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公开(公告)号：CN106585956A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610957607.8
申请日：2016-11-03
Applicant: 上海空间电源研究所
Abstract: 本发明涉及大尺寸机翼的薄硅太阳电池组件一体化赋形方法及结构，所述方法包括：A）将薄硅太阳电池组件铺在机翼曲面表面上；B）用机翼表面蒙皮封装所述薄硅太阳电池组件；C）抽出封装内的空气，在负压作用下，所述薄硅太阳电池组件与机翼曲面表面、机翼表面蒙皮与所述薄硅太阳电池组件及机翼曲面表面密封贴合，实现薄硅太阳电池组件一体化赋形。本发明涉及大尺寸机翼的薄硅太阳电池组件一体化赋形方法及结构，解决了大尺寸机翼薄硅太阳电池组件铺装难度大，铺装过程易损坏的技术问题。
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公开(公告)号：CN106452339A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610960759.3
申请日：2016-11-04
Applicant: 上海空间电源研究所
Abstract: 一种低温反射式聚光太阳电池阵，包括太阳电池阵基板、太阳电池两侧聚光系统；太阳电池两侧聚光系统由形状记忆合金膜和大面积柔性反光镜组成，太阳电池阵两侧聚光系统面积和太阳电池阵面积相等；太阳电池阵阵面聚光器为人字形状，夹角为60o，人字形两边长度与太阳电池长边相同；太阳电池底部散热系统为太阳电池两侧聚光系统中记忆合金一体后分布在太阳电池底部。本发明提供了一种低温反射式聚光太阳电池阵，其结构简单、几何聚光比达到2.0，有效降低电池阵表面温度40~50℃，从而提高太阳电池阵效率，有效降低太阳电池阵成本。
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公开(公告)号：CN103618030B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310614564.X
申请日：2013-11-28
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种柔性PI衬底CIGS薄膜电池激光刻蚀单体集成组件的方法，该方法包含：步骤1，使用激光对电池由顶电极一直刻划到PI衬底的上表面，形成第一沟道；步骤2，对第一沟道涂覆填充绝缘胶；步骤3，使用激光对电池由顶电极一直刻划到背电极的上表面，形成第二沟道；步骤4，在第二沟道以及顶电极上且由第二沟道的顶部延伸并越过第一沟道的顶部涂覆银浆；步骤5，使用激光对电池由顶电极刻蚀到高阻层的上表面，形成第三沟道，完成CIGS薄膜电池的内连式互联。本发明在铜铟镓硒薄膜电池生长完后对电池进行内连，可以避免像传统的分离式刻划需要在沉积不同层的材料后分别刻划，提高电池内连的加工效率，并且材料成本低。
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公开(公告)号：CN105161571A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510550361.8
申请日：2015-09-01
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/0322
Abstract: 本发明涉及光伏太阳电池技术领域，公开了一种在柔性衬底上采用非真空纳米晶印刷涂膜制备铜铟硒硫吸收层的方法；步骤包括：一、柔性衬底（金属箔或聚酰亚胺）上沉积背电极Mo；二、以十八烯试剂作为反应介质采用溶液前驱体反应的加热合成方法，制备铜铟硫纳米晶，通过控制升温速率、加热温度等条件，调整并控制铜铟元素比例；三、将制备的纳米晶材料干燥后溶解于有机试剂，形成纳米晶墨液，利用线棒印刷装置将纳米晶墨液印刷涂覆在带有Mo背电极的柔性衬底上，形成一层厚度均匀的纳米铜铟硫膜层；四、将薄膜样品放置于真空干燥箱中进行低温退火热处理，经过热处理后的薄膜样品放置于硒化设备中进行硒化反应，铜铟硒硫吸收层制备完成。
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公开(公告)号：CN103151429A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310101351.7
申请日：2013-03-27
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于改善铜铟镓硒薄膜材料表层质量的化学处理方法，其包含：步骤1，将玻璃衬底上涂覆有Mo层和CIGS薄膜的样品放入酒精溶液中浸泡5~10min，取出后在30~50℃下热处理30~60s；步骤2，配制含去离子水、氨水和锌盐的化学处理液，其中，氨水浓度为3mol/L，锌盐浓度为0～1×10-2mol/L，将步骤1中采用热处理后的样品，放入上述化学处理液中，经过7-10min浸润后取出样品，用干燥氮气吹干样品表面残留溶液，完成CIGS薄膜材料表层质量的化学处理。本发明通过化学溶液浸润处理的方法，以减少表层的杂质，使得锌离子扩散进入表层并占据Cu空位，修复表面缺陷态，且可形成浅埋结，从而改善CIGS薄膜材料表层质量，工艺简单，材料成本低，适合铜铟镓硒薄膜太阳电池的规模化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106585956B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201610957607.8
申请日：2016-11-03
Applicant: 上海空间电源研究所
Abstract: 本发明涉及大尺寸机翼的薄硅太阳电池组件一体化赋形方法及结构，所述方法包括：A）将薄硅太阳电池组件铺在机翼曲面表面上；B）用机翼表面蒙皮封装所述薄硅太阳电池组件；C）抽出封装内的空气，在负压作用下，所述薄硅太阳电池组件与机翼曲面表面、机翼表面蒙皮与所述薄硅太阳电池组件及机翼曲面表面密封贴合，实现薄硅太阳电池组件一体化赋形。本发明涉及大尺寸机翼的薄硅太阳电池组件一体化赋形方法及结构，解决了大尺寸机翼薄硅太阳电池组件铺装难度大，铺装过程易损坏的技术问题。
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公开(公告)号：CN103151429B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310101351.7
申请日：2013-03-27
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于改善铜铟镓硒薄膜材料表层质量的化学处理方法，其包含：步骤1，将玻璃衬底上涂覆有Mo层和CIGS薄膜的样品放入酒精溶液中浸泡5~10min，取出后在30~50℃下热处理30~60s；步骤2，配制含去离子水、氨水和锌盐的化学处理液，其中，氨水浓度为3mol/L，锌盐浓度为0～1×10-2mol/L，将步骤1中采用热处理后的样品，放入上述化学处理液中，经过7-10min浸润后取出样品，用干燥氮气吹干样品表面残留溶液，完成CIGS薄膜材料表层质量的化学处理。本发明通过化学溶液浸润处理的方法，以减少表层的杂质，使得锌离子扩散进入表层并占据Cu空位，修复表面缺陷态，且可形成浅埋结，从而改善CIGS薄膜材料表层质量，工艺简单，材料成本低，适合铜铟镓硒薄膜太阳电池的规模化生产。
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公开(公告)号：CN103618030A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310614564.X
申请日：2013-11-28
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/188
Abstract: 本发明提供了一种柔性PI衬底CIGS薄膜电池激光刻蚀单体集成组件的方法，该方法包含：步骤1，使用激光对电池由顶电极一直刻划到PI衬底的上表面，形成第一沟道；步骤2，对第一沟道涂覆填充绝缘胶；步骤3，使用激光对电池由顶电极一直刻划到背电极的上表面，形成第二沟道；步骤4，在第二沟道以及顶电极上且由第二沟道的顶部延伸并越过第一沟道的顶部涂覆银浆；步骤5，使用激光对电池由顶电极刻蚀到高阻层的上表面，形成第三沟道，完成CIGS薄膜电池的内连式互联。本发明在铜铟镓硒薄膜电池生长完后对电池进行内连，可以避免像传统的分离式刻划需要在沉积不同层的材料后分别刻划，提高电池内连的加工效率，并且材料成本低。
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公开(公告)号：CN109698312A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811487505.X
申请日：2018-12-06
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01M4/04 , H01M4/1395 , H01M10/0525 , C23C16/513 , C23C16/24
Abstract: 本发明提供一种用于锂电池的初晶态纳米硅负极材料的制备方法，包括以下步骤：选取导电薄膜材料，按照使用的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备的载具尺寸进行裁切作为衬底材料；对衬底进行氢等离子轰击清洗；通入氢气、硅烷等工艺气体，设置合适的沉积工艺条件，在铜箔衬底上沉积制备200～1000nm厚度的初晶态纳米硅负极材料。本发明提供的用于锂电池的初晶态纳米硅负极材料及其制备方法，采用光伏行业普遍采用的PECVD设备，制备的初晶态纳米硅材料的厚度均匀性以及与衬底的附着性良好，作为锂电池的负极材料，与传统的石墨负极材料比较，可以大幅度提高锂电负极的质量比容量等电性能指标。
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公开(公告)号：CN109491444A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811357387.0
申请日：2018-11-15
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: G05F1/67
Abstract: 本发明提供长航时太阳能无人机能源系统的峰值功率点跟踪方法，其中，峰值功率点跟踪初始化单元根据实际太阳阵电压参数范围设置太阳阵电压信号，对应于整个范围的中间值；峰值功率点跟踪过程单元设定当实时太阳阵输出功率变化率连续两次变化小于1％时，认为跟踪到峰值功率点；跳出峰值功率点单元在跟踪到峰值功率点之后，保持当前参考太阳阵电压不变，且实时太阳阵输出功率变化率连续两次大于3％时，跳出当前峰值功率点并重新跟踪。针对长航时太阳能无人机复杂的飞行工况，不仅具有跟踪速度快、跟踪精度高、抗干扰能力强等特点，而且符合长航时太阳能无人机对于能源系统的高可靠需求，为临近空间飞行器能源传输技术提供参考与帮助。
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