、样品腐蚀阻挡层的设计；2、真空无气泡粘结工艺；3、GaAs衬底的背面腐蚀前处理；4、样品的放置；5、衬底腐蚀溶液的选择和配比保持；6、溶液的搅动；7、腐蚀阻挡层的去除。本发明可以广泛应用于III-V高效太阳电池、大功率AlGaInP LED器件、GaAs基薄膜电子学器件等。
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公开(公告)号：CN101419990B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200710047428.1
申请日：2007-10-25
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/048 , H01L25/16 , H01L23/488
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种柔性薄膜太阳电池，包括：覆盖膜[110]、粘接剂层[120]与背面衬底膜[130]连接；粘接剂层[120]中具有若干由沉积在薄膜衬底上的太阳电池单元[100]；衬底两端通过导电银浆[170]实现电池单元组件串联；背面衬底膜[130]的两端各有一个互联条[161]，与最外端的太阳电池单元组件的电极相连；在太阳电池组件的一个引出端上设置有旁路二极管[140]。上述电池单元沉积在聚酯膜衬底或者金属箔衬底上。本发明取得了重量轻、适应环境温度宽、重量比功率大等有益效果。
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公开(公告)号：CN101419990A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200710047428.1
申请日：2007-10-25
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/048 , H01L25/16 , H01L23/488
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种柔性薄膜太阳电池，包括：覆盖膜[110]、粘接剂层[120]与背面衬底膜[130]连接；粘接剂层[120]中具有若干由沉积在薄膜衬底上的太阳电池单元[100]；衬底两端通过导电银浆[170]实现电池单元组件串联；背面衬底膜[130]的两端各有一个互联条[161]，与最外端的太阳电池单元组件的电极相连；在太阳电池组件的一个引出端上设置有旁路二极管[140]。上述电池单元沉积在聚酯膜衬底或者金属箔衬底上。本发明取得了重量轻、适应环境温度宽、重量比功率大等有益效果。
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