公开(公告)号：CN101752241B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN200810204629.2

申请日：2008-12-16

申请人： 上海空间电源研究所

发明人： 张玮 ,  杨湛林 ,  余甜甜 ,  陈鸣波 ,  张忠卫 ,  池卫英 ,  陆剑峰 ,  钱勇

IPC分类号： H01L21/308

摘要： 本发明公开了一种快速获得大面积GaAs衬底上外延薄膜的简单腐蚀工艺。该工艺主要包括1、样品腐蚀阻挡层的设计；2、真空无气泡粘结工艺；3、GaAs衬底的背面腐蚀前处理；4、样品的放置；5、衬底腐蚀溶液的选择和配比保持；6、溶液的搅动；7、腐蚀阻挡层的去除。本发明可以广泛应用于III-V高效太阳电池、大功率AlGaInP LED器件、GaAs基薄膜电子学器件等。

公开(公告)号：CN101764165A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200810207796.2

申请日：2008-12-25

申请人： 上海空间电源研究所 ,  上海太阳能工程技术研究中心有限公司

发明人： 王亮兴 ,  陈鸣波 ,  张玮 ,  李红波 ,  池卫英 ,  余甜甜 ,  张梦炎 ,  陆剑锋

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本发明涉及一种多结砷化镓太阳电池，它包括主要由GaInP构成的顶电池、主要由InGaAs构成的中电池和主要由Ge构成的底电池，在顶电池和中电池之间设有AlInP(p+)/AlGaAs(p++)-GaInP(n++)/AlInP(n+)或AlGaInP(p+)/AlGaAs(p++)-GaInP(n++)/AlInP(n+)隧穿结连接结构。本发明的多结砷化镓太阳电池由于采用了以上隧穿结连接结构，不仅能够显著减少入射光的反射，改善中电池的电流密度，还可以提高三结电池的转换效率。

公开(公告)号：CN101355111A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200710044257.7

申请日：2007-07-26

申请人： 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 ,  上海空间电源研究所

发明人： 王亮兴 ,  李红波 ,  袁爱宜 ,  余甜甜 ,  陈鸣波

IPC分类号： H01L31/052 ,  H01L31/024

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本发明公开了一种低热阻聚光太阳电池的散热结构，属太阳能应用技术领域。该散热结构包括具有正面电极(11)和背面电极(12)的聚光太阳电池(1)、金属导线(2)、导热绝缘层(3)、散热基体(4)和金属层(21、22)，其中，背面电极(12)连接于附有金属层(21)的散热基体(4)上；正面电极(11)通过金属导线(2)连接于另一金属层(22)，该金属层(22)通过导热绝缘层(3)与散热基体(4)绝缘。本发明具有传热快、可靠性高、成本低等优点，可用于太阳能聚光太阳电池组件。

公开(公告)号：CN101752241A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810204629.2

申请日：2008-12-16

申请人： 上海空间电源研究所

发明人： 张玮 ,  杨湛林 ,  余甜甜 ,  陈鸣波 ,  张忠卫 ,  池卫英 ,  陆剑峰 ,  钱勇

IPC分类号： H01L21/308

摘要： 本发明公开了一种快速获得大面积GaAs衬底上外延薄膜的简单腐蚀工艺。该工艺主要包括1、样品腐蚀阻挡层的设计；2、真空无气泡粘结工艺；3、GaAs衬底的背面腐蚀前处理；4、样品的放置；5、衬底腐蚀溶液的选择和配比保持；6、溶液的搅动；7、腐蚀阻挡层的去除。本发明可以广泛应用于III-V高效太阳电池、大功率AlGaInP LED器件、GaAs基薄膜电子学器件等。

公开(公告)号：CN101355107A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200710044258.1

申请日：2007-07-26

申请人： 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 ,  上海空间电源研究所

发明人： 王亮兴 ,  李红波 ,  袁爱宜 ,  余甜甜 ,  陈鸣波

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/05 ,  H01L31/052

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本发明公开了一种聚光太阳电池的组装结构，属太阳能应用技术领域。该组装结构由印制版电路、聚光太阳电池和散热板组成，聚光太阳电池(8)和印制版电路(4)置于散热板(1)上，相邻聚光太阳电池(8)之间通过印制版电路(4)连接。本发明由于采用了整体式的印制版电路将聚光太阳电池直接连接起来，简化了聚光太阳电池的组装结构和过程，并提高了组装精度和可靠性。该结构可用于太阳能聚光光伏发电装置，为聚光太阳电池组件的批量生产和大规模应用提供了一种可行途径。

公开(公告)号：CN101764174A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200810207794.3

申请日：2008-12-25

申请人： 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 ,  上海空间电源研究所

发明人： 王亮兴 ,  李红波 ,  张玮 ,  池卫英 ,  姜德鹏 ,  余甜甜 ,  袁爱谊 ,  陈鸣波

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法，它包括在锗单晶片衬底上制作多结砷化镓外延片、在外延片上涂布一层黑胶保护层，衬底采用腐蚀工艺减薄厚度、在衬底镀一层钯/银/金作为下电极、在外延片上采用负胶光刻工艺光刻出电极图形，并在电极图形上镀金锗镍/银/金作为上电极、在上电极上再蒸镀一层减反射膜以及去胶金属化后划成需要的尺寸等步骤。本发明聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法采用刻槽和腐蚀台面工艺，降低了电池的漏电流损失，提高了填充因子和开路电压，因此效率也显著提高，产品合格率也显著增加。

公开(公告)号：CN201397817Y

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200820157852.1

申请日：2008-12-25

申请人： 上海空间电源研究所 ,  上海太阳能工程技术研究中心有限公司

发明人： 王亮兴 ,  陈鸣波 ,  张玮 ,  李红波 ,  池卫英 ,  余甜甜 ,  张梦炎 ,  陆剑锋

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本实用新型涉及一种多结砷化镓太阳电池，它包括主要由GaInP构成的顶电池、主要由InGaAs构成的中电池和主要由Ge构成的底电池，在顶电池和中电池之间设有AlInP(p+)/AlGaAs(p++)－GaInP(n++)/AlInP(n+)或AlGaInP(p+)/AlGaAs(p++)－GaInP(n++)/AlInP(n+)隧穿结连接结构。本实用新型的多结砷化镓太阳电池由于采用了以上隧穿结连接结构，不仅能够显著减少入射光的反射，改善中电池的电流密度，还可以提高三结电池的转换效率。