公开(公告)号：CN103077998A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201110331854.4

申请日：2011-10-26

Applicant: 上海空间电源研究所

Inventor： 吴敏 ,  曹章轶 ,  徐传明 ,  钱峰伟

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及光伏太阳电池，公开了一种柔性衬底铜铟镓硒太阳电池的非真空碱金属掺杂方法。包括步骤一、制备带有Mo背电极的衬底；二、配制碱金属处理溶液；三、碱金属掺杂。本发明解决了现有技术的碱金属掺杂方式均是采用高真空沉积的方式，需要很大的设备投资，生产成本高，均匀性控制难度大等问题，取得了工艺简便、生产成本低、光电转换效率高、无污染等有益效果。

公开(公告)号：CN101752453A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810204033.2

申请日：2008-12-04

Applicant: 上海空间电源研究所

Inventor： 曹章轶 ,  徐传明 ,  王小顺 ,  马贤芳

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及光伏电池制造方法，公开了一种玻璃衬底双面铜铟镓硒薄膜太阳电池组件的制备方法；包括：一、在玻璃衬底[10]的两面沉积背电极[11]和[12]，对背电极激光刻划；二、在两面的背电极上沉积吸收层[13]和[14]；其中，迎光面吸收层[13]为宽带隙吸收层；背光面吸收层[14]为窄带隙吸收层；三、沉积缓冲层[15]和[16]；四、机械刻划；五、沉积透明电极层[17]和[18]；六、透明电极机械刻划；七、封装。本发明有效地提高了铜铟镓硒吸收层对光能的吸收，取得了结构简单、光电转换效率高、无污染和工艺简便等有益效果。

公开(公告)号：CN103618030B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201310614564.X

申请日：2013-11-28

Applicant: 上海空间电源研究所

Inventor： 张冬冬 ,  吴敏 ,  徐传明 ,  曹章轶 ,  张德涛 ,  陈亮

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种柔性PI衬底CIGS薄膜电池激光刻蚀单体集成组件的方法，该方法包含：步骤1，使用激光对电池由顶电极一直刻划到PI衬底的上表面，形成第一沟道；步骤2，对第一沟道涂覆填充绝缘胶；步骤3，使用激光对电池由顶电极一直刻划到背电极的上表面，形成第二沟道；步骤4，在第二沟道以及顶电极上且由第二沟道的顶部延伸并越过第一沟道的顶部涂覆银浆；步骤5，使用激光对电池由顶电极刻蚀到高阻层的上表面，形成第三沟道，完成CIGS薄膜电池的内连式互联。本发明在铜铟镓硒薄膜电池生长完后对电池进行内连，可以避免像传统的分离式刻划需要在沉积不同层的材料后分别刻划，提高电池内连的加工效率，并且材料成本低。

公开(公告)号：CN101752454B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN200810204035.1

申请日：2008-12-04

Applicant: 上海空间电源研究所

Inventor： 徐传明 ,  曹章轶 ,  马贤芳 ,  王小顺

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种具有陷光结构的超薄铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法。包括：在衬底上依次沉积背电极Mo膜[11]、Ag膜[12]，透明导电ZnO:Al薄膜[13]、MoSe2薄膜[14]、吸收层[15]、Zn(S，O，OH)缓冲层[16]、透明窗口层SnO2:In[17]、电极Ni/Al复合薄膜[18]和减反射层MgF2薄膜[19]，吸收层厚度为0.3μm～1μm。在电池吸收层[15]薄膜内产生“V”型带隙梯度分布，从而实现超薄铜铟镓硒薄膜太阳电池的陷光结构制备。应用本发明，可减少吸收层薄化导致的光学与电学损失，提高了电池转化效率。本发明取得了工艺简单、材料成本低、无污染等有益效果。

公开(公告)号：CN103151429A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310101351.7

申请日：2013-03-27

Applicant: 上海空间电源研究所

Inventor： 张德涛 ,  徐传明 ,  曹章轶 ,  吴敏 ,  张冬冬

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种用于改善铜铟镓硒薄膜材料表层质量的化学处理方法，其包含：步骤1，将玻璃衬底上涂覆有Mo层和CIGS薄膜的样品放入酒精溶液中浸泡5~10min，取出后在30~50℃下热处理30~60s；步骤2，配制含去离子水、氨水和锌盐的化学处理液，其中，氨水浓度为3mol/L，锌盐浓度为0～1×10-2mol/L，将步骤1中采用热处理后的样品，放入上述化学处理液中，经过7-10min浸润后取出样品，用干燥氮气吹干样品表面残留溶液，完成CIGS薄膜材料表层质量的化学处理。本发明通过化学溶液浸润处理的方法，以减少表层的杂质，使得锌离子扩散进入表层并占据Cu空位，修复表面缺陷态，且可形成浅埋结，从而改善CIGS薄膜材料表层质量，工艺简单，材料成本低，适合铜铟镓硒薄膜太阳电池的规模化生产。

公开(公告)号：CN101752454A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810204035.1

申请日：2008-12-04

Applicant: 上海空间电源研究所

Inventor： 徐传明 ,  曹章轶 ,  马贤芳 ,  王小顺

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种具有陷光结构的超薄铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法。包括：在衬底上依次沉积背电极Mo膜[11]、Ag膜[12]，透明导电ZnO:Al薄膜[13]、MoSe2薄膜[14]、吸收层[15]、Zn(S，O，OH)缓冲层[16]、透明窗口层SnO2:In[17]、电极Ni/Al复合薄膜[18]和减反射层MgF2薄膜[19]，吸收层厚度为0.3μm～1μm。在电池吸收层[15]薄膜内产生“V”型带隙梯度分布，从而实现超薄铜铟镓硒薄膜太阳电池的陷光结构制备。应用本发明，可减少吸收层薄化导致的光学与电学损失，提高了电池转化效率。本发明取得了工艺简单、材料成本低、无污染等有益效果。

公开(公告)号：CN103151429B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201310101351.7

申请日：2013-03-27

Applicant: 上海空间电源研究所

Inventor： 张德涛 ,  徐传明 ,  曹章轶 ,  吴敏 ,  张冬冬

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种用于改善铜铟镓硒薄膜材料表层质量的化学处理方法，其包含：步骤1，将玻璃衬底上涂覆有Mo层和CIGS薄膜的样品放入酒精溶液中浸泡5~10min，取出后在30~50℃下热处理30~60s；步骤2，配制含去离子水、氨水和锌盐的化学处理液，其中，氨水浓度为3mol/L，锌盐浓度为0～1×10-2mol/L，将步骤1中采用热处理后的样品，放入上述化学处理液中，经过7-10min浸润后取出样品，用干燥氮气吹干样品表面残留溶液，完成CIGS薄膜材料表层质量的化学处理。本发明通过化学溶液浸润处理的方法，以减少表层的杂质，使得锌离子扩散进入表层并占据Cu空位，修复表面缺陷态，且可形成浅埋结，从而改善CIGS薄膜材料表层质量，工艺简单，材料成本低，适合铜铟镓硒薄膜太阳电池的规模化生产。

公开(公告)号：CN103618030A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201310614564.X

申请日：2013-11-28

Applicant: 上海空间电源研究所

Inventor： 张冬冬 ,  吴敏 ,  徐传明 ,  曹章轶 ,  张德涛 ,  陈亮

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/188

Abstract: 本发明提供了一种柔性PI衬底CIGS薄膜电池激光刻蚀单体集成组件的方法，该方法包含：步骤1，使用激光对电池由顶电极一直刻划到PI衬底的上表面，形成第一沟道；步骤2，对第一沟道涂覆填充绝缘胶；步骤3，使用激光对电池由顶电极一直刻划到背电极的上表面，形成第二沟道；步骤4，在第二沟道以及顶电极上且由第二沟道的顶部延伸并越过第一沟道的顶部涂覆银浆；步骤5，使用激光对电池由顶电极刻蚀到高阻层的上表面，形成第三沟道，完成CIGS薄膜电池的内连式互联。本发明在铜铟镓硒薄膜电池生长完后对电池进行内连，可以避免像传统的分离式刻划需要在沉积不同层的材料后分别刻划，提高电池内连的加工效率，并且材料成本低。