一种空间用可伐/银金属层状复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106711261B

    公开(公告)日:2018-05-29

    申请号:CN201510781902.8

    申请日:2015-11-16

    CPC分类号: Y02E10/50

    摘要: 本发明涉及空间用可伐/银金属层状复合材料及其制备方法,复合材料包括:一层Kovar合金箔片;两层纯银箔,由作为面层的纯银箔和作为中间层的Kovar合金箔片构成叠层“三明治”结构,上中下三层之间通过轧制复合形成化学键连接成一体。制备方法,按照纯银箔、Kovar合金箔片和纯银箔的顺序叠成“三明治”结构的组合坯料;将组合坯料进行热轧制复合连接;轧制复合后,在惰性气体气氛下进一步退火处理,退火处理完成后,获得空间用可伐/银金属层状复合材料。本发明的复合材料具有良好的空间环境适应性、导热性、导电性和可焊性,满足空间电子封装应用要求;制作工艺简单、质量稳定可控、操作方便、可实现大面积自动化卷对卷批量生产。

    空间静电防护太阳电池阵互连封装结构及方法

    公开(公告)号:CN106549072A

    公开(公告)日:2017-03-29

    申请号:CN201611108863.6

    申请日:2016-12-06

    IPC分类号: H01L31/048 H01L23/60

    摘要: 本发明公开了空间静电防护太阳电池阵互连封装结构及方法,本发明公开的空间静电防护太阳电池阵互连封装结构包括:基板、太阳电池、抗辐照导电玻璃盖片;所述基板表面涂覆一层高阻导电胶,将太阳电池粘贴在基板表面,所述太阳电池一个缺角与旁路二极管并联,所述抗辐照导电玻璃盖片导电层远离太阳电池,覆盖于太阳电池表面;所述抗辐照导电玻璃盖片一个角的上、下表面及对应侧面镀有金属薄膜;所述金属薄膜通过高阻导电胶与旁路二级管串联。本发明方法不仅与传统太阳电池阵装配工艺兼容,且简单、可靠,可实现自动化装配等。

    大面积GaAs衬底腐蚀工艺
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101752241B

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN200810204629.2

    申请日:2008-12-16

    IPC分类号: H01L21/308

    摘要: 本发明公开了一种快速获得大面积GaAs衬底上外延薄膜的简单腐蚀工艺。该工艺主要包括1、样品腐蚀阻挡层的设计;2、真空无气泡粘结工艺;3、GaAs衬底的背面腐蚀前处理;4、样品的放置;5、衬底腐蚀溶液的选择和配比保持;6、溶液的搅动;7、腐蚀阻挡层的去除。本发明可以广泛应用于III-V高效太阳电池、大功率AlGaInP LED器件、GaAs基薄膜电子学器件等。