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公开(公告)号：CN103151429B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310101351.7
申请日：2013-03-27
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于改善铜铟镓硒薄膜材料表层质量的化学处理方法，其包含：步骤1，将玻璃衬底上涂覆有Mo层和CIGS薄膜的样品放入酒精溶液中浸泡5~10min，取出后在30~50℃下热处理30~60s；步骤2，配制含去离子水、氨水和锌盐的化学处理液，其中，氨水浓度为3mol/L，锌盐浓度为0～1×10-2mol/L，将步骤1中采用热处理后的样品，放入上述化学处理液中，经过7-10min浸润后取出样品，用干燥氮气吹干样品表面残留溶液，完成CIGS薄膜材料表层质量的化学处理。本发明通过化学溶液浸润处理的方法，以减少表层的杂质，使得锌离子扩散进入表层并占据Cu空位，修复表面缺陷态，且可形成浅埋结，从而改善CIGS薄膜材料表层质量，工艺简单，材料成本低，适合铜铟镓硒薄膜太阳电池的规模化生产。
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公开(公告)号：CN103618030A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310614564.X
申请日：2013-11-28
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/188
Abstract: 本发明提供了一种柔性PI衬底CIGS薄膜电池激光刻蚀单体集成组件的方法，该方法包含：步骤1，使用激光对电池由顶电极一直刻划到PI衬底的上表面，形成第一沟道；步骤2，对第一沟道涂覆填充绝缘胶；步骤3，使用激光对电池由顶电极一直刻划到背电极的上表面，形成第二沟道；步骤4，在第二沟道以及顶电极上且由第二沟道的顶部延伸并越过第一沟道的顶部涂覆银浆；步骤5，使用激光对电池由顶电极刻蚀到高阻层的上表面，形成第三沟道，完成CIGS薄膜电池的内连式互联。本发明在铜铟镓硒薄膜电池生长完后对电池进行内连，可以避免像传统的分离式刻划需要在沉积不同层的材料后分别刻划，提高电池内连的加工效率，并且材料成本低。
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公开(公告)号：CN103618030B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310614564.X
申请日：2013-11-28
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种柔性PI衬底CIGS薄膜电池激光刻蚀单体集成组件的方法，该方法包含：步骤1，使用激光对电池由顶电极一直刻划到PI衬底的上表面，形成第一沟道；步骤2，对第一沟道涂覆填充绝缘胶；步骤3，使用激光对电池由顶电极一直刻划到背电极的上表面，形成第二沟道；步骤4，在第二沟道以及顶电极上且由第二沟道的顶部延伸并越过第一沟道的顶部涂覆银浆；步骤5，使用激光对电池由顶电极刻蚀到高阻层的上表面，形成第三沟道，完成CIGS薄膜电池的内连式互联。本发明在铜铟镓硒薄膜电池生长完后对电池进行内连，可以避免像传统的分离式刻划需要在沉积不同层的材料后分别刻划，提高电池内连的加工效率，并且材料成本低。
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公开(公告)号：CN103151429A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310101351.7
申请日：2013-03-27
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于改善铜铟镓硒薄膜材料表层质量的化学处理方法，其包含：步骤1，将玻璃衬底上涂覆有Mo层和CIGS薄膜的样品放入酒精溶液中浸泡5~10min，取出后在30~50℃下热处理30~60s；步骤2，配制含去离子水、氨水和锌盐的化学处理液，其中，氨水浓度为3mol/L，锌盐浓度为0～1×10-2mol/L，将步骤1中采用热处理后的样品，放入上述化学处理液中，经过7-10min浸润后取出样品，用干燥氮气吹干样品表面残留溶液，完成CIGS薄膜材料表层质量的化学处理。本发明通过化学溶液浸润处理的方法，以减少表层的杂质，使得锌离子扩散进入表层并占据Cu空位，修复表面缺陷态，且可形成浅埋结，从而改善CIGS薄膜材料表层质量，工艺简单，材料成本低，适合铜铟镓硒薄膜太阳电池的规模化生产。
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