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公开(公告)号：CN102074496B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200910201844.1
申请日：2009-11-19
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
发明人： 赖华平
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种用于线路修复的连线方法；包括以下步骤：步骤一、在需要修复的指定金属线位置的绝缘膜上方开小窗口；步骤二、取刻蚀窗的一侧宽边固定，将长边拉长，宽边大小不变，进行深度0.1-0.5微米的刻蚀，如果刻蚀窗确定位置有金属线露出，有则停止刻蚀，无则再次固定之前的宽边，长度继续拉长后再进行深度0.1-0.5微米的刻蚀；如此循环，直到金属线外露；步骤三、从外露金属线位置沿阶梯镀上一条长度等于连线距离的铂金，实现连线。本发明提高了线路修复的速度和成功率，也省去了一些价格昂贵的耗材的使用，极大加快了芯片问题调试的进度。
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公开(公告)号：CN102928764A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201110230794.7
申请日：2011-08-12
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种定位半导体芯片长距离金属线间缺陷的方法，包括步骤：1)对芯片进行研磨剥层处理，暴露待分析金属线的至少端头部分；2)在待分析金属线的端头附近，且与金属线没有交接的区域，垫积出与各条待分析金属线对应的金属垫；3)在待分析金属线的端头和对应的金属垫之间，垫积出用于连接端头和金属垫的金属条；4)在金属垫上扎针，进行光致阻抗变化测试，定出缺陷在金属线上的具体位置。该方法通过结合使用一系列的失效分析技术，实现了对特定长距离金属线间缺陷的更快速、准确和有效的定位。
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公开(公告)号：CN102466778A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010547545.6
申请日：2010-11-17
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： G01R31/311
摘要： 本发明公开了一种用于功率金属氧化物晶体管芯片的缺陷失效定位方法，包括：1)用酸去除功率金属氧化物晶体管芯片表面的铝层；2)对于铝层下含有Ti/TiN扩散阻挡层的芯片，直接扎针栅极、源极、漏极灌电流作EMMI或OBIRCH分析，定位出缺陷；对于铝层下无扩散阻挡层的芯片，在芯片内的无晶体管区域用FIB淀积两个金属垫，再在每个金属垫的边上用FIB淀积一个与该金属垫相连接的金属条，两个金属条的另一端分别连接到栅极和源极，利用两个金属垫和芯片背面漏极完成EMMI或OBIRCH测试，定位出缺陷。本发明的效果远远好于液晶分析，而且可以快速、精确地找到缺陷位置。
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公开(公告)号：CN102074496A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910201844.1
申请日：2009-11-19
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
发明人： 赖华平
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种用于线路修复的连线方法；包括以下步骤：步骤一、在需要修复的指定金属线位置的绝缘膜上方开小窗口；步骤二、取刻蚀窗的一侧宽边固定，将长边拉长，宽边大小不变，进行深度0.1-0.5微米的刻蚀，如果刻蚀窗确定位置有金属线露出，有则停止刻蚀，无则再次固定之前的宽边，长度继续拉长后再进行深度0.1-0.5微米的刻蚀；如此循环，直到金属线外露；步骤三、从外露金属线位置沿阶梯镀上一条长度等于连线距离的铂金，实现连线。本发明提高了线路修复的速度和成功率，也省去了一些价格昂贵的耗材的使用，极大加快了芯片问题调试的进度。
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公开(公告)号：CN101150058A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610116405.7
申请日：2006-09-22
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/60
摘要： 本发明公开了一种形成半导体金属键合垫(简称PAD)的淀积方法，包括如下步骤：步骤1，用镭射切割机在铝箔上切割出与所需金属键合垫大小一致的空洞；步骤2，将铝箔覆盖芯片表面，空洞放置在需淀积金属键合垫的指定位置；步骤3，用镀金机蒸镀金属薄膜，在空洞处长出金属键合垫。该方法能缩短淀积时间，降低成本，且操作简便，能达到预期的淀积效果。
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公开(公告)号：CN102456666A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010511194.3
申请日：2010-10-19
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , G01R31/26 , H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种数字坐标轴，由硅衬底上的栅氧化膜上的多晶硅图案组成且位于测试结构的周围，测试结构和数字坐标轴制作在同一层光罩中。数字坐标轴包括水平数字坐标轴和垂直数字坐标轴，水平数字坐标轴和垂直数字坐标轴的长度分别大于测试结构的长度和宽带、满足能够对测试结构的所有点进行定位。本发明还公开了一种栅氧化膜可靠性测试方法，包步骤：形成数字坐标轴、对测试结构进行EMMI测试并用数字坐标轴记录发光点位置、进行FIB测试。本发明数字坐标轴能够为测试结构提供精确的坐标，能为栅氧化膜可靠性测试方法中的发光点进行精确定位并提供数字化坐标，能为FIB切割定位提供准确位置，能提高失效分析的成功率。
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公开(公告)号：CN102456666B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201010511194.3
申请日：2010-10-19
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , G01R31/26 , H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种数字坐标轴，由硅衬底上的栅氧化膜上的多晶硅图案组成且位于测试结构的周围，测试结构和数字坐标轴制作在同一层光罩中。数字坐标轴包括水平数字坐标轴和垂直数字坐标轴，水平数字坐标轴和垂直数字坐标轴的长度分别大于测试结构的长度和宽带、满足能够对测试结构的所有点进行定位。本发明还公开了一种栅氧化膜可靠性测试方法，包步骤：形成数字坐标轴、对测试结构进行EMMI测试并用数字坐标轴记录发光点位置、进行FIB测试。本发明数字坐标轴能够为测试结构提供精确的坐标，能为栅氧化膜可靠性测试方法中的发光点进行精确定位并提供数字化坐标，能为FIB切割定位提供准确位置，能提高失效分析的成功率。
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公开(公告)号：CN102053098A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910201762.7
申请日：2009-11-05
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
发明人： 赖华平
摘要： 本发明公开了一种用于定位梳状金属线结构中低阻抗微小缺陷的方法，包括以下步骤：步骤一，通过聚焦粒子束电子显微镜穿孔到接地端，用聚焦粒子束电子显微镜镀金属层将梳状线的一端实现接地；步骤二，将梳状线进行n次等分，每次等分作一次电压衬度检查，而每一次电压衬度都可以将缺陷定位到原区域的二分之一范围内，n次等分后，缺陷会定位在二的n次方分之一的面积范围内，n为正整数；步骤三，在定位出的微小面积内，用扫描电子显微镜进行高加速电压扫描，可观察到被绝缘膜埋住的缺陷。本发明定位速度快，效率高，解决了半导体生产线中有些金属生长刻蚀相关工艺的缺陷找不到的问题，能大量节省人力和扫描电镜的使用机时。
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公开(公告)号：CN102339766A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201010233588.7
申请日：2010-07-22
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/451 , H01L2224/48463 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2924/01042 , H01L2924/01082 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了一种线路修复中的超长距离连线方法；包括以下步骤：暴露出需要做桥联的金属线，在该线附近并远离顶层金属的位置生长出多个金属垫，连接每个金属垫和所述暴露的金属线；对第一个金属垫键合上金属球，保持引线不断；用劈刀引导引线拉至第二个金属垫，劈刀施力在第二个金属垫形成第二键合点，如此以往，最后键合点完成后，再将引线夹断。用本发明所述的FIB线路修复功能可以便捷的多次和反复在同一个芯片上进行调试，另外本发明所述超长距离连线方法，具有时间短、连线阻值低的优点。
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公开(公告)号：CN101150058B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610116405.7
申请日：2006-09-22
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/60
摘要： 本发明公开了一种形成半导体金属键合垫(简称PAD)的淀积方法，包括如下步骤：步骤1，用镭射切割机在铝箔上切割出与所需金属键合垫大小一致的空洞；步骤2，将铝箔覆盖芯片表面，空洞放置在需淀积金属键合垫的指定位置；步骤3，用镀金机蒸镀金属薄膜，在空洞处长出金属键合垫。该方法能缩短淀积时间，降低成本，且操作简便，能达到预期的淀积效果。
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