-
公开(公告)号：CN101355111A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200710044257.7
申请日：2007-07-26
申请人： 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 , 上海空间电源研究所
IPC分类号： H01L31/052 , H01L31/024
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种低热阻聚光太阳电池的散热结构，属太阳能应用技术领域。该散热结构包括具有正面电极(11)和背面电极(12)的聚光太阳电池(1)、金属导线(2)、导热绝缘层(3)、散热基体(4)和金属层(21、22)，其中，背面电极(12)连接于附有金属层(21)的散热基体(4)上；正面电极(11)通过金属导线(2)连接于另一金属层(22)，该金属层(22)通过导热绝缘层(3)与散热基体(4)绝缘。本发明具有传热快、可靠性高、成本低等优点，可用于太阳能聚光太阳电池组件。
-
公开(公告)号：CN101764165A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810207796.2
申请日：2008-12-25
申请人： 上海空间电源研究所 , 上海太阳能工程技术研究中心有限公司
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明涉及一种多结砷化镓太阳电池，它包括主要由GaInP构成的顶电池、主要由InGaAs构成的中电池和主要由Ge构成的底电池，在顶电池和中电池之间设有AlInP(p+)/AlGaAs(p++)-GaInP(n++)/AlInP(n+)或AlGaInP(p+)/AlGaAs(p++)-GaInP(n++)/AlInP(n+)隧穿结连接结构。本发明的多结砷化镓太阳电池由于采用了以上隧穿结连接结构，不仅能够显著减少入射光的反射，改善中电池的电流密度，还可以提高三结电池的转换效率。
-
公开(公告)号：CN101764174A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810207794.3
申请日：2008-12-25
申请人： 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 , 上海空间电源研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法，它包括在锗单晶片衬底上制作多结砷化镓外延片、在外延片上涂布一层黑胶保护层，衬底采用腐蚀工艺减薄厚度、在衬底镀一层钯/银/金作为下电极、在外延片上采用负胶光刻工艺光刻出电极图形，并在电极图形上镀金锗镍/银/金作为上电极、在上电极上再蒸镀一层减反射膜以及去胶金属化后划成需要的尺寸等步骤。本发明聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法采用刻槽和腐蚀台面工艺，降低了电池的漏电流损失，提高了填充因子和开路电压，因此效率也显著提高，产品合格率也显著增加。
-
公开(公告)号：CN101355107A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200710044258.1
申请日：2007-07-26
申请人： 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 , 上海空间电源研究所
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/05 , H01L31/052
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种聚光太阳电池的组装结构，属太阳能应用技术领域。该组装结构由印制版电路、聚光太阳电池和散热板组成，聚光太阳电池(8)和印制版电路(4)置于散热板(1)上，相邻聚光太阳电池(8)之间通过印制版电路(4)连接。本发明由于采用了整体式的印制版电路将聚光太阳电池直接连接起来，简化了聚光太阳电池的组装结构和过程，并提高了组装精度和可靠性。该结构可用于太阳能聚光光伏发电装置，为聚光太阳电池组件的批量生产和大规模应用提供了一种可行途径。
-
公开(公告)号：CN201397817Y
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200820157852.1
申请日：2008-12-25
申请人： 上海空间电源研究所 , 上海太阳能工程技术研究中心有限公司
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本实用新型涉及一种多结砷化镓太阳电池，它包括主要由GaInP构成的顶电池、主要由InGaAs构成的中电池和主要由Ge构成的底电池，在顶电池和中电池之间设有AlInP(p+)/AlGaAs(p++)－GaInP(n++)/AlInP(n+)或AlGaInP(p+)/AlGaAs(p++)－GaInP(n++)/AlInP(n+)隧穿结连接结构。本实用新型的多结砷化镓太阳电池由于采用了以上隧穿结连接结构，不仅能够显著减少入射光的反射，改善中电池的电流密度，还可以提高三结电池的转换效率。
-
公开(公告)号：CN101377010A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200710045392.3
申请日：2007-08-30
申请人： 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 , 上海太阳能科技有限公司
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00 , C01B33/037
摘要： 本发明公开了一种制造太阳能级多晶硅的装置，包括：真空室[1]，其上方设有加料器[3]，其内设置有悬浮熔炼坩锅[2]。悬浮熔炼坩锅[2]的外围绕有感应线圈[5]、上方设有感应等离子发生器[4]、下方设有由定向凝固机构[8]控制的水冷底盘[6]及其升降装置。水冷底盘[6]下拉行程四周设有石墨加热套[7]。本发明还公开了一种太阳能级多晶硅的制造方法，其步骤为：1.原料选择；2.熔化；3.悬浮熔炼；4.等离子除杂；5.定向凝固成型；6.连续加料。本发明在一台设备中实现了等离子熔炼、悬浮熔炼和定向凝固工艺，取得了连续、快速、高效生产低成本太阳能级多晶硅的有益效果。
-
公开(公告)号：CN101875504A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200910050434.1
申请日：2009-04-30
申请人： 内蒙古神舟硅业有限责任公司 , 上海太阳能工程技术研究中心有限公司
IPC分类号： C01G9/04
摘要： 本发明涉及金属化合物的制造，公开了一种高纯无水氯化锌的制造方法，包括：1.在反应池中加入4#锌，熔化成液体；2.加入液体四氯化硅进行还原；3.加入盐酸反应过量的锌；4.通入氮气或氩气，升温蒸发，除去盐酸；后升温到氯化锌沸点，获得高纯无水氯化锌蒸气；5.将高纯无水的氯化锌蒸气导入收集器自然冷却，获得无水氯化锌粉末。本发明解决了硫化锌制造成本高，以及四氯化硅有毒物的利用问题，取得了成本低、产品质量高，并利用有毒废物，有利于环境保护等有益效果。
-
公开(公告)号：CN102569433B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201010597396.4
申请日：2010-12-17
申请人： 上海空间电源研究所
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0352
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种薄膜太阳电池用复合背反射金属电极，它是一种复合多层膜，在衬底上依次沉积过渡层金属、银膜和掺铝氧化锌。本发明还公开了该复合背反射金属电极的制备方法。本发明复合背反射金属电极由于过渡层金属与柔性衬底有优异的黏附力，使得所沉积的各层薄膜不易从衬底上脱落；同时，银膜具有明显的织构，形成陷光结构，增强了入射光的反射，使得入射光在电池吸收层中的吸收更充分，提高电池性能；掺铝氧化锌具有合适的厚度，不仅阻止银在电池制备过程中扩散进入电池，还可以起到覆盖银膜表面尖峰以及增强反射光的作用。因此，本发明提高了薄膜与衬底之间的结合力，显著提高电池性能和均匀性。
-
公开(公告)号：CN101752241B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200810204629.2
申请日：2008-12-16
申请人： 上海空间电源研究所
IPC分类号： H01L21/308
摘要： 本发明公开了一种快速获得大面积GaAs衬底上外延薄膜的简单腐蚀工艺。该工艺主要包括1、样品腐蚀阻挡层的设计；2、真空无气泡粘结工艺；3、GaAs衬底的背面腐蚀前处理；4、样品的放置；5、衬底腐蚀溶液的选择和配比保持；6、溶液的搅动；7、腐蚀阻挡层的去除。本发明可以广泛应用于III-V高效太阳电池、大功率AlGaInP LED器件、GaAs基薄膜电子学器件等。
-
公开(公告)号：CN101419990B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200710047428.1
申请日：2007-10-25
申请人： 上海空间电源研究所
IPC分类号： H01L31/048 , H01L25/16 , H01L23/488
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种柔性薄膜太阳电池，包括：覆盖膜[110]、粘接剂层[120]与背面衬底膜[130]连接；粘接剂层[120]中具有若干由沉积在薄膜衬底上的太阳电池单元[100]；衬底两端通过导电银浆[170]实现电池单元组件串联；背面衬底膜[130]的两端各有一个互联条[161]，与最外端的太阳电池单元组件的电极相连；在太阳电池组件的一个引出端上设置有旁路二极管[140]。上述电池单元沉积在聚酯膜衬底或者金属箔衬底上。本发明取得了重量轻、适应环境温度宽、重量比功率大等有益效果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
20 条记录 (耗时 0.108 秒)
