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公开(公告)号：CN105154852A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201410260428.X
申请日：2014-06-12
Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 , 理想能源设备(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种异质结太阳能电池PECVD工艺受硼污染解决方法，所述方法包括异质结太阳能电池PECVD设备，所述异质结太阳能电池PECVD设备对硅片进行I层工艺、N层工艺和P层工艺，所述异质结太阳能电池PECVD设备包括用以在所述P层工艺与后续I层工艺之间共用的循环用具，在P层工艺之后增加水蒸气处理工艺用以在I层工艺之前除去所述循环用具表面的硼残留。如此设置，可以迅速去除循环用具例如同一腔体内部或者共享托盘表面的硼残留，如此可提高后续硅片表面非晶硅的钝化效果，减少载流子在硅表面的复合，提高少子寿命。
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公开(公告)号：CN111697110A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010533230.X
申请日：2020-06-12
Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司
IPC: H01L31/20 , H01L31/0216 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供异质结太阳能电池及其制造方法。所述异质结太阳能电池包括具有第一表面和第二表面的N型硅片，所述异质结太阳能电池还包括依次层叠在所述第一表面上的第一本征非晶硅层、N型非晶硅层、第一透明导电膜和第一电极、以及依次层叠在所述第二表面上的第二本征非晶硅层、P型非晶硅层、第二透明导电膜和第二电极，所述第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层中任一者与所述硅片之间设置有第一氧化硅层。本发明能有效提高硅片表面的钝化效果，并能减小漏电流，提升电池的开路电压和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN104157592B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201310172714.6
申请日：2013-05-13
Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司
Inventor： 陈金元 , 汪训忠 , 其他发明人请求不公开姓名
IPC: H01L21/67 , H01L21/205
Abstract: 一种增加硅基异质结太阳能电池产能的工艺，该工艺包括如下步骤：提供硅基异质结太阳能电池的生产设备，其包括进片腔和沉积腔，所述沉积腔中设置有对硅片进行热处理的加热器；采用湿法化学清洗方式对所述硅片表面进行清洗和干燥；将所述硅片传输至所述进片腔中,并进行抽真空处理；再将所述硅片从所述进片腔传输至所述沉积腔中,该沉积腔内为真空环境，所述加热器的温度预先设置为高于制备所述硅基薄膜的工艺温度；当所述硅片的表面温度被加热至所述硅基薄膜的工艺温度时，在所述沉积腔中利用化学气相沉积方法制备所述硅基薄膜。本发明能够在保证覆膜质量的同时提高设备产能、节约生产成本。
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公开(公告)号：CN111987182A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010874903.8
申请日：2020-08-27
Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/028 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/20
Abstract: 本发明提供TOPCon太阳能电池及其制造方法。所述制造方法包括以下步骤：(a).提供用于TOPCon太阳能电池的N型硅片；(b).将所述硅片进行制绒并在其第一面上进行扩散形成PN结；(c).在所述硅片的与第一面相对的第二面上依次形成氧化硅层、微晶硅籽晶层、掺杂非晶硅层或掺杂微晶硅层；(d).将所述硅片进行晶化退火处理使微晶硅和/或非晶硅晶化成多晶硅；(e).在硅片的第一面和第二面上分别形成第一减反钝化膜和第二减反钝化膜；以及(f).在硅片的第一面和第二面上分别形成第一电极和第二电极。本发明能有效解决掺杂非晶硅层或掺杂微晶硅层达到一定厚度会爆膜的问题，能有效减少漏电流，并有利于提升TOPCon电池的开压、填充因子和转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110643971A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910921736.5
申请日：2019-09-27
Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司
IPC: C23C16/24 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L31/20
Abstract: 本发明提供用于制造异质结太阳能电池的CVD设备及镀膜方法。所述CVD设备包括：第一CVD反应腔，其配置成接收承载有硅片的托盘，并通过第一和第二CVD工艺依次在硅片第一面上沉积I/N型非晶硅薄膜；硅片翻面装置，其配置成从第一CVD反应腔接收已完成第一和第二CVD工艺的硅片，并将硅片进行翻面而使硅片的第一面和与之相对的第二面完成对调；以及第二CVD反应腔，其配置成接收承载有经翻面后的硅片的托盘，并通过第三和第四CVD工艺依次在硅片第二面上沉积I/P型非晶硅薄膜。本发明先后在第一、第二CVD反应腔分别完成第一面的I/N非晶硅镀膜和第二面的I/P非晶硅镀膜，还可辅以能消除硼污染的清洗工艺，能有效简化设备结构、降低自动化难度、缩小占地面积、提高设备产能。
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公开(公告)号：CN110767761A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201810842805.9
申请日：2018-07-27
Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 , 理想万里晖真空装备(泰兴)有限公司
Inventor： 汪训忠
IPC: H01L31/043 , H01L31/05
Abstract: 本发明提供了一种光伏组件，包含横向若干行及纵向若干列的电池单元，在所述光伏组件的受光面上横向紧密交替排布N面电池单元与P面电池单元，且其相互之间用导电材料串联，该光伏组件减少了光照的遮挡因素，使得电池单元的发电区域得到充分利用，同时也节省材料成本，降低光伏组件封装难度，明显提高良率，延长组件寿命。
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公开(公告)号：CN110656323A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910921743.5
申请日：2019-09-27
Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司
Inventor： 汪训忠 , 其他发明人请求不公开姓名
Abstract: 本发明提供用于制造HIT太阳能电池的CVD设备、成套CVD设备及镀膜方法。所述CVD设备包括：加载腔，其配置成接收来自上料位的承载有硅片的托盘；多个CVD工艺腔，其配置成接收承载有硅片的托盘，并各自通过本征和掺杂CVD工艺依次在硅片的一面上沉积I/N型或I/P型非晶硅薄膜；卸载腔，其配置成接收承载有已完成所述本征和掺杂CVD工艺的硅片的托盘并将其传送至下料位，以从托盘下料硅片；以及传输腔，其与加载腔、多个CVD工艺腔和卸载腔连接且配置成接收来自加载腔或任一CVD工艺腔的承载有硅片的托盘，并将其对应传送至任一可用的CVD工艺腔或卸载腔。本发明能同腔沉积I/N型或I/P型非晶硅薄膜，并能有效提高设备集成度、降低自动化难度、缩小占地面积、提高设备产能。
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公开(公告)号：CN212330014U
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202020462852.3
申请日：2020-04-02
Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司
Inventor： 汪训忠
IPC: B23K26/36 , B23K26/402 , B23K26/142 , B23K26/064 , B23K26/082 , B23K26/70
Abstract: 本实用新型提供一种用于清理托盘表面硅膜层的装置。该装置包括：托盘承载台，其用于承载覆盖有硅膜层的待清理托盘；激光模块，其包括用于产生预设激光的激光源以及用于输出所述预设激光对应的预设光斑到待清理托盘表面的待清理区域以轰击其上的硅膜层形成硅粉末的激光头；吸尘装置，其用于吸附收集所述激光头轰击形成的硅粉末；以及驱动模块，其用于驱使所述激光头输出所述预设光斑轰击待清理区域上的硅膜层，以使所述硅膜层爆开脱离待清理托盘形成硅粉末，并用于驱使吸尘装置跟随激光头运动并吸附收集所形成的硅粉末。本实用新型能高效、区域选择性地清理托盘表面的硅膜层，能够满足太阳能电池承载托盘的离线清理需求。
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公开(公告)号：CN104157592A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310172714.6
申请日：2013-05-13
Applicant: 理想能源设备(上海)有限公司
Inventor： 陈金元 , 汪训忠 , 其他发明人请求不公开姓名
IPC: H01L21/67 , H01L21/205
CPC classification number: H01L31/202 , H01L21/2053 , H01L21/67103 , H01L21/67109
Abstract: 一种增加硅基异质结太阳能电池产能的工艺，该工艺包括如下步骤：提供硅基异质结太阳能电池的生产设备，其包括进片腔和沉积腔，所述沉积腔中设置有对硅片进行热处理的加热器；采用湿法化学清洗方式对所述硅片表面进行清洗和干燥；将所述硅片传输至所述进片腔中,并进行抽真空处理；再将所述硅片从所述进片腔传输至所述沉积腔中,该沉积腔内为真空环境，所述加热器的温度预先设置为高于制备所述硅基薄膜的工艺温度；当所述硅片的表面温度被加热至所述硅基薄膜的工艺温度时，在所述沉积腔中利用化学气相沉积方法制备所述硅基薄膜。本发明能够在保证覆膜质量的同时提高设备产能、节约生产成本。
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